| Ce掺杂6H-SiC电子结构和光学性质的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 邹江,周婷艳,熊中刚,曾丽娟,吴波.Ce掺杂6H-SiC电子结构和光学性质的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2020,37(2):267-271. |
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| 作者姓名： | 邹江 周婷艳 熊中刚 曾丽娟 吴波 |
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| 作者单位： | 遵义师范学院物理与电子科学学院,遵义师范学院物理与电子科学学院,桂林航天工业学院,遵义师范学院物理与电子科学学院,遵义师范学院物理与电子科学学院 |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对未掺杂及Ce掺杂6H-SiC的电子结构和光学性质进行理论计算.计算结果表明,未掺杂6H-SiC是间接带隙半导体,其禁带宽度为2.045 eV,掺杂Ce元素,带隙宽度下降为0.812 eV.未掺杂6H-SiC在价带的低能区,Si-3s、C-2s电子轨道对态密度的贡献较大,在价带的高能区,主要是由Si-3p、Si-3s、C-2p态组成.掺杂后Ce原子的4f轨道主要贡献在导带部分,掺杂后电导率提高.未掺杂时,只有一个介电峰,是价带电子跃迁到导带电子所致,掺杂后有两个介电峰,第一个介电峰是由于导带电子跃迁到Ce原子4f轨道上产生,第二个峰是价带电子向导带电子跃迁产生.未掺杂6H-SiC,在能量为10.31 eV处吸收系数达到最大值,掺杂后在能量为6.57 eV处,吸收系数达到最大值.
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| 关 键 词： | 第一性原理 掺杂 6H-SiC 电子结构 光学性质 |
| 收稿时间： | 2019/4/19 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2019/5/14 0:00:00 |
First principles study of electronic structures and optical properties of Ce doped 6H-SiC |
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| Zou Jiang,Zhou Ting-Yan,Xiong Zhong-Gang,Zeng Li-Juan and Wu Bo.First principles study of electronic structures and optical properties of Ce doped 6H-SiC[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2020,37(2):267-271. |
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| Authors: | Zou Jiang Zhou Ting-Yan Xiong Zhong-Gang Zeng Li-Juan and Wu Bo |
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| Keywords: | First Principles Doped 6H-SiC Electronic Structure Optical Properties |
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