| 采用两步压强法制备优质微晶硅薄膜 |
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| 引用本文： | 朱秀红,陈光华,刘国汉,丁毅,何斌,张文理,马占洁,郜志华,李志中.采用两步压强法制备优质微晶硅薄膜[J].人工晶体学报,2006,35(6):1203-1208. |
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| 作者姓名： | 朱秀红 陈光华 刘国汉 丁毅 何斌 张文理 马占洁 郜志华 李志中 |
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| 作者单位： | 北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022;兰州大学物理系,兰州,730000 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973)项目(No.G2000028201-1)资助课题 |
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| 摘 要： | 针对氢化微晶硅薄膜吸收系数较低、制备需要较高厚度,从而需要较高沉积速度的问题,考虑到压强对沉积速度及晶化比的重要影响,在分析了单一压强法制备薄膜优缺点的基础上,提出了采用两步法来制备高质量微晶硅薄膜的方法.即先采用高压制备薄膜2min,减小非晶转微晶的孵化层厚度,然后再采用低压制备薄膜18min,提高薄膜的致密度及减小氧含量,最后制备出了光敏性较高,晶化比较大并且光照稳定性也较好的优质氢化微晶硅薄膜.
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| 关 键 词： | 微晶硅 沉积速度 晶化比 孵化层 稳定性 |
| 文章编号： | 1000-985X（2006）06-1203-06 |
| 收稿时间： | 04 25 2006 12:00AM |
| 修稿时间： | 2006-04-25 |
Preparation of High-quality Hydrogenated Microcrystalline Silicon Thin Films Using Two-step-pressure Method |
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| ZHU Xiu-hong,CHEN Guang-hua,LIU Guo-han,DING Yi,HE Bin,ZHANG Wen-li,MA Zhan-jie,GAO Zhi-hua,LI Zhi-zhong.Preparation of High-quality Hydrogenated Microcrystalline Silicon Thin Films Using Two-step-pressure Method[J].Journal of Synthetic Crystals,2006,35(6):1203-1208. |
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| Authors: | ZHU Xiu-hong CHEN Guang-hua LIU Guo-han DING Yi HE Bin ZHANG Wen-li MA Zhan-jie GAO Zhi-hua LI Zhi-zhong |
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| Institution: | 1. College of Materials Science and Engineering, Beijing University of Technology, Beijing 100022, China; 2. Department of Physics, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | microcrystalline silicon deposition rate crystalline volume fraction incubation layer photostability |
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