导体与点电荷之间的相互作用能的一点讨论

不带电荷的导体移到点电荷的静电场中时,导体表面会产生感应电荷.我们证明对任意形状的导体,导体和点电荷之间的相互作用能是点电荷与其镜象电荷之间库仑作用能的1/2,并且对此结果给出一个非常简单的解释.     

与电象有关的相互作用能和相互作用力

本文对与电象有关的相互作用能、相互作用力和真实电荷情况下的相互作用能、相互作用力进行比较，对三个实例作了具体计算。     

线电荷与圆柱导体间的相互作用

利用镜像法,在计算线电荷与接地圆柱导体间的相互作用的基础上,通过增加镜像电荷的方法,进一步分析求解得出了线电荷与绝缘圆柱导体、与电源连接的圆柱导体间的相互作用.     

两块带电导体的相互作用能

导出了两块导体在给定电量，给定电势时和一块给定电量，另一块给定电势时，3种情况下的相互作用能公式，并从电磁场能量和导体有量两个角度来表示互作用能公式，指出带电导体之间的互作用能一般由电势能，导体带电状态改变做功和外电源提供的能量这3部分构成。     

非点电荷之间相互作用能、相互作用力及电势能的讨论

讨论了非点电荷带电体之间的相互作用能、相互作用力、电势能之间的关系     

精确计算TATB分子间相互作用能并重新认识其作用本质

TATB炸药的钝感性质与其分子间强烈的相互作用密切相关,目前尚难以用实验方法直接准确地测定其分子间相互作用能。已发表的理论研究工作受当时计算方法和条件限制,计算结果误差较大、充满矛盾。本文用B3PW91-D3BJ/def2-TZVPP方法优化了TATB二聚体可能存在的六种构型的几何结构并作振动频率分析,发现仅有三种稳定构型,即氢键构型A,堆叠构型B和C,用MP2/def2-TZVPP方法重新优化了这三种构型的几何结构参数,并用于CCSD(T)/CBS方法计算,得到分子间相互作用能分别为A: -6.20,B: -15.45,C: -15.65 kcal/mol,CCSD(T)/CBS计算中发现构型B和C的高级校正项大约是分子间相互作用能的50%,是MP2方法不可能准确预测TATB二聚体堆叠构型分子间相互作用能的原因;本文还用新一代能量分解方法ALMO-EDA分析了TATB分子间相互作用本质,发现对于堆叠构型B和C,除了色散作用之外,静电吸引对决定TATB二聚体中的几何结构十分重要,TATB高能炸药良好的钝感性质起源于其分子间较强静电吸引的驱动和定向,使之形成稳定的堆叠结构,其稳定性来源于色散和静电的协同作用。     

求接地导体感应电荷的一种简便方法

由一道证明题引申出一个命题,对该命题给出了证明;通过几个实例说明应用该命题可以简便地求解某些接地导体的感应电荷.     

连续分布电荷体系电荷元的自能问题

连续分布电荷体系可分割为无穷多个电荷元,系统研究了电荷元的自能问题.利用均匀带电球体和均匀带电圆面的自能公式和夹逼定理,分两步严格证明了连续分布电荷体系电荷元的自能之和为零.第一步,证明自由电荷体系电荷元的自能之和为零;第二步,证明一般电荷体系电荷元的自能之和为零.因此,连续分布电荷体系的电场能就等于电荷元之间的相互作用能.     

导体球壳上感应电荷及空间电场的分布(2)

本文利用镜象法讨论了在不接地导体球壳附近有点电荷时，空间的电场分布和球壳表面上感应电荷的分布。     

导体球壳上感应电荷及空间电场的分布(1)

本文利用镜象法讨论了在接地导体球壳附近有点电荷时，空间的电场分布和球壳表面上感应电荷的分布。     

与电象有关的互作用力及其所作功和互能

通过实例说明,用电场强度和功的定义可以直接计算与电象有关的互作用力、通过平移无限分离二体系的准静态过程中电场力所作的功,并根据功能关系定义了电象情形与真实情形的互能,指出两种情形下在无限分离二体系的过程中电场力所作的功及二体系的互能均不一定是半值关系．     

理论计算中电势能零点的选取对电荷注入的影响

基于紧束缚的Su-Schrieffer-Heeger(SSH)模型,利用非绝热的动力学方法,研究了金属/聚合物结构中电势能零点的选取对电荷注入的影响.理论计算发现,电场越强,电势能零点的选取对电荷注入的影响就越大. 关键词： 电势能 电荷注入 非绝热动力学     

点电荷在拓扑绝缘体和导体中感应磁单极

利用电势和磁标势的第一类零阶贝塞尔函数的公式及拓扑绝缘体材料的本构关系, 推导了点电荷在电介质、 拓扑绝缘体和接地导体三个区域的感应电势及感应磁标势. 研究表明: 点电荷 在电介质、 拓扑绝缘体和接地导体中感应了像电荷和像磁单极; 感应像电荷和感应像磁单极的大小和正负除了与场源电荷、 拓扑绝缘体材料参数等因素有关外, 还与像电荷和像磁单极所处的空间位置有关.     

Revisiting the interacting model of new agegraphic dark energy

In this paper,a new version of the interacting model of new agegraphic dark energy(INADE)is proposed and analyzed in detail.The interaction between dark energy and dark matter is reconsidered.The interaction term Q=bH0ραdeρ1αdm is adopted,which abandons the Hubble expansion rate H and involves bothρde andρdm.Moreover,the new initial condition for the agegraphic dark energy is used,which solves the problem of accommodating baryon matter and radiation in the model.The solution of the model can be given using an iterative algorithm.A concrete example for the calculation of the model is given.Furthermore,the model is constrained by using the combined Planck data(Planck+BAO+SNIa+H0)and the combined WMAP-9 data(WMAP+BAO+SNIa+H0).Three typical cases are considered:(A)Q=bH0ρde,(B)Q=bH0√ρdeρdm,and(C)Q=bH0ρdm,which correspond toα=1,1/2,and 0,respectively.The departures of the models from theΛCDM model are measured by the BIC and AIC values.It is shown that the INADE model is better than the NADE model in the fit,and the INADE(A)model is the best in fitting data among the three cases.     

线电荷和介质圆柱系统的电势分布

用不同方法计算了线电荷和介质圆柱系统的电势分布,并对结果进行了讨论,得出了若干有用的结论.     

非均匀沟道MOS辐照正空间电荷迁移率模型

提出非均匀沟道MOS辐照正空间电荷迁移率模型.借助镜像法导出沟道电离杂质与辐照正空间电荷的二维场和二维互作用势的分布，由此给出非均匀n沟和p沟的迁移率表示式，其解析解与二维仿真值十分吻合.还借助二维仿真器计算均匀沟道MOS辐照正空间电荷迁移率的变化值，其值和文献［2，3］实验数据一致. 关键词： 非均匀沟道MOS 镜像法 二维互作用势