| 窄带隙Ⅳ-Ⅵ族半导体PbTe(111)的表面氧化及氧的热脱附机理 |
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| 引用本文： | 吴海飞,吴珂,张寒洁,廖清,何丕模.窄带隙Ⅳ-Ⅵ族半导体PbTe(111)的表面氧化及氧的热脱附机理[J].物理化学学报,2012,28(5). |
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| 作者姓名： | 吴海飞 吴珂 张寒洁 廖清 何丕模 |
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| 作者单位： | 1. 绍兴文理学院物理系,浙江绍兴,312000
2. 浙江大学物理系,杭州,310027 |
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| 摘 要： | 利用X射线光电子能谱(XPS)、扫描隧道显微镜(STM)以及低能电子衍射(LEED),对PbTe(111)薄膜的表面氧化及氧的热脱附机理进行了研究.结果表明:PbTe(111)薄膜经500 V Ar+轰击加上250℃高温退火循环处理,可得到呈(1×1)周期性排列的清洁表面.将此清洁表面暴露于大气两天后,表面被氧化形成了PbO2、PbO和TeO2,氧化层的厚度大于2个单原子层(ML),与清洁PbTe(111)表面相比,被氧化的PbTe(111)表面的Te 3d5/2与Pb 4f7/2芯态谱峰的面积比明显减小,表明被氧化的PbTe(111)表面是富Pb的.在热脱附处理过程中,PbO2和TeO2的芯态峰消失,且O1s芯态峰的强度迅速减弱,表明加热处理不仅使PbO2和TeO2发生了分解,同时也使氧发生了脱附,但PbO即使在350℃退火仍吸附于PbTe(111)表面.
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| 关 键 词： | 表面氧化 脱附 PbTe(111) X射线光电子能谱 扫描隧道显微镜 |
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