| 1.55 μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器 |
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| 引用本文： | 韩勤,彭红玲,杜云,倪海桥,赵欢,牛智川,吴荣汉.1.55 μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器[J].光子学报,2006,35(4):549-551. |
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| 作者姓名： | 韩勤 彭红玲 杜云 倪海桥 赵欢 牛智川 吴荣汉 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验室,超晶格国家重点实验室,北京100083 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目
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科技部科研项目
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国家科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 利用低温（200℃）生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1.55 μm谐振腔增强型（RCE） 光电探测器，对其光电特性进行了分析、研究.无光照0偏压下探测器暗电流为8.0×10－12A；光电流谱峰值波长1563 nm；响应谱线半宽4 nm, 具有良好的波长选择性.
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| 关 键 词： | 探测器 LT-GaAs 谐振腔增强 分布布喇格反射镜 |
| 收稿时间： | 2005-01-03 |
| 修稿时间： | 2005年1月3日 |
1.55 μm Low-temperature-grown GaAs Resonant Cavity Enhanced Photodetector |
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| Han Qin,Peng Hongling,Du Yun,Ni Haiqiao,Zhao Huan,Niu Zhichuan,Wu Ronghan.1.55 μm Low-temperature-grown GaAs Resonant Cavity Enhanced Photodetector[J].Acta Photonica Sinica,2006,35(4):549-551. |
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| Authors: | Han Qin Peng Hongling Du Yun Ni Haiqiao Zhao Huan Niu Zhichuan Wu Ronghan |
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| Institution: | State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics,National Laboratory for Superlattices and Microstructures Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083 |
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| Abstract: | 1.55 μm resonant cavity enhanced photodetector was fabricated using low-temperature grown GaAs as the absorption layer. Its electrical and optical characteristics were investigated. Under 0 V bias without incident light the dark current was 8 X 10-11 A,the peak wavelength of the photocurrent was 1563nm with fullwidth at half maximum(FWHM) 4 nm. |
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| Keywords: | Detector LT-GaAs RCE DBR |
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