| Si离子注入和H等离子体处理对单晶Si中空腔生长的影响研究 |
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| 引用本文： | 刘昌龙,E.Ntsoenzok,D.Alquier.Si离子注入和H等离子体处理对单晶Si中空腔生长的影响研究[J].中国物理 C,2004,28(9):1013-1016. |
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| 作者姓名： | 刘昌龙 E.Ntsoenzok D.Alquier |
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| 作者单位： | 天津大学理学院物理系，CERI/CNRS，3A rue de la Férollerie，45071 Orléans Cedex 2，France，IMP/STMicroelectronics，16 rue Pierre et Marie 天津300072 |
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| 基金项目： | 天津大学留学回国人员启动资金资助~~ |
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| 摘 要： | 室温下首先采用160keVHe离子注入单晶Si样品到剂量5×1016ions/cm2,部分样品再接受80keVSi离子辐照到较高的剂量5×1015ions/cm2或接受高密度H等离子体处理.应用透射电镜观测分析了800℃高温退火引起的空腔的形成形貌.结果表明,附加Si离子辐照或H等离子体处理会影响Si中空腔的生长.就Si离子附加辐照而言,由于辐照引入富余的间隙子型缺陷,因此,它会抑制空腔的生长,而高密度H等离子体处理则有助于空腔的生长.定性地讨论了实验结果.
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| 关 键 词： | 单晶Si He离子和Si离子注入 H等离子体处理 空腔 透射电镜 |
| 收稿时间： | 2003-11-27 |
Effects of Si Ion Implantation and H Plasma Treatment on the Growth of Cavities in Silicon |
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| LIU Chang-Long , E.Ntsoenzok D.Alquier.Effects of Si Ion Implantation and H Plasma Treatment on the Growth of Cavities in Silicon[J].High Energy Physics and Nuclear Physics,2004,28(9):1013-1016. |
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| Authors: | LIU Chang-Long ENtsoenzok DAlquier |
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| Institution: | LIU Chang-Long 1,1) E.Ntsoenzok2 D.Alquier 3 1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | crystalline silicon He and Si ion implantation H plasma treatment cavities transmission electron microscopy |
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