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1.
Cr靶电流对Cr改性类石墨薄膜摩擦磨损性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用闭合场非平衡磁控溅射离子镀设备,在不同Cr靶电流参数下制备Cr改性类石墨薄膜,测试了薄膜的硬度、结合强度、摩擦系数和比磨损率,采用扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察薄膜的显微结构.结果表明:改变Cr靶电流不仅能够改变薄膜的化学成分,而且能够改变薄膜的显微结构;随着Cr靶电流增加,薄膜的断口出现纤维状结构,并逐渐发展为柱状结构;Cr的加入使得类石墨薄膜形成周期性层状结构;在干摩擦条件下,随着Cr靶的电流增加,GLC膜的摩擦系数先减小而后增大;当载荷较小时,薄膜的比磨损率随Cr靶电流的增加而增大,载荷较大时薄膜的比磨损率变化不大.化学成分和显微结构的变化引起GLC膜硬度和韧性的变化,从而改变了薄膜的摩擦磨损性能. 相似文献
2.
将Mg粉、Zr粉和B粉按比例混合获得Mg1-xZrxB2(x=5%10%和20%),压制成型后,在流通氩气的条件下于800℃烧结2h.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)分析烧结后样品的显微结构和化学组成,采用差热分析(DTA)观察Zr掺杂对MgB2分解温度的影响,并用物性测试仪(PPMS)测试样品的超... 相似文献
3.
We investigate femtosecond laser direct writing (FLDW) in the fabrication of magneto-optical (MO) microstructures. The experimental results show that FDLW can introduce positive refractive index change in the MO materials. With the increase of the writing intensity of femtosecond laser pulses, refractive index change increases, whereas Verdet constant of the damaged area decreases nonlinearly. With suitable writing intensity, we obtain a single-mode waveguide in which Verdet constant is 80% of the bulk MO glass. 相似文献
4.
5.
Due to the low absorption contrast of plant tissues, traditional x-ray radiography has not been included in the microscopic techniques used in the identification of traditional Chinese medicines (TCMs). With the development of x-ray phase contrast imaging (XPCI) in recent years, weakly absorbing materials could also be imaged by x- rays. Here we investigate microstructures of TCMs utilizing XPCI based on a nano-focus x-ray tube. The results demonstrated that XPCI is capable of revealing the microstructures of TCMs used as judging criteria in the identification of TCMs. The major advantages of the new method are nondestructivity, no special demand for sample preparation and suitability for thick samples. 相似文献
6.
采用体视显微镜和偏光显微镜,对比观察了耀州窑北宋青瓷白色中间层和唐代、五代青瓷化妆土之间的微观结构.结果显示,在体视显微镜下中间层和化妆土层均为白色薄层,但在偏光显微镜下明显可见化妆土层,未见中间层.并探讨了这些现象与二者的化学组成和形成机理的关系. 相似文献
7.
8.
利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)~ 10 ,即Er的原子体浓度为~ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,随着Si注量增大 ,退火态样品表面硅含量增多 ,热氧化硅含量减少。反射式高能电子衍射 (RHEED)和原子灵敏度因子法 (AFM)研究表明 ,样品表面没有大量Er析出或铒硅化物形成 ,退火后表层中Si外延再生长、有针状微晶硅颗粒形成。在 77K及室温下 ,研究了Er掺杂富硅热氧化SiO2 /Si薄膜的近红外区 1 5 4μm附近光致发光光谱 相似文献
9.
10.