热释光谱研究长余辉发光材料的陷阱能级

介绍了热释光剂量计和热释光的基本原理。通过测量长余辉发光材料的热释光谱,并采用一阶动力学近似,可以量化分析长余辉发光材料中的陷阱能级的深度、电荷密度等参数,并可以讨论陷阱能级与长余辉性能的关系,深入理解长余辉过程。     

GaN中与C和O有关的杂质能级第一性原理计算

用局域密度泛函线性丸盒轨道大型超原胞方法(32个原子),对纯纤锌矿结构的GaN用调节计算参数(如原子球与“空球”的占空比)在自洽条件下使Eg的计算值(323eV)接近实验值(35eV).然后以原子替代方式自洽计算杂质能级在Eg中的相对位置.模拟计算了六角结构GaN中自然缺陷以及与C和O有关的杂质能级位置,包括其复合物.计算结果表明,单个缺陷如镓空位VGa、氮空位VN、氧代替氮ON、炭代替氮CN、炭代替镓CGa等与已有的计算结果基本一致.计算结果表明杂质复合物会导致单个杂质能级位置的相对变化.计算了CNON,CGaCN,CNOV和CGaVGa,其中CNON分别具有深受主与浅施主的特征,是导致GaN黄光的一种可能的结构. 关键词： GaN 杂质能级 电子结构     

聚醚酰亚胺纳米复合电介质中指数分布陷阱电荷跳跃输运对储能性能的影响

目前常见聚合物电介质电容器的储能性能在高温下会急剧劣化,难以满足航空航天和能源等领域的需求.为提高介质高温储能性能,常掺杂纳米填料对电介质改性,通过改变电介质内部陷阱参数来调控电荷输运过程,但其内部陷阱的能级和密度与储能性能间的定量关系仍需进一步研究.本文构建线性聚合物纳米复合电介质中指数分布陷阱电荷跳跃输运的储能与释能模型并进行了仿真.纯聚醚酰亚胺在150℃的体积电阻率和电位移矢量-电场强度回线的仿真结果与实验符合,证明了模型的有效性.不同陷阱参数纳米复合电介质的仿真结果表明,增大总陷阱密度和最深陷阱能级,会降低载流子迁移率、电流密度和电导损耗,提升放电能量密度和充放电效率.在150℃和550 kV/mm外施场强下,1.0 eV最深陷阱能级和1×10²⁷ m^-3总陷阱密度的纳米复合电介质放电能量密度和充放电效率分别为4.26 J/cm³和98.93%,相比纯聚醚酰亚胺提升率分别为91.09%和227.58%,显著提升了高温储能性能.本研究为耐高温高储能性能电容器的研发提供了理论和模型支撑.     

判别两个或两个以上深能级是否属于同一中心的方法

本文分别研究了两个或两个以上深能级之间的耦合和非耦合两种情况所对应的光电容瞬态,根据这两种瞬态的本质差别,提出一个判别两个或两个以上深能级是否属于同一深中心的方法。它具有适用于两个以上的多个深能级的样品以及方法简单和测量时间短等优点。作为例子,将它应用于判别硅中和金有关的施主和受主两能级,结果证实它们确实是属于和金有关的同一中心,而不是分属于两个中心。 关键词：     

GaN中的缺陷与杂质

GaN是一种新型的宽禁带半导体兰色发光与激光材料。GaN中的缺陷和杂质对于材料的电学输运特性和发光性能有着至关重要的影响。本文综述了近年来对于GaN中缺陷和杂质的理论与实验研究。包括对天然缺陷与非特意性掺杂的研究,以及对离子注入所产生的缺陷与深能级的研究。     

温度和电压对双层有机发光二极管复合效率的影响

提出了双层有机电致发光二极管ITO/PPV/PBD/Ca复合的理论模型。计算并讨论了温度和电压对其复合效率的影响：在电压为6～7.5 V时,复合效率随温度变化出现两个峰值,但随着电压升高,两峰值相互靠拢,当电压达到9 V时,峰值位置重叠,我们认为这一现象除了浅缺陷能级和深缺陷能级贡献的结果以外,还由于复合区域发生变化引起的。该模型较好地解释了有关实验现象。     

深能级杂质对光导半导体开关非线性特性的影响

建立了非线性GaAs光导开关深能级杂质瞬态模型的基本方程,获得了与实验现象定性吻合的电流输出,给出了平均载流子随时间演化的情况.分析结果表明,在考虑了深能级杂质的俘获、发射和碰撞电离后,有可能对非线性光导开关中发生的一系列现象做出解释,进一步的仔细分析将对非线性光导开关的设计和制作提供理论指导.     

谐振子能级简并度与对称性的关系

本文用群论方法讨论了量子力学中三维各向同性谐振子的能级简并度与对称性的关系，经过运算给出了三维各向同性谐振子具有ＳＵ（３）对称性的结论．     

氢原子能级简并度与对称性的关系

1 能级简并与对称性关系的一般讨论用量子力学处理实际问题时,体系各能级的简并度(或权重)是极为重要的.如何判断一个体系的能级是否简并,量子力学中有一条定理[1]:     

高纯硅中补偿性杂质的光热电离光谱

首先测量了高纯n型硅样品在接近液氦温度区域内随温度变化的光热电离光谱，确定了硅样品的最佳光热电离温度范围. 在该温度范围内，在有本征带隙光照射条件下，测量了样品的高分辨率光热电离光谱，同时观察到了来自主要浅杂质施主磷以及补偿性杂质硼的正信号. 随后，应用外加磁场，对硼的光热电离光谱进行了研究，发现来自硼的光热电离信号，在外加磁场作用下，发生了由正向负信号的转变. 通过对该现象进行分析讨论，排除了该现象是温度效应的可能，指出普遍用来解释补偿性杂质光热电离响应的Darken模型存在不足，而少数载流子快速复合模     

绳子上升与下降时其质心运动规律的分析

从运动学角度分析了提起或放下一根绳子时它的质心的运动情况。     

NdFeB永磁轨道上方YBaCuO块材的悬浮稳定性与场冷位置间关系

如何获得稳定悬浮是高温超导磁悬浮系统的一个重大问题.高温超导体在外磁场中所受的悬浮力和导向力是两个衡量系统悬浮稳定性的重要参数.本文实验研究了场冷情况下NdFeB永磁轨道上方YBaCuO块材在竖直运动和水平运动时所受悬浮力和导向力的情况,并且根据Bean模型开发了数值计算程序用于悬浮力和导向力的计算分析.不同竖直场冷高度下计算值和实验值获得了较好的一致性.实验结果和计算结果都显示出永磁轨道场中高温超导体所受的两个力与其场冷历史有着密切的关系,也就是说超导体的悬浮稳定性受场冷历史影响程度较大.不同的竖直场冷高度,其最大悬浮力的变化趋势和最大导向力的变化趋势相反.较小的水平场冷位置导致了较大的导向力和较大的磁滞.根据上述结果,为了获得较优的悬浮稳定性,本文推荐了可行的场冷高度范围和有效的高温超导体组合方式.     

两体问题的质心速度与一维完全弹性碰撞

将两体问题的质心速度公式应用于一维完全弹性碰撞问题，从而导出一系列有用的结果，既可丰富两体问题的有关内容，又为讨论一维完全弹性碰撞问题，简化其计算提供新的方法。     

DIELECTRONIC RECOMBINATION OF Co-LIKE Ag AND Ta IONS

Ab initio calculations of the rate coefficients for dielectronic recombination (DR) of Co-like Ag and Ta ions are performed based on Cowan's quasi-relativistic multi-configuration Hartree－Fock code. Co-like (3s ²3p⁶3d¹⁰)^-1 configurations and Ni-like (3s²3p⁶3d¹⁰)^-24l4l' autoionization configurations are included in the present calculation. Because of the extensive distribution of autoionization state energy levels, the DR rate coefficients cannot be reproduced or interpolated by a simple analytical formula, such as the Burgess－Merts formula, or the Hagelstein approximation. We propose to use multi-set Hagelstein parameters, which is convenient in practice and can reproduce well the ab initio calculated DR rate coefficients.     

薄透镜组的光心

根据等效光学系统理论和光心的概念及其性质，讨论薄透镜组的光心     

HT6M托卡马克电荷交换复合辐射的测量

 利用光学多道分析仪和单道近紫外系统分别测量了HT6M托卡马克C Ⅵ(207.1nm) 谱线线形分布和时间行为。通过对CⅥ谱线线形和时间行为的分析表明CⅥ谱线来源于电荷交换复合辐射。     

识别TdeV托卡马克等离子体的边界和中心位置

用虚壳原理可以得到TdeV托卡马克等离子体边界、电流中心和X点,用最小二乘法可以确定Glad-Shafranov方程解中的待定参数。用探针测量极向磁场,初始时等离子体电流被看作是线电流,然后被虚壳电流代替。这个虚壳电流在等离子体内部产生负的约束磁场,在等离子体外部产生的磁场与等离子体电流产生的磁场一致,所用的叠代法充分快,可以在两次放电间给出等离子体图象,重建的位形与TV成像非常一致。     

Paul阱内的压缩效应与量子跃迁

处理一个一维Ｐａｕｌ阱系统中的压缩现象与量子跃迁现象，对于阱内的最强压缩态和共振跃迁（一种极不稳定状态）之间的关系作了阐述，并对利用压缩性质在阱内进行精密测量的可能性作了讨论     

GS-222(B)控制中心的设计与研制

本文介绍了光测设备GS-222(B)高速摄影测量系统的控制中心,介绍了控制中心的设计与研制过程中所遇到的问题及解决方法,并通过试验验证,证明这些方法是正确和有效的。     

深能级陷阱对FET的光瞬态特性、等效噪声电流和漏电流升高的影响

本文基于位于准费密能级下深受主陷阱和剩余空穴,在平衡(无光照)和非平衡(有光照)条件下单位时间内空穴浓度变化率的微分方程基础上,导出了指数衰减理论方程,可很好地解释深能级对FET光脉冲瞬态特性的影响,指出了深能级是衰减长尾产生的根本原因,并测定了GaAs MESFET、GaAlAs TEGFET Si JFET的光脉冲瞬态特性,验证了理论模型的准确性。探讨了能级深度E_T等因素对衰减曲线的影响。测定了上述三类器件的等效噪声电压与频率f之间的关系,应用文献[6]的公式得出了相应的等效噪声 关键词：