| Ge覆盖层诱导晶化多晶Si薄膜的晶化特性研究 |
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| 引用本文： | 邓书康,董国俊,杨晓坤,刘虹霞,侯德东,李明.Ge覆盖层诱导晶化多晶Si薄膜的晶化特性研究[J].人工晶体学报,2015,44(2):420-424. |
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| 作者姓名： | 邓书康 董国俊 杨晓坤 刘虹霞 侯德东 李明 |
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| 作者单位： | 云南师范大学太阳能研究所,教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室,昆明650500 |
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| 基金项目： | 国家国际科技合作专项项目(2011DFA62380);云南省自然科学基础研究项目(2010DC053) |
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| 摘 要： | 采用电子束蒸发技术在衬底温度为180℃条件下生长具有Ge覆盖层的非晶Si薄膜,并于500℃、600℃、700℃真空退火5h.采用Raman散射、X射线衍射(XRD)、全自动数字式显微镜等对所制备薄膜的晶化特性进行研究.结果表明,Ge覆盖层具有诱导非晶Si薄膜晶化的作用,且随着退火温度的升高a-Si薄膜晶化越显著.具有Ge覆盖层非晶薄膜经500℃退火5h沿Si(400)方向开始晶化,对应晶粒尺寸约为4.9 nm.将退火温度升高到700℃时,非晶硅薄膜几乎全部晶化,晶化多晶Si薄膜在Si(400)方向表现出很强的择优取向特性,晶粒尺寸高达23.3μm.与相同条件下制备的无Ge覆盖层的非晶Si薄膜相比,晶化温度降低了300℃.
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| 关 键 词： | 多晶硅薄膜 电子束蒸发 非晶硅 Ge诱导晶化 |
Study on the Crystallization Properties of Poly-Si Films Induced Crystallization by Ge Capping Layer |
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| DENG Shu-kang;DONG Guo-jun;YANG Xiao-kun;LIU Hong-xia;HOU De-dong;LI Ming.Study on the Crystallization Properties of Poly-Si Films Induced Crystallization by Ge Capping Layer[J].Journal of Synthetic Crystals,2015,44(2):420-424. |
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| Authors: | DENG Shu-kang;DONG Guo-jun;YANG Xiao-kun;LIU Hong-xia;HOU De-dong;LI Ming |
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| Institution: | DENG Shu-kang;DONG Guo-jun;YANG Xiao-kun;LIU Hong-xia;HOU De-dong;LI Ming;Key Laboratory of Renewable Energy Advanced Materials and Manufacturing Technology,Ministry of Education,Solar Energy Research Institute,Yunnan Normal University; |
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| Abstract: | |
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