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采用水合肼(N2H4·H2O)作为还原剂,在液相环境中制备了自掺杂TiO2纳米管阵列(NTs)。利用FE-SEM、EDS、XPS、XRD、Raman、UV-Vis/NIR分光光度法以及半导体特性分析系统(Keithley 4200 SCS)分别对样品的形貌,晶体结构,光学特性以及电学性能进行了表征。结果表明:通过这种方法制备的自掺杂TiO2NTs在带隙中引入了大量的氧空位,创造了氧空位能级,从而提高了样品的电导率,有效提高光生电子-空穴对的产生、分离和传输。此外,由于氧空位的作用,使得TiO2NTs的带隙变窄,增强了可见光吸收能力,致使样品具有较高的光催化活性,并通过降解甲基橙溶液对样品的光催化活性进行评估。结果显示当光照150min后,自掺杂TiO2NTs对甲基橙溶液的降解率达73%,并且这种催化剂便于回收和重复使用。 相似文献
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汽车的横摆角速度对汽车稳定性和安全性有较大影响,针对汽车行驶控制时的抗干扰能力,目前还没有特别有效的汽车横摆角速度控制策略;创新性设计了基于自抗扰控制理论的用于四轮轮毂电动汽车横摆角速度的高性能控制策略;首先分析了汽车横摆角速度控制的动态模型,并通过数学变换,将其转换为二阶自抗扰控制器被控对象的标准形式;再设计双层控制结构,包括直接横摆力矩制定层和转矩分配层;在直接横摆力矩制定层,利用二阶自抗扰控制器计算出控制汽车横摆角速度所需的附加横摆力矩;在转矩分配层,设计了转矩分配算法,利用附加横摆力矩得到4个车轮的指令转矩,进而控制电动汽车横摆角速度;最后,通过Matlab/Simulink和汽车动力学仿真软件CarSim联合仿真验证了所设计控制策略的有效性。 相似文献
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采用水合肼(N2H4·H2O)作为还原剂,在液相环境中制备了自掺杂TiO2纳米管阵列(NTs)。利用FE-SEM、EDS、XPS、XRD、Raman、UV-Vis/NIR分光光度法以及半导体特性分析系统(Keithley 4200 SCS)分别对样品的形貌,晶体结构,光学特性以及电学性能进行了表征。结果表明:通过这种方法制备的自掺杂TiO2NTs在带隙中引入了大量的氧空位,创造了氧空位能级,从而提高了样品的电导率,有效提高光生电子-空穴对的产生、分离和传输。此外,由于氧空位的作用,使得TiO2NTs的带隙变窄,增强了可见光吸收能力,致使样品具有较高的光催化活性,并通过降解甲基橙溶液对样品的光催化活性进行评估。结果显示当光照150 min后,自掺杂TiO2NTs对甲基橙溶液的降解率达73%,并且这种催化剂便于回收和重复使用。 相似文献
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为了保证国民经济持续稳定的发展,国民收入中必须取出一个部分用于积累。而重要的问题是决定每年的国民收入中应分配多少份额用于积累才能使一个长期内的国民总收入的增量达到最大。本文使用统计模型方法讨论了这个问题,建议了一个简单的统计模型,对我国国民经济的宏观控制,提出了几点供参考的意见。 相似文献
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Silicon carbide (SiC) based metal semiconductor field effect transistor (MESFET) is fabricated by using a standard SiC MESFET structure with the application of a dual p-buffer layer and a multi-recessed gate to the process for S-band power amplifier. The lower doped upper-buffer layer serves to maintain the channel current, while the higher doped lower-buffer layer is used to provide excellent electron confinement in the channel layer. A 20-mm gate periphery SiC MESFET biased at a drain voltage of 85 V demonstrates a pulsed wave saturated output power of 94 W, a linear gain of 11.7 dB, and a maximum power added efficiency of 24.3% at 3.4 GHz. These results are improved compared with those of the conventional single p-buffer MESFET fabricated in this work using the same process. A radio-frequency power output greater than 4.7 W/mm is achieved, showing the potential as a high-voltage operation device for high-power solid-state amplifier applications. 相似文献
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A silicon carbide (SiC) based metal semiconductor field effect transistor (MESFET) is fabricated by using a standard SiC MESFET structure with the application of a dual p-buffer layer and a multi-recessed gate to the process for an S-band power amplifier. The lower doped upper-buffer layer serves to maintain the channel current, while the higher doped lower-buffer layer is used to provide excellent electron confinement in the channel layer. A 20-mm gate periphery SiC MESFET biased at a drain voltage of 85 V demonstrates a pulsed wave saturated output power of 94 W, a linear gain of 11.7 dB, and a maximum power added efficiency of 24.3% at 3.4 GHz. These results are improved compared with those of the conventional single p-buffer MESFET fabricated in this work using the same process. A radio-frequency power output greater than 4.7 W/mm is achieved, showing the potential as a high-voltage operation device for high-power solid-state amplifier applications. 相似文献
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