全文获取类型
收费全文 | 13081篇 |
免费 | 2211篇 |
国内免费 | 3635篇 |
专业分类
化学 | 10403篇 |
晶体学 | 326篇 |
力学 | 780篇 |
综合类 | 340篇 |
数学 | 1768篇 |
物理学 | 5310篇 |
出版年
2024年 | 19篇 |
2023年 | 173篇 |
2022年 | 443篇 |
2021年 | 423篇 |
2020年 | 462篇 |
2019年 | 456篇 |
2018年 | 399篇 |
2017年 | 480篇 |
2016年 | 552篇 |
2015年 | 605篇 |
2014年 | 785篇 |
2013年 | 1005篇 |
2012年 | 1053篇 |
2011年 | 1109篇 |
2010年 | 987篇 |
2009年 | 1018篇 |
2008年 | 1085篇 |
2007年 | 1040篇 |
2006年 | 1036篇 |
2005年 | 814篇 |
2004年 | 726篇 |
2003年 | 494篇 |
2002年 | 562篇 |
2001年 | 499篇 |
2000年 | 491篇 |
1999年 | 389篇 |
1998年 | 244篇 |
1997年 | 208篇 |
1996年 | 179篇 |
1995年 | 132篇 |
1994年 | 120篇 |
1993年 | 118篇 |
1992年 | 112篇 |
1991年 | 84篇 |
1990年 | 97篇 |
1989年 | 82篇 |
1988年 | 61篇 |
1987年 | 62篇 |
1986年 | 57篇 |
1985年 | 50篇 |
1984年 | 43篇 |
1983年 | 44篇 |
1982年 | 24篇 |
1981年 | 21篇 |
1980年 | 19篇 |
1979年 | 11篇 |
1978年 | 11篇 |
1976年 | 4篇 |
1936年 | 4篇 |
1928年 | 3篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
91.
层状稀土氢氧化物是一类新型的稀土功能材料,本文采用固体核磁共振(SSNMR)方法研究了同时具备离子交换能力和非线性光学特性的层状La(OH)2NO3化合物,探讨了通过四极核CPMG(QCPMG)脉冲序列和变频谱图采集获取超宽139La SSNMR谱图的方法,并描述了适用于此类实验的滤波方程和谱图重建方法.重建谱图同时包含四极核中心跃迁和卫星跃迁信息,本文使用QUEST软件对超宽139La NMR谱图进行了模拟,获取的四极耦合常数CQ和非对称因子ηQ均与CASTEP密度泛函理论计算值高度吻合.SSNMR实验结果证实层状La(OH)2NO3化合物属于非中心对称结构(P21),解决了对其结构长期以来存在的争论. 相似文献
92.
93.
某型机在飞行训练过程中,进近段的二维相对姿态数据对于该型机安全着陆有着至关重要的作用。基于无线网络电台的双向数据传输系统能够实时获取进近段飞机相对理想着陆点的水平、垂直相对位置数据。通过上行链路上传着陆点的姿态数据,下行链路实时下传动动差分后的差分数据,最后在中心控制站进行二次数据处理。该技术获得的进近段二维相对姿态精度达到厘米级,满足飞行训练的需求。同时结合飞机显控数据以及视景图,以多角化动态关联的方式将实时获取的姿态数据等呈现给指挥员,更好地辅助指挥员进行着陆指挥工作。 相似文献
94.
The etch-stop structure including the in-situ SiN and AlGaN/GaN barrier is proposed for high frequency applications.The etch-stop process is realized by placing an in-situ SiN layer on the top of the thin AlGaN barrier.F-based etching can be self-terminated after removing SiN,leaving the AlGaN barrier in the gate region.With this in-situ SiN and thin barrier etch-stop structure,the short channel effect can be suppressed,meanwhile achieving highly precisely controlled and low damage etching process.The device shows a maximum drain current of 1022 mA/mm,a peak transconductance of 459 mS/mm,and a maximum oscillation frequency(fmax)of 248 GHz. 相似文献
97.
采用双重分布函数的格子玻尔兹曼模型,对单脉冲激光金属打孔过程中的快速相变传热进行研究.模型考虑了金属材料熔化后熔体的流动换热,并采用浸没移动边界方案对过程中的固液界面进行追踪.采用纯导热模型和考虑对流的换热模型计算,将结果和试验进行对比,结果表明:在激光打孔过程中熔体的流动对相变传热产生较大影响,采用考虑流动换热模型的结果与实验更接近.进而对熔化速度、熔化深度以及温度场的变化进行分析,并探讨不同激光工艺参数对相变过程的影响.模拟发现一个脉冲结束后,激光的脉宽越大,孔深越小,孔径越大,且最高温度较短脉冲激光越低. 相似文献
98.
由静态探头线圈外有机材料产生的13C NMR背景信号强度大,化学位移范围广(δC 20~250),此背景信号在交叉极化实验中还可被增强,并随着样品信号的累积而累积,严重影响谱图分析.将相位步进脉冲引入交叉极化实验(称为PIPCP)中可以有效去除经交叉极化增强的13C NMR背景信号,但样品信号不受影响.这是由于经过相位步进脉冲后,线圈外相位严重畸变,而且线圈外锁定场强度急剧降低,来自探头材料的13C NMR背景信号无法有效地进行交叉极化.而对于被测样品甘氨酸来说,由于I核和S核之间强烈的偶极耦合作用,所加相位步进脉冲对锁定场强度的影响只有1.4%. 相似文献
99.
为了提高以TADF材料作为主体、天蓝色荧光材料作为客体的混合薄膜的OLED器件光电性能,我们调整了器件结构,使主体材料发挥其优势。制备了基本结构为ITO/NPB(40 nm)/DMAC-DPS∶x%BUBD-1(40 nm)/Bphen(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al的OLED器件。研究了主-客体材料在不同掺杂浓度下的OLED器件的光电特性。为了提高主体材料的利用率,在空穴传输层和发光层之间加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层;然后,在阳极和空穴传输层之间加入HAT-CN作为空穴注入层,形成HAT-CN/NPB结构的PN结,有效降低了器件的启亮电压(2.7 V)。测量了有无HAT-CN的单空穴器件的阻抗谱。结果表明,在最佳掺杂比例(2%)下,器件的外量子效率(EQE)达到4.92%,接近荧光OLED的EQE理论极限值;加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层,使得器件的EQE达到5.37%;HAT-CN/NPB结构的PN结有效地降低了器件的启亮电压(2.7 V),将OLED器件的EQE提高到5.76%;HAT-CN的加入提高了器件的空穴迁移率,降低了单空穴器件的阻抗... 相似文献