100μmFIR-FEL摇摆器的改进

经过几年实验发现，摇摆器的磁场强度、峰值误差和好场区宽度对束波作用效率有很大影响。为了提高摇摆器性能对摇摆器如下改进：（1）提高磁场强度：永磁块材料采用北京钢研院的钕铁硼N39SH，其风达到11．6kOe（10e≈79．578A／m），B，达到12．3kGs（1Gs=10^-4T），（BH）max为36MGOe；摇摆器周期长度由30mm改为32mm，磁块与磁极宽度的比值由9：6改为11：5；（2）减小峰值误差和增加好场区宽度：改进永磁块、磁极的形状和固定方式，从机械上消除不规则磁块、磁极形状带来的负面影响。通过上述改进可以提高单电子小信号增益与理想增益的比率，即提高整个摇摆器品质。精密的磁场自动测量系统是摇摆器调试过程中所必须的装置，该系统经过改进，具有高精度、高稳定度、可同时监测x、y、z方向磁场值、操作方便等优点，为摇摆器的研制打下良好基础。     

Increasing the Efficiencies of Random-Choice-Based Quantum Communication Protocols with Delayed Measurement

The security of quantum communications lies in the capability of the legitimate parties to detect eavesdropping.Here we propose to use delayed measurement to increase the efficiency of protocols of quantum key distribution and quantum secret sharing that uses a random choice of measuring-basis. In addition to a higher efficiency,these measures also bring the benefit of much reduced amount of classical communications.     

强电场电离放电产生羟基等离子体反应过程的研究

从强电场等离子体反应室结构、电介质材料及加工工艺等方面出发．研究了在建立强电场并把O2、H2O电离后在分子层次上加工成OH^ 、eaq^-(水合电子)等自由基的等离子体反应过程。用这种方法产生的自由基的浓度、产成量均能满足工程上的需要．达到绿色化学12条原则要求,从源头上解决了环境污染问题。着重研究了羟基治理烟气SO2的绿色资源化的新方法．在无吸收剂、催化剂条件下,仅在0．8s内就能把烟气中SO2、H2O和O2电离后在分子层次上加工成H2SO4。     

用衍射光栅和CCD测量透明材料折射率

介绍了一种基于衍射光栅干涉和CCD图像测量的测量透明材料折射率的方法。这种方法使用的仪器少,操作简单,配合CCD与图像处理的运用,尝试的两种测量方案都使精度能够达到10^-4。两种测量方案对同一玻璃基片的测量结果基本吻合,而第二种测量方案的测量精度要优于第一种,这是因为就我们目前的实验条件而言,CCD判别条纹移动的精度对折射率测量的影响要小于角度测量精度对之的影响。该方法还可以测量各向同性透明薄膜样品的折射率,为探索新型有机薄膜的折射率及其有关特性提供便利的手段。讨论了测量的基本原理和样品的测量结果,并对实验方法误差进行了分析。     

强非线性吸收下高斯光束Z-扫描衍射理论模型

 摘要：在同时考虑非线性折射和非线性吸收的情况下，借助光的衍射理论，研究了Z-扫描技术的衍射理论模型，分析了非线性折射和非线性吸收同时存在时Z-扫描曲线的形状特征和变化规律。数值计算表明，非线性吸收相移和非线性折射相移的比值是影响接收小孔输出光功率的重要因素。要想得到好的光限幅效果，应选取非线性相移比值远小于1或远大于2的非线性材料。     

A novel superjunction MOSFET with improved ruggedness under unclamped inductive switching

The ruggedness of a superjunction metal–oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) under unclamped inductive switching conditions is improved by optimizing the avalanche current path. Inserting a P-island with relatively high doping concentration into the P-column, the avalanche breakdown point is localized. In addition, a trench type P+ contact is designed to shorten the current path. As a consequence, the avalanche current path is located away from the N+ source/P-body junction and the activation of the parasitic transistor can be effectively avoided. To verify the proposed structural mechanism, a two-dimensional (2D) numerical simulation is performed to describe its static and on-state avalanche behaviours, and a method of mixed-mode device and circuit simulation is used to predict its performances under realistic unclamped inductive switching. Simulation shows that the proposed structure can endure a remarkably higher avalanche energy compared with a conventional superjunction MOSFET.     

无序度对一维长程关联无序系统中局域化-退局域化转变的影响

对长程幂律关联能量序列进行了修正,使其能体现出无序度在一维长程关联无序系统中的影响,并利用重正化群方法,计算了能反映该系统局域化-退局域化转变的Lyapunov指数.结果表明,在由于关联指数p的影响而在系统中出现的局域化向退局域化的转变中,无序度起着相反的作用.当关联指数p一定而无序度W增大时,系统中心能区范围内由于长程关联而引起的扩展态逐渐向局域态转变.当无序度W增大到某一临界值W_c时,系统中所有本征态均转变为局 关键词： 长程关联 Lyapunov指数 无序度 局域化-退局域化转变     

多孔硅实验方法

多孔硅实验方法王兰芳，邓家干（陕西工学院汉中７２３００３）（广西农业大学南宁５３０００５）前言多孔硅（ＰｏｒｏｕｓＳｉｌｉｃｏｎＬａｇｅｒ，简称ＰＳＬ）是一种把单晶硅作为材料，通过各种方法使硅表面形成一层由大量垂直于表面的微孔（孔径为１—１００ｎｍ）...     

固体板中SH板波非线性效应的实验观察

采用微扰近似和导波的模式展开分析方法,从理论上简要分析了SH板波的二次谐波发生效应;尽管在无限大固体介质中单个切变波的二次谐波发生效应非常微弱,但在一定条件下由两个切变波构成的SH板波可具有强烈的非线性效应;本文的主要工作就是对此结论加以实验验证。试制了激发SH板波的切变波斜劈换能器和接收二次谐波信号的液体斜劈换能器,建立了非线性SH板波的实验研究系统;通过详细的理论分析和对比实验研究,阐明了在一定条件下实验观察到的显著二次谐波信号来源于SH板波传播过程中的强烈非线性效应。此外,针对不同的SH板波传播距离,在远场条件下分别测量了相应的二次谐波幅频曲线;在基频SH板波与二倍频对称兰姆波相速度相等所对应的频率值附近,分析了二次谐波的振幅随传播距离的变化关系,结果证明在一定条件下SH板波的二次谐波振幅可随传播距离积累增长,即SH板波可具有强烈的非线性效应。     

微波ECR磁控溅射制备SiNx薄膜的XPS结构研究

利用微波电子回旋共振等离子体增强非平衡磁控溅射法在不同N2流量下制备无氢SiNx薄膜.通过X光电子能谱、纳米硬度仪等表征技术,研究了不同N2流量下制备的SiNx薄膜的化学键结构、化学键含量、元素配比及各元素沿深度分布.研究结果表明,N2流量是影响SiNx薄膜化学键结构、元素配比、元素延深度分布等性质的主要因素.在N2流量为1 sccm的条件下制备的SiNx薄膜呈富Si态;在N2流量为2 sccm的条件下制备的SiNx薄膜中Si-N键含量最高,可达到94.8%,化学吸附主要发生在薄膜表面,同时薄膜具有较好的机械性能,硬度值可达到22.9 GPa;在N2流量为20 sccm条件下制备的SiNx薄膜,薄膜表面含有46.8%的N-Si-O键及18.6%的Si-O键结构,薄膜内部含有36.8%的N-Si-O键及12.5%的Si-O键结构,表明薄膜结构疏松,在空气中易被氧化,化学吸附在薄膜表面及内部同时发生,因此薄膜具有较差的机械性能,硬度值仅为12 GPa.