四氮杂大环镍(Ⅱ)配合物[Ni(TIM)](ClO4)2催化的新型B-Z振荡反应

本文报道了一种以四氮杂大环四烯镍(Ⅱ)配合物[Ni(TIM)](ClO4)2为催化剂,柠檬酸为有机底物的硫酸环境的新型的B-Z振荡反应体系。讨论了不同浓度的溴酸钠、硫酸、柠檬酸对振荡周期(tp)、振幅(A)、振荡次数(n)的影响,发现振荡周期tp与溴酸钠、硫酸、柠檬酸的浓度有关,关系表达式:tp(s)∝C0-2.003(NaBrO3)C0-2.881(H2SO4)C0-3.16(Citric acid)。研究了各种还原剂、自由基抑制剂、Ag+、Hg2+对该振荡反应的不同程度的影响。最后提出了该反应的反应机理。     

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基于ITER装置窗口C,完成了中国氦冷固态增殖剂试验包层模块的设计改进,给出了模块主要性能参数和设计参数。改进后的TBM包层模块外围尺寸为环向484mm、纵向1660mm和极向675mm。根据该模块设计的结构特点,对研制用材料CLF-1钢真空扩散连接和真空电子束焊等关键工艺进行了研究,初步探索了第一壁等关键部件的研制工艺流程,并最终成功试制了第一壁和子模块冷却板模拟件。     

中国氦冷固态增殖剂试验包层模块1×4方案子模块后板结构设计

针对中国氦冷固态增殖剂试验包层模块(CH HCCB TBM),提出了新的1×4结构设计方案,在此基础上对TBM模块的核心部件子模块及其复杂的后板系统进行了详细的结构设计,并对子模块的后板系统进行了初步的结构承压分析。     

封隔器胶筒表面形貌对密封性能影响研究

水平井分段压裂是目前低渗油气藏增产的主要措施之一,压裂封隔器是分段压裂时层与层之间封隔的关键工具,其封隔性能直接影响压裂施工工艺的施工质量和成功率。由于受到深井地层高温、高压等恶劣环境的影响,封隔器胶筒坐封后与套管间的接触应力、Mises应力直接影响其封隔能力和使用寿命。本文通过改变封隔器胶筒表面圆弧半径R、圆弧顶距胶筒表面距离δ、波纹间隙ΔH等参数来研究胶筒与套管间接触应力情况,结果表明:与常规封隔器胶筒相比,改进的封隔器胶筒与套管的最大接触应力提高了1.64倍~3.97倍;圆弧半径为1.25mm,波纹间隙为0.5mm的改进胶筒Mises应力降低了约11%。这不仅保证了封隔器密封可靠性,而且降低了胶筒被撕裂的风险。表面轮廓为波纹状的封隔器胶筒可广泛运用于水平井分段压裂工艺中。     

非负矩阵Perron根上界序列

给出了非负矩阵Perron根的一系列优化上界,即通过相似对角变换与Gerschgorin定理较好的估计了Perron根的上界,并且通过例子来说明这种方法的有效性．     

用X-射线光电子能谱定性和定量分析钴的化学状态

在Ni-MH和Ni-Cd电池制造业中,对钴的价态确定是重要的。高自旋二价钴给出较强的Shake-up伴峰,而三价钴是反磁性的,没有伴峰,由此可以确定钴的价态,并进行定量分析。由实验结果得出下面的经验方程：X%=100（13-20C）/13（C 1）。式中X%是三价钴的百分含量,C是待测样品Co2p1/2Shake-up伴峰与主峰强度之比。此方程可以给出三价钴近似含量。我们从Cop1/2与Shake-up伴峰之间距离或者从伴峰与主峰强度之比,可以鉴别氢氧化亚钴与氧化亚钴。     

用X射线光电子能谱对热处理的四苯基钴卟啉修饰电极的表面表征

本文用XPS、DTA和TG分析了四苯基钴卟啉化学修饰电极的热分解行为,它不同于四苯基铁卟啉.由XPS谱图揭示了四苯基钴卟啉与玻璃碳电极之间的相互作用,进而阐述了经热处理的四苯基钴卟啉化学修饰电极的表面结构与电催化稳定性的关系.从Co2p_3/2和2p_(1/2)能级的自旋分裂间距及其Shake-up伴峰,了解经热处理后的四苯基钴卟啉修饰电极中钴自旋态变化,并且从Co的L_3VV俄歇跃迁计算出Co的双电离能,其双电离能与电催化活性有一定关系。     

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为部分验证中国固态增殖剂TBM 模块中原尺寸模块结构设计的合理性和研制工艺的可行性,针对性地开展了TBM 小模块(仅高度为1/3)研制工作。在前期设计工作基础上,开展TBM 小模块结构详细优化设计与分析,提出模块加工、连接及集成装配等工艺方案,为TBM 小模块的工程化试制奠定坚实基础。     

离子辐照石墨生成的纳米尺寸Ar泡

用60keV的Ni⁺和Ar⁺在相同实验条件下,先后分别辐照同一块石墨靶,剂量均为10¹⁸/cm².带能量色散X射线分析和电子衍射分析的高分辨透射电子显微镜观察和分析发现,尺寸不同的纳米Ar泡嵌在类玻璃碳薄片中,部分泡内的Ar可能已形成固体结构.     

用X射线光电子能谱对热处理的四苯基钴卟啉修饰电极的表面表征

本文用XPS、DTA和TG分析了四苯基钴卟啉化学修饰电极的热分解行为, 它不同于四苯基铁卟啉. 由XPS谱图揭示了四苯基钴卟啉与玻璃碳电极之间的相互作用, 进而阐述了经热处理的四苯基钴卟啉化学修饰电极的表面结构与电催化稳定性的关系. 从Co2p_3/2和2p_(1/2)能级的自旋分裂间距及其Shake-up伴峰, 了解经热处理后的四苯基钴卟啉修饰电极中钴自旋态变化, 并且从Co的L_3VV俄歇跃迁计算出Co的双电离能, 其双电离能与电催化活性有一定关系。