| 体硅、SOI及DSOI MOSFET器件级电、热分析 |
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| 引用本文： | 梁新刚,刘宏伟.体硅、SOI及DSOI MOSFET器件级电、热分析[J].工程热物理学报,2003,24(3):487-489. |
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| 作者姓名： | 梁新刚 刘宏伟 |
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| 作者单位： | 清华大学工程力学系,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学重点基金资助项目(No.59995550-1) |
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| 摘 要： | 利用简化的半导体电学方程,数值模拟获得了各种电学参数的分布,并结合简化电阻模型,模拟了体硅、SOI及DSOI的MOSFET器件的温度场。结果表明MOSFET器件的沟道,特别是靠近漏的区域电场强度及电流密度等各项电、热特性参数在该区域变化剧烈,是最主要的热源区。
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| 关 键 词： | MOSFET 热模拟 电模拟 |
| 文章编号： | 0253-231X(2003)03-0487-03 |
| 修稿时间： | 2002年11月26 |
NUMERICAL SIMULATIONS OF ELECTRICAL AND THERMAL DISTRIBUTIONS OF SI,SOI AND DSOI MOSFETS |
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| LIANG Xin-Gang LIU Hong-Wei.NUMERICAL SIMULATIONS OF ELECTRICAL AND THERMAL DISTRIBUTIONS OF SI,SOI AND DSOI MOSFETS[J].Journal of Engineering Thermophysics,2003,24(3):487-489. |
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| Authors: | LIANG Xin-Gang LIU Hong-Wei |
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| Abstract: | The electrical parameter distributions in Si, SOI and DSOI MOSFETs are simulated with simplified electrical equations and the temperature distributions are obtained either based on the electrical current distributions. The results show that the channel and its vicinity, especially near the drain where all parameters change sharply, is the most important part that determines the performance of the MOSFETs. |
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| Keywords: | MOSFET thermal simulation electrical simulation |
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