ICP—AES直接测定钨产品中杂质元素

本文通过实验详细研究了钨产品中钨基体对杂质元素突出谱线的光谱干扰情况及基体效应，选择了基本步受钨基体干扰的待测元素的分析谱线并利用单纯型加速法优化ＩＣＰ操作条件，建立了一种快速分析钨产品杂质元素的ＩＣＰ－ＡＥＳ法，用本法测定了三氧化钨标准样ＢＹＧ１２０１－２，３，４号样）结果表明所建立的方法灵敏、快速和可靠。     

电弧-AES法测定金属硅中12个杂质元素

用直流电弧粉末法在氩气气氛中摄谱，消除硅带干扰，采用铍为内标，直接测定金属硅中12个杂质元素，此法较化学光谱法具有操作简便、快速，试剂耗量少；较化学法和分光光度法更加优越，能同时测定12个元素，更能反映金属硅的真实含量。     

等离子体发射光谱法测定铝合金中的杂质元素

本文利用高频电感耦合等离子体光谱仪直接测定铝合金中的Fe,Zn,Mg,Mn,Ti,Cr和Cu杂质元素。选择了合适的实验条件,采用背景扣除法进行校正。方法简便、快速,可靠,具有良好的精密度和准确度。相对标准偏差为1．7％－6．3％,回收率为94％－105％。     

工业纯铁中九种杂质元素的光谱分析方法

本文所叙述的方法是将固体工业纯铁在车床或铣床上打平,然后以选好的仪器测量条件,用铁元素作内标,按照自编分析程序在MBS火花发射台的氩气气氛中激发,进行火花原子发射光谱法测定,此法快速、简便,所得分析结果基本与标准值相同,其相对标准偏差RSD≤10%,结果令人满意。     

ICP—AES测定Ta中杂质元素

本文研究了Ｔａ对Ａｌ、Ｃａ等十三种分析元素的干扰情况，列出了Ｔａ干扰其他分析元素的谱线，研究了操作条件变化时的非光谱干扰分布，对非光谱干扰采用优化操作条件的方法消除，并比较了校正光谱干扰的三种方法。     

ICP-AES直接测定锑产品中杂质元素

建立了ICP－AES直接测定锑产品中杂质元素的新方法。在折衷工作条件下锑的浓度低于5mg.mL^-1不干扰测定,As,Au,Fe,Pb,Se的检出限满足分析要求,混合标准回收率94．0－107．1％,相对标准偏差＜5％,结果满意。     

ICP-AES测定高纯碲中11种杂质元素

电感耦合等离子体原子发射光谱法 (ICP- AES)同时测定高纯碲中 11种杂质元素。用离峰扣背景法消除背景干扰 ,检出限能满足高纯碲中杂质元素的测定要求 ,加标回收率在 94 .0 %— 10 8%之间。     

ICP-AES测定高纯氧化钽中13种杂质元素

本文提出了基体匹配校准曲线，ICP－AES法直接测定高纯氧化钽中13种杂质元素的分析方法，并考察了光谱干扰以及基体效应的影响，确定了仪器最佳工作条件。结果表明：各元素的测定下限分别小于或等于0．0005％；相对标准偏差为1．8％－11．3％；回收率为92％－108％。     

火花－AES法测定钢铁中的11种杂质元素

本文所叙述的方法是将固体钢铁样品在车床、铣床上打平，或在磨片机上磨成平面。然后用选好的最佳仪器测量条件，用铁元素做内标，按照自编的分析程序在ＭＢＳ火花发射台的氩气气氛中激发，进行火花原子发射光谱法测定。此法简单、快速，所得分析结果与推荐的标准值基本一致，其相对标准偏差ＲＳＤ≤１０％，测试结果令人满意。     

高纯氧化镧中微量稀土杂质的化学光谱法测定

本文介绍了高纯氧化镧中微量稀土杂质的化学光谱测定，将Ｌａ２Ｏ３通过Ｐ５０７萃淋树脂分离富集，将大量基体分离掉，剩下微量的稀土杂质，用Ｃ粉吸附后加ＫＢＨ４做载体进行光谱测定。本方法可测定９９．９９９９％纯度的Ｌａ２Ｏ３中的微量稀土杂质。     

电感耦合等离子体质谱法测定高纯镉中的杂质元素

采用电感耦合等离子体质谱法测定高纯镉中的杂质元素。讨论了镉基体的谱线干扰,比较了镉基体产生的多原子离子的干扰程度,该干扰按ＣｄＨ、ＣｄＯ、ＣｄＯ２ 、ＣｄＡｒ、ＣｄＯＨ和ＣｄＯＨ２ 顺序递减。研究了不同浓度镉基体对分析物信号的抑制或增强效应,镉的浓度大于０．２５ｇ·Ｌ－ １ 时,对质量数小于１００的分析物的信号强度产生抑制,而对质量数大于１５０ 的分析物的信号强度产生增强,采用８９Ｙ和２０９ Ｂｉ作内标分别克服基体的抑制和增强效应。测定了高纯镉的Ａｓ、Ｂｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｓｒ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｔｈ、Ｖ 和Ｕ 等１６ 个杂质元素,方法的检测限０．００５～０．０５２ μｇ·Ｌ－ １ ,标准加入回收率８２％ ～１０８％ 。     

ICP-AES法测定二氧化铀中16种杂质元素

前言国内外有关UO_2中金属杂质的分析方法,除用化学法及原子吸收法单独测定一些单个杂质元素外,主要是采用一般电弧或火花光源激发的载体分馏发射光谱法,或化学光谱法。近年来随着ICP光源的发展,国内外已逐步开展了用ICP—AES法测定铀化合物中杂质元素的研究。从分离方法看,国外多采用萃取法,而国内近年来多采用萃取色层法,只是所用的     

高纯锗中浅受主的光热电离光谱

在液氦温度附近, 运用傅里叶变换光谱以及与之相连的磁光光谱系统, 对室温电阻率约为50Ω·cm的p型高纯锗样品进行了高灵敏度的光热电离光谱的研究.从实验上确定了高纯锗样品中浅杂质光热电离的最佳温度范围, 在该温度范围内测量了样品的光热电离光谱, 指出该样品中主要杂质为浅受主硼与铝. 对杂质谱线发生分裂的两种原因, 补偿性杂质导致的快速复合以及随机应力等, 进行了分析讨论.     

高纯锗中浅受主的光热电离光谱

在液氦温度附近, 运用傅里叶变换光谱以及与之相连的磁光光谱系统, 对室温电阻率约为50Ω·cm的p型高纯锗样品进行了高灵敏度的光热电离光谱的研究.从实验上确定了高纯锗样品中浅杂质光热电离的最佳温度范围, 在该温度范围内测量了样品的光热电离光谱, 指出该样品中主要杂质为浅受主硼与铝. 对杂质谱线发生分裂的两种原因, 补偿性杂质导致的快速复合以及随机应力等, 进行了分析讨论. 关键词： 高纯锗 光热电离光谱 元素半导体中的杂质和缺陷能级     

原子吸收光谱法测定电解金属锰中微量金属杂质元素

本文用盐酸溶解样品,火焰原子吸收光谱法测定电解金属锰中K,Na,Ca,Mg,Fe,石墨炉原子吸收光谱法测定其中的Cr,Cu,Co,Ni含量。对测定条件进行了实验,找出最佳溶样方法和酸度,对共存元素的干扰有排除亦进行了试验,获得了满意的效果。该法简便、快速、准确,加标回收率为88.9%-108.7%之间,相对标准偏差为0.6%-6.7%,标准曲线法、标准加入法结果与对照结果相吻合,适用于电解金属锰样品金属杂质元素的分析。     

金属铝中杂质元素的测定及其基体影响的研讨

提出了一种能同时测定金属铝中杂质元素Ｃｕ＇Ｍｎ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｖ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｓ的ＩＣＰ－ＡＥＳ分析方法，实验考察了金属铝基体，共存元素、不同溶剂等因素驿分析元素测试结果的影响，选择了仪器最佳工作条件。结果表明，当金属铝基体的纯度为９６．００％－９９．９０％时，分析元素的回收率在９５－１０５．０５之间。相对标准偏差ＲＳＤ均小于０．５％。在金属铝进出口商品检验中已获得满意的结果。