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| 氢稀释对FTS沉积a-Si∶H薄膜结构特性的影响 | |
| 引用本文： | 于威,李彬,郭少刚,詹小舟,丁文革,傅广生.氢稀释对FTS沉积a-Si∶H薄膜结构特性的影响[J].光子学报,2012,41(3):307-310. |
| 作者姓名： | 于威 李彬 郭少刚 詹小舟 丁文革 傅广生 |
| 作者单位： | 于威:河北大学 物理科学与技术学院 河北省光电信息材料重点实验室, 河北 保定 071002 李彬:河北大学 物理科学与技术学院 河北省光电信息材料重点实验室, 河北 保定 071002 郭少刚:河北大学 物理科学与技术学院 河北省光电信息材料重点实验室, 河北 保定 071002 詹小舟:河北大学 物理科学与技术学院 河北省光电信息材料重点实验室, 河北 保定 071002 丁文革:河北大学 物理科学与技术学院 河北省光电信息材料重点实验室, 河北 保定 071002 傅广生:河北大学 物理科学与技术学院 河北省光电信息材料重点实验室, 河北 保定 071002 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(No. 60878040)和河北省自然科学基金(No. E2009000208)资助 |
| 摘 要： | 采用对靶磁控反应溅射技术,以氢气作为反应气体在不同的氢稀释比条件下制备了氢化非晶硅薄膜.利用台阶仪、傅里叶红外透射光谱、Raman谱和紫外-可见光透射谱测量研究了不同氢稀释比对氢化非晶硅薄膜生长速率和结构特性的影响.分析结果发现,利用对靶磁控溅射技术能够实现低温快速沉积高质量氢化非晶硅薄膜的制备.随着氢稀释比不断增加,薄膜沉积速率呈现先减小后增大的趋势.傅里叶红外透射光谱表明,氢化非晶硅薄膜中氢含量先增大后变小.而Raman谱和紫外-可见光透射谱分析发现,氢稀释比的增加使氢化非晶硅薄膜有序度和光学带隙均先增大后减小.可见,此技术通过改变氢稀释比R能够实现氢化非晶硅薄膜结构的有效控制. |
| 关 键 词： | 对靶磁控溅射 非晶硅 氢含量 有序度 光学带隙 |
| 收稿时间： | 2011/9/26 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |