氮化镓纳米粒子的制备及光致发光研究

采用直接氮化法制备出尺寸不同的GaN纳米粒子,分别利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和光致发光（PL）谱测试手段对所制样品进行表征和发光特性的研究。结果表明：所制备的两种GaN纳米粒子直径分别为100 nm和300 nm左右。在GaN纳米粒子的PL谱中,中心在357 nm的发射源于本征发光,中心在385 nm的发射带源于浅施主能级到价带的辐射复合,中心在560 nm左右的发射带源于浅施主能级到深受主能级间的施主-受主对辐射发光。     

正弦式注入下半导体中过剩载流子的相移寿命

本文用单能级复合中心模型,分析了半导体中正弦式注入下过剩载流子的相移寿命与复合中心参数的关系,由此得出了相移寿命与稳态寿命和瞬态寿命的异同:(1)相移寿命与注入频率有关,随频率的增高而减小。(2)低频注入下电子空穴相移寿命相同,并等于瞬态寿命。文中同时讨论了低频注入的条件。     

纳米ZnO薄膜的光致发光性质

利用溶胶－凝胶法制备了纳米ZnO薄膜,室温下测量了样品的光致发光谱(PL)、吸收谱(ABS)、X射线衍射谱(XRD)．X射线衍射(XRD)的结果表明：纳米ZnO薄膜呈多晶状态,具有六角纤锌矿晶体结构和良好的C轴取向．观察到二个荧光发射带,中心波长分别位于395 nm的紫带、524 nm的绿带和450 nm附近的蓝带．证实了纳米ZnO薄膜绿光可见发射带来自氧空位(VO)形成的浅施主能级和锌空位(VZn)形成的浅受主能级之间的复合;450 nm附近的蓝带来自电子从VO的浅施主能级到价带顶或锌填隙(Zni) 到价带顶或导带底到VZn的浅受主能级的复合．     

掺杂半导体中物理参数相互关系的GUI演示

半导体材料中费米能级随温度变化的规律是半导体导电性的中心问题,但费米能级与温度的具体关系复杂,参数多,而且其中费米积分不是人为可以计算出来.本文通过复合辛普森数值计算法处理费米积分,借助于MATLAB强大的矩阵运算能力和GUI界面设计功能,针对N型、P型和混合掺杂情况,设置GUI界面的相关参数,演示费米能级和载流子浓度随温度变化的规律,使学生在半导体物理课程学习中获得更直观和系统的学习体验,显著提高了教师课堂教学效率.     

溶胶-凝胶法纳米ZnO薄膜的绿光发射

利用溶胶-凝胶法制备了纳米ZnO薄膜,室温下测量了样品的光致发光谱(PL)和X射线衍射谱(XRD),观测到中心波长在523 nm附近的绿色荧光发射,研究了纳米ZnO薄膜的绿光发射机制,证实了纳米ZnO薄膜绿光可见发射带来自氧空位(Vo)形成的浅施主能级和锌空位(Vzn)形成的浅受主能级之间的复合。     

BaFCl:Eu~(2+)光激励发光的多隧穿能级模型

基于隧穿对复合发光的思想和位型坐标的原理,在比较了BaFCI:Eu~(2+)导带复合模型和单一隧穿能级模型的基础上,提出了多隧穿能级模型.通过隧穿转移中辐射跃迁衰减理论的推导,给出了利用光激励发光与热激励发光相比较来验证多隧穿能级模型的方法. 关键词：     

非破坏性研究半导体材料特性参数

测量了元素和化合物半导体单晶材料的常温、低温下的表面光电压,推导了有关计算公式,计算得出材料的少子扩散长度、深能级和表面能级位置,禁带宽度和化合物组分;由双能级复合理论,研究了少子扩散长度与深能级的关系,计算了深能级浓度和参数;计算结果与其他方法的测量实验值基本一致. 关键词：     

在复合核30P中与同位旋有关的能级衰变宽度的计算

在高激发复合核中同位旋自由度是否守恒给出复合核中库仑相互作用信息及其对复合核衰变的影响.用H.A.Weidenmuller的统计理论可以算出复合核³⁰P中与同位旋有关的能级衰变宽度.它与Hauser-Feshbach公式的主要不同之处在于对穿透因子和总衰变道数的处理中加进了同位旋耦合,并考虑了与同位旋有关的能级密度.     

猝灭剂对场致发光亮度的影响

在任何一种场致发光粉中尽管人们没有专门掺入猝灭剂,但在其中往往不仅有发光中心,而且也有无辐射复合中心,或者猝灭中心。猝灭中心的数量及其类型决定着辐射复合的量子效率P, 即辐射复合的数量对复合总数之比,并且显然影响着场致发光的亮度。为了简便起见,我们假设在发光粉中只存在一种猝灭中心。 往场致发光粉中附加一些诸如Co,Ni,Fe等典型猝灭剂时,从某一浓度起发光亮度就急剧下降。这些元素的猝灭作用是由二个原因决定的。第一,如果假设在场致发光激发时产生晶格离化[1,2],随后空穴在某种复合中心之间按其浓度Ni和由价带产生的空穴的俘获系数αi分布,那么猝灭中心数量的增加使发光中心上的空穴数减少,因而降低发光亮度。当激发区总的电离数Q0对于猝灭剂浓度不变时这是对的。第二,当正弦激发时在离化结束和复合开始的间隔t内,空穴通过价带在复合中心间重新分布,这一点对猝灭中心有利,因为它的能级E距     

测量半导体中深中心分布的双相关技术

自1974年D.V.Lang[1]提出深能级瞬态谱技术(DLTS)以来,DLTS已经成为研究半导体中深能级杂质,缺陷(以下统称深中心)的物理性质的广泛使用的有效手段.例如,通过DLTS测量可以得到深中心的浓度、俘获截面、能级位置等.1977年 H.Lefeve和 M.Schulz[2]提出了双相关DLTS技术(DDLTS),采用DDLTS技术可以方便地测量半导体中深中心的分布.测量半导体中深中心的分布在许多问题中是很重要的.例如在研究辐射损伤产生的深中心问题中,如果我们测得各个能级在经过不同温度退火过程后的浓度分布,则可判明哪些能级是属于同一个深中心.又如通过测…     

TFEL器件亮度波形的快速过程

研究了TFEL亮度波形的上升与衰减过程,发现除一般的直接碰撞激发外,在发光中心的离导带较近的能级跃迁的发光中还存在另一种非常快的发光过程.通过分析ZnS:Er³⁺、Tin³⁺、Ce³⁺+Nd³⁺等不同样品,我们认为这种快过程属于导带中的慢电子与离化了的发光中心的复合.     

ANALYTICAL MODELING OF THE RECOMBINATION CURRENT IN THE BASE-EMITTER SPACE CHARGE REGION OF HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS

An analytical modeling of the recombination current in the base-emitter space charge region of heterojunction bipolar transistors is derived. The recombination rates as functions of distance in the space charge region are calculated for different hase doping concentrations. The relations between the space charge recombination current and the applied voltage have been determined.     

X射线辐照后BaFC1中缺陷性质的研究

未掺Eu2+的BaFCl粉末样品在80K下经X射线辐照后,在不同的温度条件下(从80K副273K),用580nm的光波激励样品时观测到310nm和380nm的发光峰.经分析认为,样品经X射线辐照后,在晶体中形成两种卤素离子的F-H''心对.当用F心吸收带的光波激励样品时,两种F—H心对衰变成相应的自陷激子态并复合发光.310nm和380nm分别对应于F-离子和Cl-离子的自陷激子的发光,并且它们的发光强度强烈地依赖于温度的变化。     

晶体中稀土离子能级重心的位移

本文从理论上讨论了晶场作用对稀土离子能级重心位移的影响, 具体计算了J 混效应对15 个含Nd 3十离子的晶体中的l-J- 能级重心的位移. 结果指出J 混效应加宽了光谱项-(2s +l)- L由于自旋轨道祸合导致的能级劈裂宽度, 并且与晶体基质的组成、结构有关. 关键词：     

聚合物发光器件中激子的解离与复合效率

对聚合物发光器件中极化子激子的形成与解离过程进行了详细探讨,提出了极化子激子解离的理论模型及解离概率的解析式,分析了激子解离后正、负极化子的输运过程,认为是极化子的链间跃迁实现了聚合物的电导,计算并讨论了内量子效率随外加电场、温度及杂质浓度的变化关系.该模型较好地解释了有关实验现象. 关键词： 聚合物发光器件 极化子激子 激子解离 内量子效率     

金属卟啉在石油加氢脱硫催化剂表面吸附机理的ESR研究

本文用ESR方法研究了金属卟啉在石油加氢脱硫催化剂表面的吸附机理。金属卟啉的模型化合物是VO-TPP,加氢脱硫催化剂是Co-Mo-Al₂O₃体系。VO-TPP在催化剂表面吸附时,由于中心VO²⁺离子相对于表面有两种不同取向,从而可能发生两种不同模式的吸附:中心1吸附和中心2吸附。一般情况下由于催化剂表面化学吸附了供电基团H₂O、OH^-等,只可能发生中心1吸附。催化剂经高温灼烧后,脱除了表面吸附的供电基团,隔绝空气吸附VO-TPP,这时会出现中心2吸附。中心2吸附中卟啉分子与表面的作用比中心1吸附中卟啉分子与表面的作用强。样品暴露空气后,中心2吸附会逐渐转化为中心1吸附。     

复合阶段激光吸收区等离子体的欧拉空间特性

对利用电子传热区与激光吸收区复合机制产生Ｘ光激光的情况进行了比较．研究了激光吸收区等离子体在欧拉空间中的特性，并估计了最佳激光沉积能量，激光吸收区质量．     

劈尖干涉条纹定域的解析研究

得到了劈尖干涉定域中心参量方程和定域深度的解析解,解析地讨论了定域中心和定域深度与入射角、劈尖角、相对折射率、光源位置等物理量的依赖关系.研究的结果对确定清晰的劈尖干涉条纹位置具有指导意义.     

晶体中稀土离子能级重心的位移

本文从理论上讨论了晶场作用对稀土离子能级重心位移的影响,具体计算了J混效应对15个含Nd³⁺离子的晶体中的⁴I_J能级重心的位移。结果指出J混效应加宽了光谱项^2S+1L由于自旋轨道耦合导致的能级劈裂宽度,并且与晶体基质的组成、结构有关。 关键词：     

BaFClxBr1-x：Sm的发光研究

本文报道了BaFClxBr1-x:Sm中Sm2+、Sm3+的光致发光、光激励发光和热释发光特征.讨论了基质组分对发光的影响及Sm2+、Sm3+的相对发光效率.发现Sm2+的复合发光能力大于Sm3+的复合发光能力,并从复合发光的过程及途径对这一现象进行了说明.