《电子技术基础》课程教学的几点思考

《电子技术基础》是学好其他专业课程的基础,它研究电子元器件和电子电路在各种领域的应用,它的发展水平直接影响着各行各业的发展,因此,应帮助学生学好本课程．1联系实际激发学生学习的主动性兴趣是学习的动力,因此在学习之初就必须激发学生的学习兴趣,消除厌学畏难的心理．如在绪论课,给学生介绍日常生活息息相关的电子产品,如电视机、手机、DVD等,同时介绍电子技术在自动控制中的重要性,让学生了解其实用性,激发学习兴趣．再如,在     

YBa2Cu3O7—δ体系CuO2平面外的元素替代效应

制备了123单相的 Y_(1-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7-ε),YBa_(2-x)M_xCu_3O_(7-ε)(M=Sr,Ca)和 YBa_2Cu_(3-x)Co_xO_(7-δ)的系列样品,并测量了 T_c 及载流子浓度 nH.综和其他实验结果如 XAFS、中子衍射、XPS 和 Raman 谱等,总结得到:CuO_2平面外的元素替代使得晶格中 O(4)原子偏离其在 YBa_2Cu_3O_7中的最佳位置,导致部分空穴局域于 Ba 位或 CuO 链,因而降低体系中可动空穴的浓度.在这种情况下体系 T_c 的压制主要源自可动空穴浓度 PH 的减少.对加压情况下的退局域化作用作了讨论.     

基于多向联合交汇的柔性视觉形貌测量新方法

针对大尺寸物体形貌测量应用,设计一种视觉形貌测量新方法。该方法是将两套没有公共视场的单目视觉传感器组合起来联合交汇,分别用于位姿测量和单目多位置交汇测量。位姿测量通过求解PnP问题为单目多位置交汇测量提供位姿信息。单目多位置交汇测量利用位姿测量提供的辅助信息通过光束平差解算出待测物的形貌。分析了系统原理,给出位姿测量PnP算法实现过程,介绍了非公共视场相机的标定方法原理,分析了单目多位置交汇测量的原理并给出实现方法。最后进行了测量方法的验证实验,实验结果表明,在3 m×3 m的工作范围内系统测量精度为5 mm,证明该方法可以用于大尺寸物体形貌测量,且结构简单轻便,具有很强的灵活性。     

等离子辅助镀膜技术

传统的电子束蒸发工艺提供了高速率的沉积，但由于成膜分子的能量较低，使沉积的薄膜排列密度很低，其性能和块材料区别很大，已有不少学者发现了很多金属和氧化物薄膜具有典型的柱状结构，薄膜的低排列密度造成了其光学常数和机械性能不如块状材料，近几年发展起来的高功率等离子体辅助镀膜技术解决了上述问题，本文报道了我国自己研制的等离子体源（GIS）的性能指标，用这个源所做的单层TiO2膜的成膜工艺与质量，以及用等离子辅助沉积的减反射膜的工艺。     

氙灯泵浦钕玻璃放大器储能效率研究北大核心CSCD

按照激光放大器能量传输和转化过程,利用激光速率方程和氙灯辐射方程、光线追迹软件等理论方法和分析计算工具,对氙灯泵浦钕玻璃激光放大器进行储能效率和能量转换环节的理论分析以及定量、半定量计算,系统分析各种能量转化与损耗因素对放大器储能效率的影响。理论研究的成果与放大器实验考核的结果相一致。     

个人中子剂量气泡探测器研制

中子固体气泡探测器被认为是唯一能够满足国际辐射防护委员会ICRP60要求的个人中子剂量计，它具有从低能中子到高能中子的平坦响应曲线和对γ射线不灵敏的优点.本工作将过热液滴均匀地分布在一种软聚合物中，制成了个人中子气泡剂量计,其灵敏度达到每毫雷姆40个气泡.还介绍了个人中子剂量气泡探测器的原理和制作过程.Neutron solid bubble detector was considered as a unique one for meeting the need of the personal neutron dosimeter recommended by International Committee of radiation protection,ICRP60.It has the flat response for neutron from low energy to high energy,and insensitive for gamma rays. In this work,superheated liquid drops were dispersed into a kind of soft polymer homogeneously.A personal neutron bubble dosimeter has been made,and the sensitivity reached to about 40bubbles/mrem.The principle and the processing procedure of bubble detector were also introduced in this paper.     

Nano-scale gap filling and mechanism of deposit-etch-deposit process for phase-change material

Ge2Sb2Te5 gap filling is one of the key processes for phase-change random access memory manufacture.Physical vapor deposition is the mainstream method of Ge2Sb2Te5 film deposition due to its advantages of film quality,purity,and accurate composition control.However,the conventional physical vapor deposition process cannot meet the gapfilling requirement with the critical device dimension scaling down to 90 nm or below.In this study,we find that the deposit-etch-deposit process shows better gap-filling capability and scalability than the single-step deposition process,especially at the nano-scale critical dimension.The gap-filling mechanism of the deposit-etch-deposit process was briefly discussed.We also find that re-deposition of phase-change material from via the sidewall to via the bottom by argon ion bombardment during the etch step was a key ingredient for the final good gap filling.We achieve void-free gap filling of phase-change material on the 45-nm via the two-cycle deposit-etch-deposit process.We gain a rather comprehensive insight into the mechanism of deposit-etch-deposit process and propose a potential gap-filling solution for over 45-nm technology nodes for phase-change random access memory.     

微动开关静,动态过程与电接触过程综合模型及其模拟

以微动开关作为机电元件的典型代表，通过构造其速动机构静态，动态全过程和接触系统全过程有限元模型，并以动态模型为桥梁，将静，动态过程与电接触过程这三类不同问题联为一体，构造了综合模型，仍以ＡＫ型微动开关为例，给出了计算机模拟的综合实例。     

有机染料掺杂玻璃的制备及荧光性能

铅-锡-氟磷酸盐玻璃是各种激光染料及非线性染料的理想基质,本文报道了荧光素及吖啶红掺杂铅-锡-氟磷酸盐玻璃的荧光性能,并且将吖啶红掺入有机改性的钛凝胶(TiO2-Ormosil),对两者的荧光性能进行了比较。