| 声表面波器件用〈110〉取向ZnO薄膜的MOCVD生长 |
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| 引用本文： | 赵佰军,杜国同,王金忠,杨洪军,张源涛,杨小天,马艳,刘博阳,杨天鹏,刘大力.声表面波器件用〈110〉取向ZnO薄膜的MOCVD生长[J].高等学校化学学报,2003,24(10):1750-1752. |
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| 作者姓名： | 赵佰军 杜国同 王金忠 杨洪军 张源涛 杨小天 马艳 刘博阳 杨天鹏 刘大力 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子科学与工程学院,长春,130023 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (批准号 :60 1770 0 7和 60 1760 2 6)，863项目 (批准号 :2 0 0 1AA3 1113 0 )资助 |
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| 摘 要： | Zn O是具有纤锌矿晶体结构的多功能半导体材料 ,它具有 3 .3 7e V的禁带宽度和高达 60 me V的激子束缚能 ,是很有希望的紫外发光材料 .由于具有 c轴的择优取向性 ,因此目前人们的注意力主要集中在对 c轴取向 Zn O薄膜的特性研究上 1～ 3] .但其它取向的 Zn O薄膜也可在某些衬底的特定面上 ,通过特定的条件进行生长 ,如〈1 1 0〉取向的 Zn O薄膜可在特定的条件下生长在蓝宝石 R面衬底上4～ 7] .由于 (1 1 0 )面的 Zn O薄膜具有一些 c轴取向薄膜所不具备或无法比拟的特性 ,如 :机电耦合系数高达6% (C面薄膜的机电耦合系数却不足 1 % )…
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| 关 键 词： | 声表面波器件 ZnO 薄膜 MOCVD 蓝宝石 XRD AFM PL 半导体材料 |
| 文章编号： | 0251-0790(2003)10-1750-03 |
Growth of 〈110〉 Oriented ZnO Films Used for SAWF by MOCVD |
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| ZHAO Bai-Jun,DU Guo-Tong ,WANG Jin-Zhong,YANG Hong-Jun,ZHANG Yuan-Tao,YANG Xiao-Tian,MA Yan,LIU Bo-Yang,YANG Tian-Peng,LIU Da-Li.Growth of 〈110〉 Oriented ZnO Films Used for SAWF by MOCVD[J].Chemical Research In Chinese Universities,2003,24(10):1750-1752. |
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| Authors: | ZHAO Bai-Jun DU Guo-Tong WANG Jin-Zhong YANG Hong-Jun ZHANG Yuan-Tao YANG Xiao-Tian MA Yan LIU Bo-Yang YANG Tian-Peng LIU Da-Li |
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| Institution: | ZHAO Bai-Jun,DU Guo-Tong *,WANG Jin-Zhong,YANG Hong-Jun,ZHANG Yuan-Tao,YANG Xiao-Tian,MA Yan,LIU Bo-Yang,YANG Tian-Peng,LIU Da-Li |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Sapphire SAWF ZnO XRD AFM PL |
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