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| P掺杂正交相Ca_2Si电子结构及光学性质的第一性原理计算 | |
| 引用本文： | 岑伟富,杨吟野,范梦慧,邵树琴.P掺杂正交相Ca_2Si电子结构及光学性质的第一性原理计算[J].光子学报,2014,43(8):816003. |
| 作者姓名： | 岑伟富 杨吟野 范梦慧 邵树琴 |
| 作者单位： | 岑伟富:贵州民族大学 理学院, 贵阳 550025 杨吟野:贵州民族大学 理学院, 贵阳 550025 范梦慧:贵州民族大学 理学院, 贵阳 550025 邵树琴:贵州民族大学 理学院, 贵阳 550025 |
| 基金项目： | 贵阳市科学技术基金(No.LKM［2011］30)、贵州省科学技术联合基金项目(No.LKM［2011］30)、贵州省优秀科技教育人才省长专项资金项目(No.［2011］74)、教育部科学技术研究重点项目(No.210200)资助 |
| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论第一性原理超软贋势平面波方法系统计算了Ca2Si及P掺杂Ca2Si的电子结构、光学性质,分析了P掺杂对Ca2Si的能带结构、电子态密度、光学性质的影响.计算结果表明:掺入P后Ca2Si的能带向低能方向偏移,禁带宽带为0.557 95eV,价带主要由Si的3p,P的3p以及Ca的4s、3d电子构成,导带主要由Ca的3d电子贡献.通过能带结构和态密度分析了P掺杂正交相Ca2Si的复介电函数、折射率、反射谱、吸收谱和能量损失函数,结果表明P掺杂增强了Ca2Si的光利用率,说明掺杂能够有效改变材料电子结构和光电性能,为Ca2Si材料光电性能的开发、应用提供理论依据. |
| 关 键 词： | 电子结构 光学性质 第一性原理 CaSi 掺杂 |
| 收稿时间： | 2013/11/18 |
Electronic Structure and Optical Properties of Orthorhombic P-doped Ca2Si Calculated by the First-principles |
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| Abstract: | |
| Keywords: | Electronic Structure Optical Properties First Principle Ca2Si Doped |
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