|
|||||
|
|
| 二维层状GaTe的晶体结构研究 | |
| 引用本文： | 何杰,王涛,赵清华,王茂,王苗,介万奇.二维层状GaTe的晶体结构研究[J].人工晶体学报,2014(12). |
| 作者姓名： | 何杰 王涛 赵清华 王茂 王苗 介万奇 |
| 作者单位： | 西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(50902114);凝固技术国家重点实验室自主研究课题青年重点项目(94-QZ-2014) |
| 摘 要： | 采用布里奇曼法生长出了化合物半导体GaTe,并对其晶体结构进行研究。利用X射线衍射仪对GaTe粉末和块体试样分别进行测试,确定了其晶体结构。采用透射电子显微镜对二维薄膜GaTe及二维纳米层GaTe进行观测,并结合晶体定向仪对GaTe解理面进行了定向分析。结果表明,二维薄膜GaTe及二维纳米层GaTe分别对应单斜和六方两种不同的晶体结构,并对应不同的解理面。 |
| 关 键 词： | GaTe 布里奇曼法 二维纳米层 解理面 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |