Compton软化过程的扩散方程

本文讨论X射线穿过“冷”等离子体介质时所发生的辐射转移过程,这种由电子-光子散射造成的特殊转移过程被称做Compton软化.文中导出了软化过程的扩散方程式,并指出它在天体物理与辐射物理中的潜在应用.     

关于完备Riemann流形的本性谱

本文证明一类具非负截曲率完备Riemann流形的Laplace算子的本性谱为(0,+∞)。     

具有随机生存域的随机场

本文研究具有随机开参数集的随机场构造,获得了具有已知有穷维分布的随机场存在和唯一性条件。     

熔融LiCl及其急冷非晶键取向序的分子动力学模拟研究

本文进一步讨论了我们新近提出的等近邻数键球谐函数方法,并通过分子动力学模拟研究了熔融LiCl及其急冷过程。对计算机模拟各时间步产生的瞬态构型进行平均,计算了不同温度下键序Q_l谱.将模拟Q_l谱与线性组合模型Q_l谱比较,观察到模拟Q_l谱与含90％局部正四面体结构的组合模型十分相似,表明熔融Licl及其急冷非晶中局部键取向序明显倾向于正四面体序。急冷过程中不同温度下局部键取向序可用同一线性组合模型描述,但模型方差随模拟温度明显变化。方差随温度而降低,且在发生玻璃态转变时有一显著下降。不同温度下的键角分布也作了计算,观察到键角分布在109°(正四面体局部结构键角)附近且分布峰随温度升高而展宽,与键序Q_l得到的结论一致。     

光纤面板传输机理研究(Ⅱ)

本文在文献[1]研究的基础上,建立了光纤面板的结构模型。利用光学信息理论,研究了光纤面板的传输机理。通过分析、计算光纤面板传输的光学信息量,给出了光纤面板传递最大信息量时的最佳结构参数和扩散参量。     

乌桕类可可脂结晶过程中表现体积变化

为了解乌桕类可可脂(CTCBE)缓冷结晶横向胀罐爆裂原因，研究CTCBE结晶过程中的膨胀特性，采用流体静力法测试了不同等温结晶条件下CTCBE结晶形成的表观密度和表观体积及其横纵向膨胀状况。结果表明，CTCBE缓冷结晶后形成外部和中部两个晶区。在5-25℃的各等温结晶范围内，当结晶温度增加时，外部结晶区域减小、表观密度变化不大；中部结晶区域增大、表观密度明显减小，CTCBE的表观体积、横向、纵向膨胀率均增大，膨胀横向大于纵向。进一步表明CTCBE在自然缓冷固化的表观体积根本上由其结晶温度决定。为有效防止横向胀罐，自然缓冷固化温度应低于10℃。     

Least‐squares meshfree method for incompressible Navier–Stokes problems

A least‐squares meshfree method based on the first‐order velocity–pressure–vorticity formulation for two‐dimensional incompressible Navier–Stokes problem is presented. The convective term is linearized by successive substitution or Newton's method. The discretization of all governing equations is implemented by the least‐squares method. Equal‐order moving least‐squares approximation is employed with Gauss quadrature in the background cells. The boundary conditions are enforced by the penalty method. The matrix‐free element‐by‐element Jacobi preconditioned conjugate method is applied to solve the discretized linear systems. Cavity flow for steady Navier–Stokes problem and the flow over a square obstacle for time‐dependent Navier–Stokes problem are investigated for the presented least‐squares meshfree method. The effects of inaccurate integration on the accuracy of the solution are investigated. Copyright © 2004 John Wiley & Sons, Ltd.     

爆磁压缩发生器通过脉冲变压器对脉冲形成线充电的理论分析

 将爆磁压缩等效为电流源的方法，对爆磁压缩发生器通过脉冲变压器对脉冲形成线充电进行了理论分析，得出爆磁压缩发生器在负载上产生电流波形（简称负载电流）为直线情况和任意电流波形情况下充电电流和充电电压的表达式。分析表明变压器耦合互感与负载电流随时间变化增长率是脉冲形成线充电的两个重要参数，脉冲形成线第一个充电电压峰值与变压器的耦合互感和负载电流波形斜率成正比，负载电流波形斜率的变化可以改变充电电压峰值的时间，斜率不断增加可以延长第一个充电电压峰值时间，从而可能增加充电电压的幅值，提高爆磁压缩发生器能量的利用效率。     

The Exact Solutions of Some (2 + 1)-Dimensional Integrable Systems

The equivalence of three (2 1)-dimensional soliton equations is proved, and the quite generalsolutionswitha some arbitrary functions of x, t and y respectively are obtained. By selecting the arbitrary functions, many specialtypes of the localized excitations like the solitoff solitons, multi-dromion solutions, lump, and multi-ring soliton solutionsare obtained.     

硅中铜与电子辐照缺陷的相互作用

本文研究了FZ与CZ硅中铜与电子辐照缺陷的相互作用.实验表明,这种作用使扩铜并经电子辐照的n型FZ硅出现两个未经报道的新的深中心,E(0.043)和E(0.396).前者只存在于FZ硅而不存在于CZ硅.后者在扩铜并经电子辐照的n型FZ和CZ硅中都存在.电子辐照再加适当温度的热处理还可电激活硅中的铜,另外,铜的存在还使硅中双空位的退火温度显著地降低.种种实验表明,在硅中与铜有关的六个主要能级分别对应于六种不同结构的深中心,在这些深中心之中既包含铜又包含点缺陷.其中E(0.043)很可能是铜与间隙硅原子的络合物,而E(0.167)及H(0.411)则很可能是铜与空位的不同形态的络合物.