| 用于闪光照相的1MV Rod-Pinch二极管辐射特性 |
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| 引用本文： | 陈林,周良骥,任靖,李晔,吴守东,谢卫平,李成刚,计策,邓建军.用于闪光照相的1MV Rod-Pinch二极管辐射特性[J].中国物理 C,2008,32(Z1):320-322. |
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| 作者姓名： | 陈林 周良骥 任靖 李晔 吴守东 谢卫平 李成刚 计策 邓建军 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院流体物理研究所，中国工程物理研究院流体物理研究所，中国工程物理研究院流体物理研究所，中国工程物理研究院流体物理研究所，中国工程物理研究院流体物理研究所，中国工程物理研究院流体物理研究所，中国工程物理研究院流体物理研究所，中国工程物理研究院流体物理研究所，中国工程物理研究院流体物理研究所 绵阳 621900，绵阳 621900，绵阳 621900，绵阳 621900，绵阳 621900，绵阳 621900，绵阳 621900，绵阳 621900，绵阳 621900 |
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| 摘 要： | Rod-Pinch二极管(RPD)在小尺度闪光照相方面具有良好的应用前景. 根据理论方面的研究结果以及实验室具备的驱动源装置水平, 设计了相应结构的RPD, 并在1MV工作电压下开展了较为详细的性能实验研究. 最终在二极管轴向(0°方向)1m处得到的X光剂量为1.21rad—1.45rad. 对于阳极直径为1mm的二极管, 其X光焦斑直径仅为0.8mm—1.1mm. X光信号的脉宽为18.1ns—27.5ns. 研究表明RPD将是一种用于小尺度闪光照相的理想的X光源.
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| 关 键 词： | RPD 闪光照相 X光剂量 焦斑直径 阻抗 |
| 收稿时间： | 2008-1-11 |
Characterization of the Rod-Pinch Diode at 1MV as a Radiography Source |
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| CHEN Lin.Characterization of the Rod-Pinch Diode at 1MV as a Radiography Source[J].High Energy Physics and Nuclear Physics,2008,32(Z1):320-322. |
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| Authors: | CHEN Lin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | rod-pinch diode flash radiography dose spot size impedance |
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