RESEARCH ON CRYSTAL STRUCTURE OF 4—AMINOBENZOPHENONE（ABP）

<正> 4-aminobenzophenone(ABP), (C6H5)CO(C6H4NH2),Mr= 197. 23, monoelinic, space group P21,a= 12. 036 (3), b = 5. 450 (7), c= 8. 299(2) A,β = 97. 86°,V = 539. 32(3) A3,Z = 2,DC = 2. 215,Dm = 1. 209g/cm3,λ(MoKa) = 0. 71073 A,F(000)= 208,μ=0. 722cm-1,R=0. 083,Rw = 0. 084 for 721 observed reflections. There exists a cleavage plane (100) in the crystal ABP.     

二维层状GaTe的晶体结构研究

采用布里奇曼法生长出了化合物半导体GaTe,并对其晶体结构进行研究.利用X射线衍射仪对GaTe粉末和块体试样分别进行测试,确定了其晶体结构.采用透射电子显微镜对二维薄膜GaTe及二维纳米层GaTe进行观测,并结合晶体定向仪对GaTe解理面进行了定向分析.结果表明,二维薄膜GaTe及二维纳米层GaTe分别对应单斜和六方两种不同的晶体结构,并对应不同的解理面.     

钛酸钡单晶沿垂直解理面方向的超高压电响应的研究

研究了钛酸钡单晶沿着解理面的压电响应. 首先发现在钛酸钡单晶中存在着解理面，当垂直 这一解理面方向施加电场时，得到了超过2000pC/N的超高压电常量d33. 而这一d 33值比沿着自发极化方向〈001〉方向施加电场得到的压电常量（d33〈001 〉=87pC/N）高20多倍. 而且，沿此方向在很低电场强度（低于1kV/mm）下得到了高达0 6%的应变值，这一应变值是同等场强下PMN_PT单晶的10倍之多. 这一结果无疑对发展无铅压 电材料驱动器提供了一种新可能. 关键词： 压电响应 解理面 钛酸钡单晶     

硒化镉晶体定向切割方法研究

根据硒化镉(CdSe)晶体结构的特点,发展了一种简便、快捷、准确的定向方法.此法只需观察CdSe晶体解理面上台阶的走向,便可确定CdSe晶体的C轴方向,即解理面上台阶延伸的方向为CdSe晶体的C轴方向,并采用X射线衍射法对结果进行了验证.已知C轴和某一晶面,借助激光正反射技术,可在CdSe单晶体上定向切割出任意所需的晶面.