非致冷In0.53Ga0.47 As/InP红外探测器研究

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (6): 1056-1058.

非致冷In0.53Ga0.47 As/InP红外探测器研究

缪国庆;殷景志;金亿鑫;蒋红;张铁民;宋航

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,长春,130033

出版日期:2005-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家高技术研究发展计划(863计划)(50132020);国家自然科学基金(50372067)

Study on Uncooled In0.53 Ga0.47As/InP Infrared Detectors

MIAO Guo-qing;YIN Jing-zhi;JIN Yi-xin;JIANG Hong;ZHANG Tie-min;SONG Hang

Online:2005-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用LPMOCVD技术生长了InGaAs红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元器件,光谱响应范围为0.90～1.70μm,在1.95V偏压下,暗电流为5.75×10-5A,在反向偏压为-5V时,电容为6.96×10-12F.探测器波段探测率为2.08×1011cmHz1/2W-1.

中图分类号:

TN304

缪国庆;殷景志;金亿鑫;蒋红;张铁民;宋航. 非致冷In0.53Ga0.47 As/InP红外探测器研究[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(6): 1056-1058.

MIAO Guo-qing;YIN Jing-zhi;JIN Yi-xin;JIANG Hong;ZHANG Tie-min;SONG Hang. Study on Uncooled In0.53 Ga0.47As/InP Infrared Detectors[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2005, 34(6): 1056-1058.

[1]	张育民;王建峰;蔡德敏;徐俞;王明月;胡晓剑;徐琳;徐科. 氢化物气相外延生长氮化镓单晶衬底的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 1970-1983.
[2]	姜元希;刘南柳;张法碧;王琦;张国义. 氮化镓单晶衬底制备技术发展与展望[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2038-2045.
[3]	冯淦;孙永强;钱卫宁;陈志霞. 4H-SiC半导体同质外延生长技术进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2128-2138.
[4]	程红娟;金雷;武红磊;齐海涛;王增华;史月曾;张丽. AlN单晶生长行为研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2200-2205.
[5]	胡继超;王曦;贾仁需;蒲红斌;陈治明. 偏4°4H-SiC同质外延层上新形貌三角形缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2206-2210.
[6]	胡德巍;唐安江;唐石云;韦德举;田合鑫. 硅纳米线的制备及应用研究进展[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(9): 1743-1751.
[7]	刘欢;朱如忠;龚建超;王琦琨;付丹扬;雷丹;黄嘉丽;吴亮. 高温退火工艺对直流反应磁控溅射制备蓝宝石基氮化铝模板的影响[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1541-1547.
[8]	周浩;徐俞;曹冰;徐科;王钦华. 石墨烯上外延GaN薄膜的取向演变研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(5): 794-798.
[9]	刘兵;蒲红斌;赵然;赵子强;鲍慧强;李龙远;李晋;刘素娟. 高品质6英寸N型4 H-SiC单晶生长研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(4): 570-575.
[10]	靳果;朱清智. p型G aSb窗口层在热光伏电池中的应用研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(4): 638-645.
[11]	兰天平;边义午;周春锋;宋禹. VGF法半绝缘GaAs单晶EL2浓度优化研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(3): 412-416.
[12]	何海英;冯秋浴;陈宇;杨至灏. Mg-N阴阳离子共掺杂SnO2的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(2): 234-238.
[13]	王汐璆;庄文昌;张凯惠;付博;贾志泰;罗新泽. 化学气相沉积法制备氧化镓纳米线[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(12): 2174-2178.
[14]	贺广东;王琦琨;雷丹;龚建超;黄嘉丽;付丹扬;吴亮. 物理气相传输法生长1英寸AlN单晶及其表征分析[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(9): 1604-1607.
[15]	牛楠楠;左然. AlN的MOCVD生长中表面吸附的量子化学研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(7): 1268-1274.