| 拓扑材料γ-PtBi2的变温晶体结构研究 |
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| 引用本文： | 张世车,刘威,杨萌,林宇,冯娅,石友国,Kenya Shimada,杨晓峰,Darren C Peets,何少龙.拓扑材料γ-PtBi2的变温晶体结构研究[J].核聚变与等离子体物理,2022(S1):114-119. |
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| 作者姓名： | 张世车 刘威 杨萌 林宇 冯娅 石友国 Kenya Shimada 杨晓峰 Darren C Peets 何少龙 |
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| 作者单位： | 1. 中北大学理学院;2. 中国科学院宁波材料技术与工程研究所;3. 中国科学院物理研究所;4. 福建省先进高场超导材料与工程协同创新中心;5. 福建师范大学物理与能源学院;7. 德累斯顿工业大学材料物理研究所;8. 中国科学院大学材料科学与光电工程中心 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划(2016YFA030060,2017YFA0303600,2017YFA0302901,2019YFA0300604)； |
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| 摘 要： | 利用X射线衍射（XRD）、角分辨光电子能谱（ARPES）和能带计算的方法研究了不同温度下γ-PtBi2的晶体结构。利用单晶XRD确定了室温下晶体的结构为P31m。为了确定低温时样品的晶体结构，用ARPES测得了样品的电子结构并与计算结果进行了对比，结果显示样品的结构与P31m相吻合，这表明在低温时样品依然保持P31m结构。进一步的高温XRD研究表明，在高温时样品的晶体结构仍为P31m结构。
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| 关 键 词： | 拓扑 X射线衍射 晶体结构 角分辨光电子能谱 |
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