| 非致冷In0.53Ga0.47 As/InP红外探测器研究 |
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| 引用本文： | 缪国庆,殷景志,金亿鑫,蒋红,张铁民,宋航.非致冷In0.53Ga0.47 As/InP红外探测器研究[J].人工晶体学报,2005,34(6):1056-1058. |
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| 作者姓名： | 缪国庆 殷景志 金亿鑫 蒋红 张铁民 宋航 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,长春,130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,长春,130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,长春,130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,长春,130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,长春,130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,长春,130033 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目（No.50132020）;国家自然科学基金面上项目（No.50372067）资助 |
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| 摘 要： | 采用LPMOCVD技术生长了InGaAs红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元器件,光谱响应范围为0.90～1.70μm,在1.95V偏压下,暗电流为5.75×10-5A,在反向偏压为-5V时,电容为6.96×10-12F.探测器波段探测率为2.08×1011cmHz1/2W-1.
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| 关 键 词： | 金属有机化学气相沉积 铟镓砷 探测器 |
| 文章编号： | 1000-985X（2005）06-1056-03 |
| 收稿时间： | 07 14 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005-07-14 |
Study on Uncooled In0.53 Ga0.47As/InP Infrared Detectors |
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| MIAO Guo-qing,YIN Jing-zhi,JIN Yi-xin,JIANG Hong,ZHANG Tie-min,SONG Hang.Study on Uncooled In0.53 Ga0.47As/InP Infrared Detectors[J].Journal of Synthetic Crystals,2005,34(6):1056-1058. |
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| Authors: | MIAO Guo-qing YIN Jing-zhi JIN Yi-xin JIANG Hong ZHANG Tie-min SONG Hang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOCVD InGaAs detector |
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