氧化物超导体的热电势率

测量了 YBa_2Cu_3O_(7-x),Tl_2Ba_2Ca_2Cu_3O_(10)和 Bi_(1.5) Pb_(0.5),Ca_2Sr-2Cu_3Oy 等氧化物超导体的热电势率与温度的关系,发现在超导转变前,都有一明显的峰.在温度较高时,热电势率与温度的关系可用 S=AT+B/T 表示,因而,在这些高温超导体中声子曳引热电势不能忽略,存在电-声子相互作用,我们还由热电势数据估计了上述三种氧化物超导体的费米能,它们分别为1.05eV、2.98eV 和3.24eV.     

TlBaCaCuO超导体的热电势率

测量了零电阻温度为114K 的 TlBaCaCuO 超导体的热电势率,结果表明,在150K 以上热电势率与温度的关系可用 S=AT+B/T 表示,说明在这类高温超导体中声子曳引热电势即使在高温区也不能忽略,存在电-声子相互作用.     

NbSe_3的热电势率

测量了NbSe_3从4.2K 到273K的热电势率(S)与温度(T)之间的关系.由 S-T 曲线分析了在相变点附近由于形成 CDW,被破坏的 Fermi 面占总 Fermi 面的百分比α随温度的变化规律.实验发现 S-T 曲线在10K 附近还存在一个峰.     

氧缺位对多相YBaCuO体系热电势率的影响

测量了多相Y Ba Cu O体系的热电势率与温度的关系,结果表明:在高温区热电势率为负,在低温区热电势率为正。由此推断在高温区以电子导电为主,在低温区以空穴导电为主,并且由实验结果推测,空穴导电与氧缺位正相关,即氧缺位越多,越无序,空穴导电的温区越宽。     

氧缺位对单相YBa_2Cu_3O_(7-x)热电势率的影响

研究了氧缺位对单相YBa_2Cu_3O_(7-x)体系超导电性及热电势率的影响。结果表明,超导转变温度随氧缺位的增加而下降,热电势率随氧缺位的增加而增大。由实验结果推断,单相YBa_2Cu_3O_(7-x)的多数载流子为空穴。存在较大的声子曳引热电势表明。在YBa_2Cu_3O_(7-x)超导体中存在较强的电-声子相互作用。     

PTS单晶的低温热电势率

用微分法测量了PTS单晶自77—273K的热电势率,结果表明PTS单晶的热电势率随温度而线性上升,在114K附近其值有突跃,在150K和220K附近其值急剧变小,出现下降峰。     

Y-Ba-Cu-O的电阻与热电势率

在77一310K温区内测量了三个典型的Y-Ba-Cu-O样品的电阻(R)、热电势率(S)与温度(T)的关系,发现R-T曲线与S-T曲线有对应关系,但热电势率对载流子输运过程的反应比电阻灵敏得多。由实验结果可得出结论:Y-Br-Cu-O体系靠近带界处的Fermi面是畸变的,样品的Debye温度远大于300K。     

Nb_3Sn的热电势率

我们测量了Nb_3Sn从4.2K到273K的绝对热电势率,结果表明在18 K以上,Nb_3Sn的热电势率都是正的.在60K左右,观察到由于声子曳引引起的平坦的峰.第一次观察到在超导临界温度附近,热电势率也有一个明显的转变过程.     

毫微晶Pd的热电势率

测量了晶粒尺寸为6.6～23nm 的亳微晶 Pd 从77K 到273K 的热电势率.结果表明,毫微晶 Pd 的热电势率强烈地依赖于晶粒尺寸.我们认为这可能是由于过渡金属 Pd 的电子能带结构或费米能随晶粒尺寸变化所致.     

冷加工对Tl－1223复银超导带性能的影响

研究了冷加工对Ｔｌ－１２２３／Ａｇ超导带性能的影响，用半熔融法制备（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ０．８Ｂａ０．２）２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ。超导粉，经超导粉灌管（ＰＩＴ）的方法制成复合丝后，研究冷轧之前退火与否及道次变形量对带材临界电流的影响，并对不同直径的复合丝进行轧制变形，找出载流能力随最终轧制厚度的变化规律．结果表明：冷拉以后不退火直接轧制，采用大的道次变形量均有利于提高临界电流，各种不同直径的复合丝轧制成的超导带，都有一临界电流最高的厚度范围．本文还从超导层的致密化、银层与超导层的变形协调性等方面对实验现象进行了讨论．     

不同气氛退火对Tl2Ba2CaCu2Ox超导电性的影响

本研究了Ａｒ气和Ｈ２／Ａｒ混合气体退火对Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ（２２１２）超导体超导电性的影响。实验表明，在Ａｒ气中４００℃退火１至１２小时后Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ的Ｔｃ（Ｒ＝０）随退火时间的增长明显降低。Ｘ－光衍射分析证实，在Ａｒ气或Ｈ２／Ａｒ混合气体中退火前后，Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ超导体的结构没有发生变化。     

低温热电势率测量方法和装置的改进

一、引言金属和合金热电势率的测量对研究各种材料在不同状态下的电子输运特性及散射机制有重要的作用。特别是在低温下,更引起人们的浓厚兴趣。近年来,若干作者已介绍了这种测量所用的低温恒温装置的结构。其中[3]应用了浸泡在致冷液池中的高真空恒温器,达到了0.01K的控温精度。但是这种装置对实验条件要求较高,如需高真空泵、低温密封等,所用致     

微分法测量材料热电势率的装置

研制了一套用微分法测量材料在4.2—300k温度范围内的绝对热电势率的装置,给出了康铜和NbSe_3的测量结果。     

低温热偶材料的绝对热电势率

我们测量了国产常用低温热偶材料的绝对热电势率,给出了镍铬、金铁、铜和康铜从4.2到273 K的测量结果.根据材料的热电势率计算了这些热偶材料配对组成的热电偶的热电势率和热电势与温度的关系.结果表明与实验一致.     

对"测量热电偶的热电势率"实验的改进

本介绍了一种数字温度计代替“测量热电偶的热电势率实验”中使用的普通温度计。     

配位微环境对Hg(Ⅱ)-血清白蛋白结构的影响

详细研究了等点附近Ｈｇ－ＨＳＡ或ＢＳＡ体系的紫外光谱。与生理ｐＨ时的谱图相比较，Ｈｇ－ＢＳＡ的２５０ｎｍ附近谱带消失或变弱，而２９０ｎｍ谱带及Ｈｇ－ＨＳＡ的光谱基本不变。这一差异进一步支持了Ｈｇ离子在ＨＳＡ或ＢＳＡ中最可能的结合位置在７对相邻的二硫桥处，金属中心有四面体型ＭＳ４结构的推断。     

ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响

研究了作为缓冲层的ZnO薄膜在不同的退火时间、退火温度下退火对Si衬底上生长ZnSe膜质量的影响。当溅射有ZnO膜的Si(111)衬底的退火条件变化时，从X射线衍射谱（XRD）和光致发光谱（PL）中可见，ZnSe(111)膜的晶体质量有较大的变化。变温的PL谱表明，Si衬底上生长的具有ZnO缓冲层的ZnSe膜的近带边发射峰起源于自由激子发射。     

不同退火条件对纳米多孔氧化铝薄膜光致发光的影响

以草酸为电解液,采用二次阳极氧化法制备出了纳米多孔氧化铝薄膜,经不同退火温度和退火气氛处理氧化铝薄膜后,通过分析其光致发光光谱得出：相同的退火气氛中, 退火温度T≤600 ℃ 时,T=500 ℃具有最大的光致发光强度;退火温度T≥700 ℃时,随着退火温度的升高,样品的发光强度增大。在不同的退火气氛中,多孔氧化铝薄膜随着退火温度的升高,发光峰位改变不同,即在空气中退火处理后,随着退火温度的升高,发光峰位蓝移,而在真空中退火处理后,发光峰位并不随退火温度的升高而变化;通过对1 100 ℃高温退火处理后的氧化铝薄膜的光致发光曲线的高斯拟合,可以看出,经退火处理后的多孔氧化铝,主要存在三个发光中心,发光曲线在350～600 nm范围内对应三个发射峰, 发射波长分别为387,410,439 nm。相同的退火温度下,空气中退火得到的氧化铝薄膜的光致发光强度大于真空中退火处理后的氧化铝薄膜。基于实验结果,结合X射线色散能谱(EDS)、红外反射光谱等表征手段,探讨了多孔氧化铝薄膜的发光机制,并对经过不同退火条件得到的多孔氧化铝薄膜的光致发光特性的改变做出了合理的解释。