2H-Nb0.9Ta0.1Se2中磁通涡旋输运的标度行为

测量了2H-Nb_0.9Ta_0.1Se₂单晶样品在不同电流下电压随磁场变化的曲线V(H),并从V(H)曲线得到V(I)数据.使用标度关系V=α(I-I_c)^β进行了拟合,得到了临界电流随磁场I_c(H)和微分电阻随磁场R_d的变化关系.在微分电阻随磁场变化的曲线中,电流较大时,靠近上临界磁场H_c2附近出现一个强峰,而在低电流下,该峰消失.同 关键词： 磁通涡旋 标度定律 临界电流峰效应     

(Bi,Pb)2 Sr2 CaCu2Oy单晶的磁通钉扎研究

我们通过对重Pb掺杂的Bi-2212((Bi,Pb)-2212)单晶磁化性质的测量来研究磁通钉扎性能,发现样品中存在与温度有明显依赖关系的鱼尾效应,且此鱼尾效应不仅体现在磁滞洄线上,还体现在不同磁场下零场冷的M～T曲线的交叠上.同时我们采用非线性磁通蠕动模型,并考虑表面位垒和体钉扎的影响,运用数值模拟分析了样品的磁化性质,结果表明(Bi,Pb)-2212单晶的鱼尾效应源于重Pb掺杂导致样品各向异性的降低所引起的强的体钉扎效应,而高温的磁化性质主要取决于表面位垒的作用.     

Pr离子缺陷对Bi-2223/Ag带材磁通涡旋运动的影响

Pr部分替代Ca可以在Bi-2223的超导层中引起局域缺陷(简称Pr离子缺陷),本文分析了不同含Pr量的Bi-2223/Ag带材在垂直于带面的外场下电阻转变特性,研究了其磁通钉扎势垒的变化规律.结果表明:Pr离子缺陷显著提高了Bi-2223带材的磁通钉扎势垒(U).不同含Pr量样品的磁通钉扎势垒(U)均满足U/(1-T irr/Tc0)(1/Hα的规律,其不同α值反映了样品中不同的磁通蠕动方式.在不含Pr离子缺陷的样品中,磁通主要以双弯结的方式进行蠕动, 含Pr离子缺陷的样品中磁通蠕动主要以直接剪切的方式进行.     

熔融织构YBa2Cu3O7-δ晶体中磁通涡旋锁定转变反常行为研究

通过改变磁场与c轴方向夹角测量了熔融织构YBa₂Cu₃O_7-δ (YBCO)晶体的磁力矩信号响应, 观察到了磁通涡旋系统的锁定(lock-in)转变行为以及锁定转变角正比于外磁场强度的反常现象. 基于Ginzburg-Landau理论和磁通涡旋线Kink结构模型, 对上述锁定转变反常现象进行了分析讨论, 提出了熔融织构YBCO晶体中存在平行于a-b面的延展性关联缺陷结构假设, 导出了锁定转变临界角与温度和磁场之间的关系, 理论分析模型结果与实验测量结果基本符合.     

高压下 MgB2 超导的涡旋动力学研究*

我们首次通过磁弛豫的方法系统研究了高压下 MgB2 样品的磁通钉扎以及涡旋动力学, 测量了其在不同温度和磁场下的磁化强度 M 随时间t 的衰变, 即 M(t) . 根据集体蠕动理论, 明确了高压效应在低磁场时抑制了磁衰变速率, 但在高场下大大的加快了磁衰变. 高压降低了临界电流密度J c 和钉扎能. 另外, 在 MgB2 样品里低场下没有观测到弹性蠕变向塑性蠕变的转变.     

NH_4NO_3掺杂Na~+、K~+、Ag~+、Pb_(2+)晶体相变拉曼峰强行为研究:掺杂效应的标度性

从掺杂晶体（Ｎａ＋、Ｋ＋、Ａｇ＋、Ｐｂ２＋）ｘ（ＮＨ４）１－ｘＮＯ３相变时，拉曼峰强与温度的变化关系着手，深入讨论了掺杂离子的效应，揭示了其中的标度性质。本文分下列章节：（１）前言、（２）实验、（３）ｌｎＩＲ与ｌｎ｜Ｔ－Ｔｃ｜之线性关系、（４）不同振动模对不同掺杂程度的反应、（５）ν１振动模对不同离子掺杂的刻画、（６）‘反转’行为、（７）ｄｃ与Ｍ１／２的线性关系、（８）掺杂效应的标度性、（９）结语     

高温超导体霍尔电阻和霍尔角在涡旋玻璃相变附近的普适标度律及统一霍尔电阻方程

发现了一个钉扎效应影响霍尔电阻ρ_xy和霍尔角θ_H的普适标度律. 同时,根据纵向电阻ρ_xx的扩展幂律形式和对霍尔电导σ_xy的微观分析,给出了一个对有一次或多次霍尔反号的高温超导体都适用的霍尔电阻方程. 关键词： 高温超导体 涡旋玻璃相变 普适标度律 霍尔电阻方程     

改进的双重Q~2重标度模型

提出了改进的双重Q2重标度模型,在保持核动量守恒的条件下,用唯象的方法找到了一套重标度参数公式,建立了重标度参数ξv,ξs及ξg与原子核平均结合能之间的联系.利用该模型所得到的束缚核子内部分子分布函数,对核DIS过程,核Drell-Yan过程和J/Ψ光生过程均给出满意的解释.     

Tb3+离子在固溶体(Y0.9Gd0.1)2O2S和(Gd0.9La0.1)2O2S中的发光

用稀土氧化物硫化法合成了固溶体发光材料(Y0.9Gd0.1)2O2S:Tb和(Gd0.9La0.1)2O2S:Tb,并且用阴极射线和254nm紫外线两种激发方式测试了它们的发光性能.研究了固溶体(Y0.9Gd0.1)2O2S:Tb和(Gd0.9La0.1)2O2S:Tb中Tb3+离子5D3——7FJ和5D4——7FJ的能级跃迁强度随Tb3+离子浓度而变化的关系,以及它们的发光色度随激活剂Tb3+离子浓度的变化,探讨了Tb3+离子的浓度猝灭机理.     

CdS0.1Se0.9纳米晶体共振电光效应

采用电吸收谱(EA)的方法研究了在电场作用下,CdS_0.1Se_0.9纳米晶体光学性质的变化.分析了电场效应的物理机制,电场效应是使纳米晶体的吸收谱展宽和移动.第一激发态对外加电场敏感,而其它激发态不敏感.从电吸收谱上得到电光响应信号幅度与外加电场场强的平方成正比,表明纳米晶体的电光效应是 Kerr效应,具有三阶非线性极化率 χ⁽³⁾.     

大流量涡流二极管内流仿真及高阻特性研究

文中采用雷诺应力模型(RSM)对涡流二极管泵内部流场进行三维数值模拟,阐述涡流二极管内部流场及高阻产生机理,将内部流动近似为Rankine涡并进行验证,分析了切向入口压力变化对流动特性的影响,结果表明,入口操作压力超过一特定限度后中心区域将出现较大的回流现象,这将有助于提高涡流二极管性能.     

THE SIGN REVERSAL AND SCALING RELATIONS OF HALL ANOMALY IN THE MIXED STATE TYPE-II SUPERCONDUCTORS

We present a new model for the anomalous Hall effect in the mixed state of type-II superconductors. In this model we consider the thermally activated motion of the many body correlating vortex lattice system. The sign change of the Hall resistivity is the result of the competition between the motion of effective antivortices and the motion of the pinned vortex lattice together with the interstitial vortices. Within this model many essential experimental results for the complicated Hall effect can be explained.     

涡重联过程中背景涡量增长的机制研究

采用拟谱方法求解N-S方程,直接模拟了两个反向平行涡管的重联过程,考察了各种扰动方式对涡重联的影响,发现了"弧形涡带"现象,着重分析了背景涡量增长的物理机制。     

高温超导Josephson阵列体系中的磁通涡旋势能分布

本从二维Josephson弱连接网络模型出发，讨论了单个磁通涡旋的势能分布，并利用数值分析，得出势能分布表达式，其分布呈余弦曲线，在此基础上，进一步研究了外磁场下的磁通涡旋势能分布，从分布图可以看出，在磁场作用下，势能增加，并随着最小网格单元内的磁通量子数f的不同，能量变化也不一样，但也呈现周期性。     

涡流管能量分离过程实验研究

利用涡流管部分轴线温度测量实验装置,考虑到进气压力和涡流室结构对涡流管能量分离过程的影响,针对不同进气压力和不同涡流室结构的涡流管部分轴线温度分布进行了实验研究。根据实测结果,得到了进气压力及涡流室几何结构对涡流管部分轴线温度分布的影响曲线。在此基础上,根据实验结果并结合热力学原理对涡流管制冷的物理行为作了分析。结果表明:涡流导致涡流室中心区域气流膨胀是涡流管产生制冷效应的一个重要原因。     

三流道喷嘴涡流管能量分离特性的研究

涡流管是一种可以产生冷热分离效应的结构简单的装置,尽管其在结构和操作上非常简单,但管内发生的能量交换过程却极其复杂。以压缩空气作为涡流管的工作介质,对涡流管能量分离特性进行了实验研究,获得了涡流管制热效应、制冷效应与进气压力以及冷流率之间的关系。研究结果表明:在冷流率 μ_c<85％时,喷嘴进口压力愈高,三流道喷嘴涡流管的制冷效应愈好,制热效应也愈好;冷流率愈高,三流道喷嘴涡流管的制冷效应愈差,但三流道喷嘴涡流管的制热效应愈好。     

窄间隙矩形通道内纵向涡有效作用距离初步研究

由于纵向涡发生器(LVG)作用距离远、结构简单、安装高度低,对于一些具有窄间隙通道的换热结构,纵向涡(LV)强化传热有着较强的应用价值。在窄间隙矩形通道水介质条件下应用这种技术时,LV的有效作用距离直接关系到传热强化效率和是否具有推广应用的价值。本文采用数值模拟方法对这一问题进行了模拟,并采用旋涡强度剩余率作为判别依据,结果表明在本文参数范围内,纵向涡有效作用距离为LVG高度的68.3～77.4倍,并且这一范围与Re数关系不大。