| 单晶MgO纳米带的生长特性和发光性能 |
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| 引用本文： | 李明吉,王秀锋,李红姬,吴小国,曲长庆,杨保和.单晶MgO纳米带的生长特性和发光性能[J].无机化学学报,2013,29(18). |
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| 作者姓名： | 李明吉 王秀锋 李红姬 吴小国 曲长庆 杨保和 |
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| 作者单位： | 天津理工大学电子信息工程学院薄膜电子与通信器件天津市重点实验室,天津 300384;天津理工大学电子信息工程学院薄膜电子与通信器件天津市重点实验室,天津 300384;天津理工大学化学化工学院,天津 300384;天津理工大学电子信息工程学院薄膜电子与通信器件天津市重点实验室,天津 300384;天津理工大学电子信息工程学院薄膜电子与通信器件天津市重点实验室,天津 300384;天津理工大学电子信息工程学院薄膜电子与通信器件天津市重点实验室,天津 300384 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.50972105);天津市自然科学基金(No.10SYSYJC27700);国家高技术研究发展计划(863)(No.2013AA030801)资助项目。 |
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| 摘 要： | 本文采用直流电弧等离子体喷射化学气相沉积法(DC Arc Plasma Jet CVD),在氢气和氩气的高温等离子体作用下直接分解硝酸镁,在Mo衬底上制备了单晶MgO纳米带,并采用SEM、TEM及XRD等测试手段进行了形貌与结构表征,研究了生长时间对MgO纳米带形貌的影响。结果表明,生长时间为0.5 min时,生长出顶部带有Mo纳米颗粒的“蝌蚪状”MgO纳米带,而整个纳米结构被较多的非晶MgO覆盖;当生长时间增加到2 min时,顶部的Mo纳米颗粒几乎脱落,同时长出若干个纳米带,形成“树枝状”;生长时间进一步增加到5 min时,形成完整的“带状”,其宽度约30～50 nm;而生长时间达到12 min时,纳米带又转变为“棒状”。机理分析表明,Mo催化VLS生长模式和VS生长模式共同作用下生长了MgO纳米带。另外,通过FTIR谱结合PL谱分析了缺陷及其引起的光致发光性能。由于MgO纳米带存在低配位氧离子(OLC2-)空位等结构缺陷,具有紫蓝发光特性,而随着生长时间的增加,结构缺陷变少,随之紫蓝发射峰强度变弱。本文首次采用该方法制备了单晶MgO纳米带,该方法工艺简单,生长速率快,是非常经济、有效和环境友好的方法。
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| 关 键 词： | 直流电弧等离子体喷射CVD MgO 纳米带 光致发光 |
| 收稿时间： | 1/4/2012 12:00:00 AM |
| 修稿时间： | 3/5/2013 12:00:00 AM |
Growth Characteristics of Single-Crystalline MgO Nanobelts and Its Photoluminescence Properties |
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| LI Ming-Ji,WANG Xiu-Feng,LI Hong-Ji,WU Xiao-Guo,QU Chang-Qing and YANG Bao-He.Growth Characteristics of Single-Crystalline MgO Nanobelts and Its Photoluminescence Properties[J].Chinese Journal of Inorganic Chemistry,2013,29(18). |
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| Authors: | LI Ming-Ji WANG Xiu-Feng LI Hong-Ji WU Xiao-Guo QU Chang-Qing and YANG Bao-He |
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| Institution: | Tianjin Key Laboratory of Film Electronic and Communicate Devices, College of Electronics Information Engineering,Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China;Tianjin Key Laboratory of Film Electronic and Communicate Devices, College of Electronics Information Engineering,Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China;College of Chemistry and Chemical Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China;Tianjin Key Laboratory of Film Electronic and Communicate Devices, College of Electronics Information Engineering,Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China;Tianjin Key Laboratory of Film Electronic and Communicate Devices, College of Electronics Information Engineering,Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China;Tianjin Key Laboratory of Film Electronic and Communicate Devices, College of Electronics Information Engineering,Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | DC arc plasma jet CVD MgO nanobelts photoluminescence |
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