酞菁铜薄膜的折射率及吸收特性

通过真空镀膜法在单晶硅制备了酞菁铜薄膜，在波长扫描和入射角可变全自动椭圆偏振光谱仪上研究了ＣｕＰｃ薄膜的椭偏光谱并分析了其电子结构。     

亚酞菁薄膜的折射率和吸收特性

通过真空镀膜法在单晶硅片上制备了一种新的严酞菁（三硝基溴硼亚酞菁）薄膜,利用全自动椭圆偏振光谱仪研究了该薄膜的椭偏光谱,测量了其复折射率,复介电常数和吸收系数,估算了薄膜在窗口区域的俘获能级并对其吸收谱的成因作了分析。     

溴代酞菁铜衍生物薄膜的折射率和吸收特性

通过旋涂法在单晶硅片上制备了一系列含有不同数目溴取代基的酞菁铜衍生物：一溴代－四烷氧基酞菁铜（MBTAPcCu），二溴代－四烷氧基酞菁铜（DBTAPcCu），四溴代－四烷氧基酞菁岣（TBTAPcCu）和无溴代－四烷氧基酞菁铜（NBTAPcCu）薄膜，利用同步旋转起偏－检偏器（RAP）型的宽谱扫描全自动椭圆偏振光谱仪测定了上述薄膜的椭偏光谱，获得了该系列薄膜的复折射率、复介电常数和吸收系数，研究了溴取代基对酞菁铜衍生物薄膜光学性质的影响。     

可见光在酞菁钴薄膜介质中吸收和色散的研究

对可见光在酞菁钴（ＣｏＰｃ）薄膜中的折射率、吸收率和吸收系数作了理论计算。理论结果和文献［１］的实验测量值符合得很好。并对光在介质中吸收、色散随频率变化的理论公式作了深入的分析。     

椭偏法测厚及折射率的计算机解算

WJZ型多功能激光椭圆偏振仪是在JJY型分光计上附加激光椭偏装置而组成。兼有分光计和椭偏仪的功能,可用于测量不同基底上介质薄膜的厚度和折射率;除作为高校中级物理实验外,亦可用于材料表面光学参数的分析研究。但是,与原椭偏装置相配用的椭偏仪数据表,只能适用于K_q基底上生长的氧化锆薄膜标准试样,这就实际上限制了椭偏仪的使用范围;另一方面,即使对上述标准试样测量,所获数据往往与数据表提供的数值偏离甚大,直接影响实验效果。经过多次实际试验,本文分析了三相椭偏方程解的特性,讨论了不同条件下椭偏法测厚及折射率的计算机解算。     

酞菁铜薄膜的光记录特性

研究了有机染料酞菁铜（ＣｕＰｃ）真空蒸镀薄膜在可见及近红外区域的吸收光谱和光学常数，发现酞菁铜薄膜在５５０－７５０ｎｍ波长范围内具有较强的吸收，在静态测试仪上测试了酞菁铜薄膜的光存储记录特性，发现用低功率氦氖激光照样品时薄膜反射率变化较大，在酞菁记录层上覆盖金属反射层将提高写入激光的阈值能量并且增大反射率的对比度。     

模拟退火法在吸收薄膜的椭偏反演算法中的应用

将一种广泛用于求解复杂系统优化问题的技术－－模拟退火法－－用来求解椭偏反演方程。首先假设一个薄膜模型，计算出其相应的椭偏参数（Ψ，Δ）的值，在这个计算值的基础上加入不同标准偏差的高斯噪声；然后将加入噪声后的值（Ψm,Δm)作为模拟的测量数据，采用模拟退火算法进行求解，验证得知这种方法求得的薄膜参数很接近于假设的薄膜模型参数的真值，与其他文献的报道结果一致，而且在扩大搜寻范围时，仍然可以得到准确解，从而证明了该方法的可行性以及有效性。     

椭偏与光度法联用精确测定吸收薄膜的光学常数与厚度

介绍了一种同时利用椭偏仪和分光光度计精确测量薄膜光学常数的方法, 并详细比较了该方法与使用单一椭偏仪拟合结果的可靠性.采用可变入射角光谱型椭偏仪（VASE）表征了250—1700 nm波段辉光放电法沉积的类金刚石薄膜,研究发现当仅用椭偏参数拟合时,由于厚度与折射率、消光系数的强烈相关性,无法得到吸收薄膜光学常数的准确解.如果加入分光光度计测得的透射率同时拟合,得到的结果具有很好的惟一性.该方法无需设定色散模型即可快速拟合出理想的结果,特别适合于确定透明衬底上较薄吸收膜的光学常数. 关键词： 光学常数 光谱型椭偏仪 吸收薄膜 透射率     

椭偏与光度法联用精确测定吸收薄膜的光学常数与厚度

介绍了一种同时利用椭偏仪和分光光度计精确测量薄膜光学常数的方法, 并详细比较了该方法与使用单一椭偏仪拟合结果的可靠性.采用可变入射角光谱型椭偏仪（VASE）表征了250—1700 nm波段辉光放电法沉积的类金刚石薄膜,研究发现当仅用椭偏参数拟合时,由于厚度与折射率、消光系数的强烈相关性,无法得到吸收薄膜光学常数的准确解.如果加入分光光度计测得的透射率同时拟合,得到的结果具有很好的惟一性.该方法无需设定色散模型即可快速拟合出理想的结果,特别适合于确定透明衬底上较薄吸收膜的光学常数.     

光谱型椭偏仪精确表征非晶吸收薄膜的光学常数

采用光谱型椭偏仪(SE)和分光光度计分别测量了超薄类金刚石(DLC)薄膜和非晶硅(a-Si)薄膜的椭偏参数(y和D)和透射率T。由于薄膜的厚度与折射率、消光系数之间存在强烈的相关性,仅采用椭偏参数拟合,难以准确得到薄膜的光学常数。如果加入透射率同时进行拟合(以下简称SE+T法),可简单、快速得到薄膜的厚度和光学常数。但随机噪声、样品表面的轻微污染或衬底上任何小的吸收都可能影响SE+T法拟合的光学常数的准确性。因此将SE+T法和光学常数参数化法联用,实现DLC、a-Si薄膜光学常数的参数化,以消除测量数据中的噪声对光学常数的影响。结果显示,联用时的拟合结果具有更好的唯一性,而且拟合得到的光学常数变得平滑、连续且符合Kramers-Kronig(K-K)关系。这种方法特别适合于精确表征厚度仅为几十纳米的非晶吸收薄膜的光学常数。     

Direct Monitoring of Thickness and Refractive Index of Optical Thin Film Deposited on Fiber End-face

We propose a system for depositing thin films on waveguides which enables low-temperature deposition and precise control of the refractive index and film thickness. It is composed of a conventional ion-beam sputtering (IBS) system and a new system for directly monitoring film characteristics during deposition. We controlled refractive indices over a wide range from 1.52 to 1.97 by moving the sputtering targets (SiO₂ and Si₃N₄) in the IBS system. The refractive index or film thickness was in-situ monitored by observing the optical power reflected from the end-face of a monitoring fiber set in the deposition chamber. Antireflection coating films were successfully deposited on a fiber end-face and a laser diode chip facet with low reflectivity from 0.05 to 0.07%. This deposition system is attractive for constructing highly functional optical devices for future photonic networks.     

金属超微粒子-介质复合薄膜(Ag-BaO)的光吸收特性

测量了真空热蒸发沉积法制备的贵金属Ａｇ超微粒子－介质（ＢａＯ）复合薄膜近紫外到可见的吸收光谱。这种薄膜的透射电镜显微像表明，Ａｇ在介质中形成了较均匀的超微粒子，粒径为１５ｎｍ。观察到吸收谱在４１０ｎｍ处有明显的等离子激元共振吸收峰，这是电偶极振荡的吸收。与以往文献的结果做了比较，讨论了吸收光谱对金属微粒尺寸的依赖关系。     

沿膜厚方向的簿膜非均匀折射率及其色散测量

以传统的光学监控法与石英晶体振荡法为基础,在薄膜沉积过程中,同时测量膜片的透过率及膜层的厚度,以及与它们对应的控制波长,并根据三者与折射率之间的关系,由计算机反解出不同膜厚处的折射率——非均匀折射率及不同厚度、不同波长处的薄膜折射率——非均匀色散。同时给出了硫化锌薄膜在水晶石薄膜的测量实例,并进行了分析与讨论。     

纳米BST薄膜的制备及其折射率特性.

" 采用射频磁控溅射法在石英衬底上沉积了纳米BST(Ba0:65Sr0:35TiO3)薄膜．为了制备优质的BST薄膜,借助X射线衍射仪、场发射扫描电镜和原子力显微镜研究了BST薄膜的晶化行为和显微结构．结果显示在衬底温度600 ℃下制备的BST薄膜经700 ℃退火处理后,具有较强的特征衍射峰和极好的晶化．同时还研究了纳米BST薄膜的制备参数和特性,BST薄膜的折射率是由测量的透射谱中获得的．实验结果表明：纳米BST薄膜的沉积参数对其折射率特性的影响是不尽相同的．折射率随着衬底温度的上升而增加;在较低的溅射     

非晶SiO_xN_y薄膜的红外吸收光谱研究

通过改变O和N含量研究了SiOxNy 薄膜中从 6 0 0到 16 0 0cm- 1 范围内的红外吸收谱特征。结果表明 ,起源于单一Si—O、Si—N键的吸收峰在 110 5和 86 5cm- 1 处 ;而随着薄膜中O或N含量的升高 ,位于单一键吸收峰的两侧出现因O—Si—O、N—Si—N的对称和反对称键吸收的左右肩 ;对O—Si—N ,其特征吸收峰位于 10 36和 85 6cm- 1 处。     

非晶态Se薄膜的自发晶化研究

利用真空热蒸镀的方法制备了非晶Se薄膜,测试了稳定的非晶Se薄膜,不稳定的非晶Se薄膜和初始自发晶化的非晶Se薄膜的透射率光谱和拉曼光谱,对透射率光谱曲线进行了拟合,计算了薄膜的厚度和折射率随波长的变化关系。在自我晶化过程中,Se薄膜折射率逐渐增大;随波长增大,折射率则减小,初始自发晶体的Se薄膜中,出现标志Se8环和链的结构,不完整的环和链结构在自发晶化过程中得到了增强。