New CMOS compatible super junction LDMOST with n-type buried layer

A new super-junction lateral double diffused MOSFET (LDMOST) structure is designed with n-type charge compensation layer embedded in the p$^{ - }$-substrate near the drain to suppress substrate-assisted depletion effect that results from the compensating charges imbalance between the pillars in the n-type buried layer. A high electric field peak is introduced in the surface by the pn junction between the p$^{ - }$-substrate and n-type buried layer, which given rise to a more uniform surface electric field distribution by modulation effect. The effect of reduced bulk field (REBULF) is introduced to improve the vertical breakdown voltage by reducing the high bulk electric field around the drain. The new structure features high breakdown voltage, low on-resistance and charges balance in the drift region due to n-type buried layer.     

在${\mathbb{R}}^m$中重对数广义律的精确速率

令\{$X$, $X_n$, $n\ge 1$\}是期望为${\mathbb{E}}X=(0,\ldots,0)_{m\times 1}$和协方差阵为${\rm Cov}(X,X)=\sigma^2I_m$的独立同分布的随机向量列, 记$S_n=\sum_{i=1}^{n}X_i$, $n\ge 1$. 对任意$d>0$和$a_n=o((\log\log n)^{-d})$, 本文研究了${{\mathbb{P}}(|S_n|\ge (\varepsilon+a_n)\sigma \sqrt{n}(\log\log n)^d)$的一类加权无穷级数的重对数广义律的精确速率.     

退火温度对Ta_2O_5/SiO_2多层反射膜结构和应力特性的影响

介质膜反射镜是星载激光测高仪系统中不可缺少的薄膜元件,其面形质量直接影响探测系统测距的分辨率和精度.本文采用离子束辅助电子束蒸发工艺在石英基底上沉积Ta_2O_5/SiO_2多层反射膜,并在200—600℃的空气中做退火处理.通过X射线衍射、原子力显微镜、分光光度计及激光干涉仪等测试手段,系统研究了退火温度对Ta_2O_5/SiO_2多层反射膜结构、光学性能以及应力特性的影响.结果表明:Ta_2O_5/SiO_2多层反射膜退火后,膜层结构保持稳定,膜层表面粗糙度得到有效改善;反射膜在500—600℃退火后,残余应力由压应力向张应力转变;采用合适的退火温度可以有效释放Ta_2O_5/SiO_2薄膜的残余应力,使薄膜与基底构成的介质膜反射镜具有较好的面形精度.本文的实验结果对退火工艺在介质膜反射镜面形控制技术方面的应用具有重要意义.     

非线性互补约束问题一个全局收敛的SQP算法

本文研究非线性互补约束优化问题,利用Fischer-Burmeister函数将非线性互补问题转化为非光滑方程,提出一个求解非线性互补约束问题的SQP算法,并在适当的假设下证明这个算法是全局收敛的.     

双金属纳米天线在少周期激光中的宽带超快电磁响应

研究了耦合的核壳双金属纳米粒子天线的光场增强与超快时域响应. 在少周期激光的应用中, 如表面等离激元金属纳米器件中的超快响应探测元件, 这种双金属天线展示了超宽带共振频谱及控制局域表面等离激元增强的能力. 研究了二聚体、三聚体以及七聚体, 并且发现三聚体Ag/Au核壳结构显现了极高的场增强能力, 其场振幅增强因子超过了120, 并在5 fs的时间内场振幅迅速衰减为30, 保持了超快的光学响应特性. 利用该结构的表面等离激元增强效应产生高次谐波, 对于产生超快阿秒脉冲有着潜在的重要应用价值. 关键词： 纳米光学天线 双金属球壳结构 少周期激光脉冲 表面等离激元     

一个数列单调性的另一证明

设ξn满足∫20 sinn x d x ＝π2 sinnξn （0＜ξn ＜π2）,利用H?lder不等式,可证数列｛ξn｝的严格单调性。     

电感电容对交直流电的影响的演示

在现行高二物理教材中,学生认为"电感电容对交变电流的影响"这一节内容比较抽象,难以理解,更难以掌握.而实验室内又无现成的仪器.为此,笔者设计并制作了教具"电感电容对交直流电的影响演示器".如图1所示.     

智能车转向系统的研究及设计

智能车的底层控制主要包括油门、刹车和转向三部分。转向部分主要以电子式助力转向系统(EPS)为基础进行设计。电子控制式电动助力转向系统具有较好的操纵性、安全性、轻便性以及节能性等优点。然而,传统汽车上应用的助力转向系统仅起到辅助作用,对于无人驾驶的智能车来说功率过小,无法实现智能车在静止或者低速行驶时的转向控制,并且智能车的转向控制策略也有所不同。通过选择合理的转向电机、合适的传感器,设计了一套适合智能车的转向系统。通过反复试验,该转向系统可以很好的实现智能车转向控制。     

液体表面波光栅的研究

在液体表面形成的一维正弦形表面波,作为一种理想的反射式光栅,称之液体表面波光栅.本文通过它对激光束的衍射,研究液体表面与界面的物理特性.     

具有N型缓冲层REBULF Super Junction LDMOS

针对功率集成电路对低损耗LDMOS (lateral double-diffused MOSFET)类器件的要求,在N型缓冲层super junction LDMOS (buffered SJ-LDMOS)结构基础上, 提出了一种具有N型缓冲层的REBULF (reduced BULk field) super junction LDMOS结构. 这种结构不但消除了N沟道SJ-LDMOS由于P型衬底带来的衬底辅助耗尽效应问题, 使super junction的N区和P区电荷完全补偿, 而且同时利用REBULF的部分N型缓冲层电场调制效应, 在表面电场分布中引入新的电场峰而使横向表面电场分布均匀, 提高了器件的击穿电压. 通过优化部分N型埋层的位置和参数, 利用仿真软件ISE分析表明, 新型REBULF SJ-LDMOS 的击穿电压较一般LDMOS提高了49%左右, 较文献提出的buffered SJ-LDMOS结构提高了30%左右. 关键词： lateral double-diffused MOSFET super junction 击穿电压 表面电场