微波退火和快速热退火下钛调制镍与锗锡反应

本文研究了1 nm钛作为插入层的条件下,镍与锗锡合金在不同退火温度下的固相反应,比较了微波退火和快速热退火对镍锗锡化物形成的影响.研究结果表明:在微波退火300℃、快速热退火350℃条件下,可以形成连续平整的镍锗锡薄膜.通过进一步分析镍锗锡薄膜的元素分布,发现1 nm钛插入层发生层转移现象,钛在镍与锗锡合金反应后分...     

Na+对制备Al4SiC4/Al4O4C复合耐火材料的影响

以焦宝石、活性炭和铝粉为原料,添加Na2CO3制备Al4SiC4/Al4O4C复合耐火材料.采用化学分析、XRD和SEM等测试技术,研究了Na+对材料物相组成和显微结构的影响.结果表明:添加Na2CO3加速了Al2O3和活性炭的反应,促进了Al4O4C的生成.未添加Na2CO3时生成的Al4SiC4晶粒表面光滑,添加Na2CO3后Al4SiC4晶粒粗糙、凹凸,缺陷明显增加.此外,未添加Na2CO3的试样中生成的Al4O4C呈短纤维状,添加Na2CO3后全部转变为细小颗粒.     

高居里温度铁电单晶PIN-PT的机电性能

弛豫铁电单晶Pb(In_1/2Nb_1/2)O₃-PbTiO₃(PIN-PT)相较于常用的Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃(PMN-PT)具有更高的居里温度,在高稳定性、高性能的传感器、换能器方面具有应用前景。本工作采用谐振法研究了[001]方向极化的0.66PIN-0.34PT铁电单晶的全矩阵机电性能参数。0.66PIN-0.34PT 单晶的三方-四方相变温度(T_RT)约为160 ℃,居里温度(T_C)约为260 ℃,室温压电系数d₃₃、d₃₁、d₁₅分别为1 340 pC/N、-780 pC/N、321 pC/N,介电常数ε^T₃₃、ε^S₃₃、ε^T₁₁、ε^S₁₁分别为2 700、905、2 210、1 927,机电耦合系数 k₃₃、k₃₁、k₁₅、k_t分别为 87%、58%、38%、61%。其纵向压电常数(d₃₃)和纵向机电耦合系数(k₃₃)小于 PMN-PT 单晶,但是横向压电性能(d₃₁)和剪切压电性能(d₁₅)都略高于PMN-PT单晶。另外,研究了机电耦合性能随温度的变化趋势,发现0.66PIN-0.34PT单晶在150 ℃以下有较好的温度稳定性。     

胃癌细胞显微后向散射光谱分析

为了实验分析单个人正常胃上皮细胞与癌变细胞显微后向散射光谱的区别,结合光纤共聚焦显微成像技术和细胞散射理论,建立了一套基于光纤共聚焦的细胞检测显微光谱分析装置。该装置能够同时获取细胞显微图像和显微光谱医学信息。利用该装置测量了贴壁正常胃上皮细胞GES-1和癌变胃上皮细胞NCI-N87,得到了这两种细胞株细胞水平的显微光谱特性,其光谱具有明显的区别,说明该装置能够在细胞水平上辨别正常和癌变细胞的显微光谱。所得到的正常和癌变胃上皮细胞的显微后向散射光谱曲线与现有单核细胞散射分析结果一致,为以后的细胞水平检测癌变研究提供了必要的基础。     

2009高考绝对值问题"深度解析"

与"绝对值"相结合的问题是高中数学中的一类基本而重要的问题,该类问题在各种数学试题和复习资料中频繁出现.本文以2009年全国和各省市高考试题中的绝对值问题为基本素材,对其从"解题学"和"考试学"角度进行解析,供大家在教学中参考.     

金刚石磨粒/Cu-Sn-Ti合金/金属胎体复合节块界面微结构

采用铜锡钛(Cu-Sn-Ti)合金钎料分别利用两种常规钎焊方法进行金刚石磨粒预钎焊处理试验并制备复合节块.通过静压强度试验测试了预钎焊磨粒的静压强度,通过三点抗弯试验测试了复合节块的强度,并使用扫描电镜、能谱仪、X型射线衍射仪分析预钎焊金刚石磨粒和复合节块断口的微结构.结果表明:真空炉中预钎焊后金刚石磨粒表面形貌较好,Cu-Sn-Ti合金钎料与金刚石在预钎焊过程中发生了界面元素扩散,形成化学结合界面,Cu-Sn-Ti合金钎料对金刚石的热损伤较小;预钎焊金刚石磨粒的体积浓度为10; ～40;时复合节块抗弯强度达到791MPa以上,高于常规金刚石节块强度;预钎焊金刚石磨粒与金属胎体在烧结过程中发生了界面元素扩散,形成冶金结合,复合节块界面结合强度高.     

扰动因素影响下对修正的OS-EM算法的收敛分析

在扰动因素影响下, 通过引入松弛参数对Ordered-Subsets Expectation-Maximization (OS- EM)算法进行修正. 基于修正迭代的 收敛性, 我们通过修改相应停止规则中的参数得到了一些主要的单调性结果, 进而证明了迭代的 收敛性.     

双核钆混配配合物[Gd(Ts-p-aba)3(phen)]2·2DMF·4.4H2O的合成与晶体结构

采用溶剂热合成法合成了双核钆混配配合物[Gd(Ts-p-aba)3(phen)]2·2DMF·4.4H2O(Ts-p-aba-=N-对甲苯磺酰对氨基苯甲酸根离子,phen=1,10-邻菲罗啉,DMF=N,N-二甲基甲酰胺),并利用红外光谱(FT-IR)、热重分析(TG-DSC)和X-射线单晶衍射等实验手段研究了配合物的组成、结构和性质.X-射线单晶衍射结果表明:该配合物晶体属三斜晶系,P1空间群,晶胞参数是:a=1.10505(12) nm,b=1.74570(18) nm,c=1.78163(19) nm,α=70.321(2)°,β=85.357(2)°,γ=82.600(2)°,V=3.2066(6) nm3,Mr=2633.99,Dc=1.364 g/cm3,Z=1,μ=1.197mm-.6个氧原子和2个氮原子在钆离子周围形成一个变形的反四方棱柱体配位环境.配合物存在着丰富的氢键,将配合物连接成二维层状超分子结构.     

炮体表面瞬态温度分布的散斑干涉测试研究

为了可以实现对炮体表面瞬态温度分布变化的实时监测,同时克服传统瞬态高温测试仪器单点探测以及热惯性大等局限性,设计了基于散斑干涉与光谱频域分析相结合的瞬态温度分布测试系统。系统采用散斑干涉技术将炮体瞬态温度变化引发的微小形变转换成散斑干涉条纹,再由傅氏变换完成干涉条纹形变到光谱分布的函数转换,从而通过光谱分布函数反演任意采样时刻上的温度分布。实验采用ZX-FB1型光纤测温仪测试单点位置上瞬态温度作为标准值,再由555 nm激光器与面阵CCD采集散斑干涉条纹,分别使用图像识别法与傅氏变换法完成干涉条纹与瞬态温度的算法匹配,从而反演瞬态温度。实验结果显示,两种方法均能实现瞬态温度检测,但基于傅氏变换频谱分析的散斑干涉法精度更高,并且可以有效地克服由表面瑕疵、漆面磨损等问题造成的粗大误差。     

Fast preparation and thermal transport property of TiCoSb-based half-Heusler compounds

TiCoSb-based half-Heusler compounds with the substitution of Zr for Ti have been prepared quickly by combining high-energy ball milling method with spark plasma sintering technique, and their thermal transport properties have been investigated. With the increase of the concentration of Zr, the thermal conductivity of Til-xZrxCoSb compounds decreases significantly. Compared with the thermal conductivity of TiCoSb compound, that of Ti0.5Zr0.5CoSb decreases by 200% at 1000 K.[第一段]