中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应

理论研究了平面电磁波通过n型重掺GaAs薄膜的透射谱.当GaAs薄膜两表面刻上亚波长的周期性沟槽结构时,透射谱在中红外波段出现了异常的透射增强现象.把这一现象归因于表面等离子体模式和波导模式的耦合.通过优化结构参数可以得到最大的透射效率.此外,发现随着掺杂浓度的升高,透射谱线中的透射峰逐渐向高频方向移动,最优化后透射峰值随掺杂浓度的升高而逐渐降低.这是由于掺杂浓度的改变,导致了不同的等离子体频率和电子碰撞频率,从而影响了激发模式和薄膜对电磁波的吸收.关键词：表面等离子体掺杂半导体增强透射掺杂调制     

掺杂稀土离子发光动力学模型

研究了发光体系中能量传递对发光时间演化的影响.针对以往各种能量传递模型中存在的问题,同时考虑施主-受主（D-A）能量传递和施主-施主（D-D）能量迁移,将只考虑D-A能量传递的I-H,D-H,V-F模型与考虑到D-D能量迁移的跳跃模型B分别结合起来,建立了I-H-B,D-H-B,V-F-B三种综合模型.采用这些模型对钾冰晶石（elpasolite）体系的施主发光激发态占据概率进行数值模拟,给出不同D、A浓度下及不同D-A,D-D作用强度条件下施主发光的时间演化曲线,发现V-F-B模型给出的曲线最合理.然后关键词：     

非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET的解析模型

为抑制短沟道效应和热载流子效应, 提出了一种非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET新结构. 通过在圆柱坐标系中精确求解三段连续的泊松方程, 推导出新结构的沟道静电势、阈值电压以及亚阈值电流的解析模型. 结果表明, 新结构可有效抑制短沟道效应和热载流子效应, 并具有较小的关态电流. 此外, 分析还表明栅交叠区的掺杂浓度对器件的亚阈值电流几乎没有影响, 而栅电极功函数对亚阈值电流的影响较大. 解析模型结果和三维数值仿真工具ISE所得结果高度符合.     

孤子掺杂光纤放大的半经典模型与分析

建立了孤子掺杂光纤放大的半经典模型，给出了分布放大透明传输的泵浦条件，详细讨论了激发态吸收的影响。文中结果为Ｅｒ＾３＋掺杂光纤孤子放大器的设计提供了重要理论依据。     

双面阶梯埋氧层部分SOI高压器件新结构

提出了双面阶梯埋氧层部分绝缘硅(silicon on insulator,SIO)高压器件新结构. 双面阶梯埋氧层的附加电场对表面电场的调制作用使表面电场达到近似理想的均匀分布, 耗尽层通过源极下硅窗口进一步向硅衬底扩展, 使埋氧层中纵向电场高达常规SOI结构的两倍, 且缓解了常规SOI结构的自热效应. 建立了漂移区电场的二维解析模型, 获得了器件结构参数间的优化关系. 结果表明, 在导通电阻相近的情况下, 双面阶梯埋氧层部分SOI结构击穿电压较常规SOI器件提高58％, 温度降低10—30K.关键词：双面阶梯埋氧层调制自热效应     

HL-2A脉冲步进阶梯调制高压电源控制系统的研制

介绍了HL-2A 上基于脉冲步进阶梯调制(PSM)技术的高压电源控制系统的研究。控制系统以数字信号处理+现场可编程门阵列(DSP+FPGA)为架构,控制112 个每秒采样(SPS)模块,按照一定的控制方式使电源输出稳定的电压。DSP 负责数据传输、通讯、控制算法等;FPGA 利用其强大的逻辑功能输出所需的脉冲。通过对程序的编写、仿真和调试,实验结果表明该控制系统的特性达到了设计要求。     

指数掺杂GaAs光电阴极分辨力特性分析

通过建立和求解指数掺杂阴极中电子所遵循的二维连续性方程,得到了透射式指数掺杂阴极的调制传递函数表达式,并利用该表达式对阴极分辨力特性进行了理论计算和分析.计算结果显示,与均匀掺杂相比,指数掺杂能较明显地提高阴极的分辨力.当空间频率f在100—400 lp/mm范围时,分辨力的提高最为明显,如当f=200 lp/mm时,分辨力一般可提高20%—50%.与量子效率的提高相同,指数掺杂阴极分辨力的提高也是内建电场作用的结果.关键词：指数掺杂内建电场分辨力调制传递函数     

通用的角动量阶梯算符

利用最新发展的非线性代数理论,给出了一般角动量阶梯算符所应满足的代数方程,并具体构造出了这些算符,所构造的北算符能对所有角动量本征态的解量子数和磁量子数起升降作用,具有很好的通用性。     

掺杂有机电致发光中电压调制变色两种机制的探讨

研究两种掺杂电致发光器件聚乙烯基咔唑（PVK）：Rubrene和Alq3:MN-PPV。通过其光致发光及电致发光特性的研究,发现两种器件的光致发光与电致发光有较大差别。分析认为这是能量传递及电致发光中陷阱对载流子吸引的共同作用使得PVK激子在光致发光和电致发光中的复合速率不同造成的;同时发现对于不同浓度的PVK：Rubrene及Alq3:MN-PPV电致发光随电压增加都发生变色现象,但是它们分别是由两种不同的机制造成的：前者作为染料分子Rubrene,不能形成类似Alq3那样的分相体系,Rubrene发光主要来自PVK的能量传递及陷阱电子对PVK空穴的吸引;后者是由于分相造成载流子在两相中的迁移不平衡。     

阶梯型脉冲电压诱导连续能量质子谱数值仿真

 热控涂层质子辐照的地面模拟研究中采用单一能量质子替代空间能量连续分布的质子,连续能量质子谱是其等效性研究的关键。提出了采用阶梯型脉冲负偏压鞘层加速技术在一个脉冲宽度内获得连续能量质子谱的方法,并利用质点网格法对所获得质子谱的剂量-能量关系进行了数值仿真研究,分析了连续能量质子谱的剂量-能量分布特征及连续能量质子谱的形成过程。结果表明:阶梯型脉冲负偏压鞘层加速能够产生连续能量的质子谱,连续谱是每微秒区间入射到样品的质子叠加而成的,且每个区间所产生质子的能量与该区间电压值相对应,连续谱中,随着质子能量的增加,其剂量总体上呈现下降的趋势。     

基于维度调制的准二维蓝色钙钛矿发光二极管

金属卤化物钙钛矿（MHP）作为一种新兴的半导体材料,目前已在光电应用中表现出优异的性能。其中,基于MHP的发光二极管（PeLED）发展迅猛,红光和绿光器件的效率已达到商用水平。然而,蓝光PeLED的效率还远落后于红、绿光器件,这在很大程度上阻碍了PeLED在全彩显示领域中的应用。本文通过调节混合卤素阴离子的比例以及准二维钙钛矿组分来实现基于维度调制的准二维蓝色PeLED制备。首先,我们采用在CsPbBr₃∶PEABr准二维钙钛矿中添加苯乙基氯化胺（PEACl）逐步替换苯乙基溴化胺（PEABr）,实现了发光峰从502nm到476nm的可调制发射。然而,随着PEACl的增加,薄膜中的缺陷及n=1低维相逐渐增多,导致器件效率降低。我们将溴化胍（GABr）引入到CsPbBr₃∶PEACl准二维钙钛矿中,n=1低维相得到了显著的抑制,这有利于激子能量的转移,最终蓝光范围内准二维PeLED性能得到了显著提升。本工作为实现高效蓝光PeLED提供了新的思路。     

Improvement of doping efficiency in Mg-Al0.14Ga0.86N/GaN superlattices with AlN interlayer by suppressing donor-like defects

We investigate the mechanism for the improvement of p-type doping efficiency in Mg-Al0.14Ga0.86N/GaN superlattices(SLs).It is shown that the hole concentration of SLs increases by nearly an order of magnitude,from 1.1×1017 to 9.3×1017cm-3,when an AlN interlayer is inserted to modulate the strains.Schro¨dinger-Poisson self-consistent calculations suggest that such an increase could be attributed to the reduction of donor-like defects caused by the strain modulation induced by the AlN interlayer.Additionally,the donor-acceptor pair emission exhibits a remarkable decrease in intensity of the cathodoluminescence spectrum for SLs with an AlN interlayer.This supports the theoretical calculations and indicates that the strain modulation of SLs could be beneficial to the donor-like defect suppression as well as the p-type doping efficiency improvement.     

高精度连续波速调管调制器

为了满足微波放大器副特性测试需要,研制了高精度电源调制器系统。采用阶梯调制与循环控制相结合的方式,实现了高稳定度输出控制。对调制器的拓扑结构和控制策略进行了分析,并介绍了脉冲步进调制器(PSM)模块和多绕组变压器等关键部件的设计方法。试验结果表明：采用PSM技术的电源调制器电源系统输出指标满足测试要求,能够稳定可靠工作并具备快速保护功能。     

Optimization of Output Properties for Bias Signal-Modulated in a Single-Mode Laser

Defining the quantity K as the signal-to-noise ratio (SNR) and the normalized intensity fluctuation C(0) of a single-mode laser for bias signal modulation driven by color noises with colored correlation, the whole output properties of the laser system is described by K. It is found that there is a maximum in the curves of K versus D, Q, and io. The optimization parameters are gained.     

用弹性模型分析分子马达向前向后运动的概率

通过考虑分子马达kinesin的两个头处于不同的力学化学状态时具有不同的劲度系数,建立了弹性模型并根据玻尔兹曼定律分析了分子马达向前向后的行走概率,得到向前向后运动概率之比与外力的依赖关系,与Carter和Cross的实验结果相吻合.并且还用建立的弹性模型分析了实验上观察到的分子马达单向运动的因为以及在有外力时分子马达...