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Experimental clarification of orientation dependence of germanium PMOSFETs with AlzO3/GeOx/Ge gate stack
Authors:
Yun Quan-Xin
Li Ming
An Xia
Lin Meng
Liu Peng-Qiang
Li Zhi-Qiang
Zhang Bing-Xin
Xia Yu-Xuan
Zhang Hao
Zhang Xing
Huang Ru
and Wang Yang-Yuan
Institution:
Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China
Abstract:
germanium, metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, orientation
Keywords:
germanium
metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
orientation
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