背栅效应对SOI横向高压器件击穿特性的影响

提出一种SOI基背栅体内场降低BG REBULF(back-gate reduced BULk field)耐压技术. 其机理是背栅电压诱生界面电荷，调制有源区电场分布，降低体内漏端电场，提高体内源端电场，从而突破习用结构的纵向耐压限制，提高器件的击穿电压. 借助二维数值仿真，分析背栅效应对厚膜高压SOI LDMOS (>600V) 击穿特性的影响，在背栅电压为330V时，实现器件击穿电压1020V，较习用结构提高47.83%. 该技术的提出，为600V以上级SOI基高压功率器件和高压集成电路的实现提供了一种新的设计思路. 关键词： SOI 背栅 体内场降低 LDMOS     

线性与非线性传热过程的Curzon-Ahlborn热机在任意功率时的效率

热机性能的优化是热力学领域的一个重要问题,而工质与热源之间的传热过程是热机工作时产生不可逆的主要来源.本文在引入功率增益和效率增益两个重要参数的基础上,基于一个简化的Curzon-Ahlborn热机模型并利用合比分比原理,给出了线性与非线性传热过程的热机在任意功率输出时的效率表达式,结合数值计算详细讨论了热机在任意功率输出时的特性.研究表明,参数ξ作为功率增益δP的函数存在两个分支:在第一分支上(不利情形),效率呈现出单调变化特征;在第二分支上(有利情形),效率随着的δP变化是非单调的且有最大值.随着传热指数的增加,热机的工作区域减小,这源于非线性传热过程包含热辐射所致.进一步发现功率-效率关系曲线存在权衡工作点,热机在该点附近工作能够实现最有效的热功转换.研究结果有助于深入理解具有不同传热过程热机的优化执行.     

射频激励二氧化碳激光器功率控制电路原理及设计

所叙述的二氧化碳激光器内部的基本结构。包括功率控制器、射频电路等。通过对功率控制部分的研制使激光器的生产逐步实现国产化。用单片机控制电路的PWM的开关、放大、检测，将放大后的PWM送至射频激励，控制射频电路中的射频信号，从而控制激光器输出光功率的大小。     

AD8307与Atmega8在射频功率测量中的应用

简要介绍了ADI公司生产的对数放大器AD8307及ATMEL公司生产的AVR单片机At-mega8基本特性,同时给出一个应用该器件制作射频功率功率测量计的具体设计方案。     

射频功率对类金刚石薄膜性能的影响

在不同射频功率条件下,实验研究了射频等离子体化学气相沉积类金刚石薄膜的金刚石相分数、光学常数和硬度。利用Raman光谱仪、椭圆偏振仪、数字式显微硬度计分别测试了不同条件下单层类金刚石薄膜的金刚石相分数、光学常数和硬度。实验表明,随着功率的增加,金刚石相的相对分数减少,薄膜的折射率先减小再增加然后减小,射频功率大于910 W时,沉积速率急剧增大。而薄膜的硬度先增加后减小,在射频功率为860 W处获得最大值。     

射频功率对类金刚石薄膜性能的影响

在不同射频功率条件下,实验研究了射频等离子体化学气相沉积类金刚石薄膜的金刚石相分数、光学常数和硬度。利用Raman光谱仪、椭圆偏振仪、数字式显微硬度计分别测试了不同条件下单层类金刚石薄膜的金刚石相分数、光学常数和硬度。实验表明,随着功率的增加,金刚石相的相对分数减少,薄膜的折射率先减小再增加然后减小,射频功率大于910 W时,沉积速率急剧增大。而薄膜的硬度先增加后减小,在射频功率为860 W处获得最大值。     

宽量程智能射频功率检测系统研究

介绍了一种基于数字衰减器HMC274及功率-电压转换芯片AD8362的新型宽量程射频信号功率检测系统;利用微控制器STC12C5A60S2控制HMC274的衰减值,确保被测信号的功率真值在AD8362的线性转换范围内,从而使量程上限提高了31 dB;并通过GSM模块TC35i和LCD显示模块,分别实现了对功率值的远程和近程检测;经过对900 MHz射频信号的实验测试和数据拟合,功率真值量程扩大到了-50～+40 dB,输出灵敏度为50 mV/dBm。     

中国散裂中子源直线射频功率源系统的研制

中国散裂中子源加速器质子束流加速能量为1.6 GeV,重复频率为25 Hz,撞击固体金属靶产生散射中子,一期工程的打靶束流功率为100 kW。直线加速器的设计束流流强为15 mA,输出能量为81 MeV。射频加速和聚束系统包括一台射频四极场加速器、中能束流传输线的两个聚束器、四节漂移管直线加速器加速腔和直线-环束流传输线的一个散束器,与之相对应,共有8个单元在线运行的射频功率源为其提供所需的射频功率。目前,直线射频功率源系统预研项目已全部完成,各项性能参数均已达到设计指标,当前正处在批产安装调试阶段。151013     

中国散裂中子源直线射频功率源系统的研制

中国散裂中子源加速器质子束流加速能量为1.6 GeV,重复频率为25 Hz,撞击固体金属靶产生散射中子,一期工程的打靶束流功率为100 kW。直线加速器的设计束流流强为15 mA,输出能量为81 MeV。射频加速和聚束系统包括一台射频四极场加速器、中能束流传输线的两个聚束器、四节漂移管直线加速器加速腔和直线-环束流传输线的一个散束器,与之相对应,共有8个单元在线运行的射频功率源为其提供所需的射频功率。目前,直线射频功率源系统预研项目已全部完成,各项性能参数均已达到设计指标,当前正处在批产安装调试阶段。151013     

SOI MOSFET转移特性中的深度饱和现象研究

关键词：     

Improved power simulation of AlGaN/GaN HEMT at class-AB operation via an RF drain–source current correction method

A new modified Angelov current–voltage characteristic model equation is proposed to improve the drain–source current（Ids） simulation of an Al Ga N/Ga N-based（gallium nitride） high electron mobility transistor（Al Ga N/Ga N-based HEMT） at high power operation. Since an accurate radio frequency（RF） current simulation is critical for a correct power simulation of the device, in this paper we propose a method of Al Ga N/Ga N high electron mobility transistor（HEMT）nonlinear large-signal model extraction with a supplemental modeling of RF drain–source current as a function of RF input power. The improved results of simulated output power, gain, and power added efficiency（PAE） at class-AB quiescent bias of Vgs =-3.5 V, Vds= 30 V with a frequency of 9.6 GHz are presented.     

A new analytical model for the surface electric field distribution and breakdown voltage of the SOI trench LDMOS

A new analytical model for the surface electric field distribution and breakdown voltage of the silicon on insulator (SOI) trench lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor (LDMOS) is presented. Based on the two-dimensional Laplace solution and Poisson solution, the model considers the influence of structure parameters such as the doping concentration of the drift region, and the depth and width of the trench on the surface electric field. Further, a simple analytical expression of the breakdown voltage is obtained, which offers an effective way to gain an optimal high voltage. All the analytical results are in good agreement with the simulation results.     

散裂中子源漂移管直线加速器功率耦合器的冷测及分析(英)

功率耦合器是中国散裂中子源(CSNS)漂移管直线段(DTL)的关键部件之一,其耦合系数通常通过调节耦合孔尺寸得到,为了确保耦合系数达到设计值,制造了一个冷模进行耦合度的调节。在冷模测量过程中,发现了仅通过改变耦合孔尺寸耦合系数达不到目标值的问题,因此提出了一种与测量结果对比有良好仿真精度的新模型用于分析,并使用该仿真模型分析了PEFP使用的理论及影响耦合度的主要参数。最终耦合度被调节至目标值,正式件的冷测结果也表明其与仿真结果基本相同。     

2 MHz/80 kW离子源射频功率耦合系统的设计

介绍了一种用于大科学工程装置中国散裂中子源(CSNS) 功率升级的RF负氢离子源大功率射频功率耦合系统的研制。主要内容包括射频功率耦合系统的构造, 指标计算分配以及具体实现, 重点阐述了射频功率放大器、隔离变压器、阻抗变压调谐器以及配套的电源、控制和冷却系统的设计, 并对整个系统的结构和热设计提出了工程解决方法。针对离子源功率耦合系统的特点作了细致的分析, 并以此为基础, 研制出了一款输出功率达80kW的射频功率耦合系统产品。     

考虑量子效应的高k栅介质SOIMOSFET特性研究

本文主要研究考虑量子效应的高k栅介质SOIMOSFET器件特性．通过数值方法自治求解薛定谔方程和泊松方程,得到了垂直于SiO2／Si界面方向上载流子波函数及能级的分布情况,结合Young模型,在考虑短沟道效应和高庀栅介质的情况下,对SOIMOSFET的阈值电压进行模拟分析．结果表明：随着纵向电场的增加,量子化效应致使反型层载流子分布偏离表面越来越严重,造成了有效栅氧化层厚度的增加和阈值电压波动．采用高向栅介质材料,可以减小阈值电压,抑制DIBL效应．较快的运算速度保证了模拟分析的效率,计算结果和ISE仿真结果的符合说明了本文的模型精度高．     

射频功率对类金刚石薄膜结构和性能的影响

利用直流-射频-等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅表面制备了类金刚石薄膜，采用原子力显微镜、Raman光谱、x射线光电子能谱、红外光谱和纳米压痕仪考察了射频功率对类金刚石薄膜表面形貌、微观结构、硬度和弹性模量的影响.结果表明，制备的薄膜具有典型的含H类金刚石结构特征，薄膜致密均匀，表面粗糙度很小.随着射频功率的升高，薄膜中成键H的含量逐渐降低，而薄膜的sp3³含量、硬度以及弹性模量先升高， 后降低，并在射频功率为100W时达到最大. 关键词： 等离子增强化学气相沉积 类金刚石薄膜 射频功率 结构和性     

HIRFL高频腔体功率耦合匹配实验研究

 介绍了HIRFL主加速器SSC高频腔体功率馈入耦合匹配系统的研究，实验结果表明，通过改变耦合环角度可更好地实现高频腔体和高频发射机之间的匹配，提高了高频腔体电压和高频发射机的工作效率。     

Study on the RF Power Necessary to Ignite Plasma for the ICP Test Facility at HUST

An Radio‐Frequency (RF) Inductively Coupled Plasma (ICP) ion source test facility has been successfully developed at Huazhong University of Science and Technology (HUST). As part of a study on hydrogen plasma, the influence of three main operation parameters on the RF power necessary to ignite plasma was investigated. At 6 Pa, the RF power necessary to ignite plasma influenced little by the filament heating current from 5 A to 9 A. The RF power necessary to ignite plasma increased rapidly with the operation pressure decreasing from 8 Pa to 4 Pa. The RF power necessary to ignite plasma decreased with the number of coil turns from 6 to 10. During the experiments, plasma was produced with the electron density of the order of 10¹⁶m^–3 and the electron temperature of around 4 eV. (© 2015 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)     

SOI全内反射型光波导电光开关模型研究

根据受抑全反射的光学隧道效应和Ｇｏｏｓ－Ｈａｎｃｈｅｎ位移分析ＳＯＩ全内反射型光波导开关中导模的传输和反射特性。在讨论等离子体色散效应，ｐ－ｎ结大注入效应的基础上，分析了全内反射光波导开关的电学性质。设计了该器件的结构以数和电学参数。