| 应变对纤锌矿结构GaN电子结构及光学性质的影响 |
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| 引用本文： | 温淑敏,姚世伟,赵春旺,王细军,李继军.应变对纤锌矿结构GaN电子结构及光学性质的影响[J].计算物理,2020,37(1):119-126. |
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| 作者姓名： | 温淑敏 姚世伟 赵春旺 王细军 李继军 |
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| 作者单位： | 1. 内蒙古工业大学理学院, 内蒙古 呼和浩特 010051;2. 上海海事大学文理学院, 上海 201306;3. 乌兰察布广播电视台, 内蒙古 集宁 012000 |
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| 基金项目： | 内蒙古自治区自然科学基金;国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 使用第一性原理密度泛函理论（DFT）框架下的广义梯度近似（GGA+U）方法计算单轴应变对纤锌矿结构GaN的键长、差分电荷密度、电子结构以及光学性质的影响.结果表明：带隙随应变的增加而减小，压应变在（-1%~-3%）范围内变化时带隙变化不明显，压应变超过3%时带隙随应变的增大显著减小.光学性质研究表明，应变对介电函数虚部峰的位置和大小都产生影响，静态介电常数随应变的增大而增大；应变使GaN的吸收系数减小.
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| 关 键 词： | 氮化镓 应变 电子结构 光学性质 第一性原理 |
| 收稿时间： | 2018-09-29 |
| 修稿时间： | 2019-01-05 |
Effect of Strain on Electronic Structure and Optical Properties of Wurtzite GaN |
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| WEN Shumin,YAO Shiwei,ZHAO Chunwang,WANG Xijun,LI Jijun.Effect of Strain on Electronic Structure and Optical Properties of Wurtzite GaN[J].Chinese Journal of Computational Physics,2020,37(1):119-126. |
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| Authors: | WEN Shumin YAO Shiwei ZHAO Chunwang WANG Xijun LI Jijun |
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| Institution: | 1. College of Science, Inner Mongolia University of Technology, Hohhot, Inner Mongolia 010051, China;2. China College of Arts and Sciences, Shanghai Maritime University, Shanghai 201306, China;3. Wulanchabu Radio-TV Station, Jining, Inner Mongolia 012000, China |
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| Abstract: | Effects of strain on electronic structure and optical properties of wurtzite GaN are studied by using generalized gradient approximation (GGA+U) under first-principles density functional theory (DFT). It shows that the bandgap decreases with increase of strain. The decrease of band gap is small as compressive strain is less than 3%. Strain has an effect on dielectric function imaginary part. With increase of strain, static dielectric constant increases and absorption coefficient decreases. |
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| Keywords: | GaN strain electronic structure optical properties first-principles |
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