| F原子吸附TiO_2:Mn(001)稀磁半导体薄膜电子结构和磁性的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 李祥然,李丹,王春雷,牛原,赵红敏,梁春军.F原子吸附TiO_2:Mn(001)稀磁半导体薄膜电子结构和磁性的第一性原理计算[J].计算物理,2014(1). |
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| 作者姓名： | 李祥然 李丹 王春雷 牛原 赵红敏 梁春军 |
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| 作者单位： | 北京交通大学物理系; |
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| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费专项资金(2011JBZ013,2009JBM105,2009JBZ019);国家国际科技合作专项(21174016)资助项目 |
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| 摘 要： | 利用第一性原理方法计算Mn离子掺杂纯净TiO2(001)和F原子吸附的TiO2(001)薄膜的形成能、态密度和磁矩.F原子吸附明显降低TiO2∶Mn薄膜体系的形成能.F原子的吸附导致Mn离子的磁矩减小,而表面O原子的磁矩增大.表面O原子的磁矩主要来源于O原子p x和p y轨道的自旋极化,研究表明表面吸附F原子更有利于Mn离子的掺杂,在一定程度上有利于获得结构稳定的铁磁态半金属特性的TiO2∶Mn薄膜.
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| 关 键 词： | 第一性原理计算 稀磁半导体 TiO () 自旋极化 态密度 |
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