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| 在GaAs(001)衬底上的分子束外延生长及直径2英寸Hg_(xl)Cd_xTe膜的特性 | |
| 引用本文： | M. D. Lange,S. Sivananthan,X. Chu,J. P. Faurie,陈林,李挥东.在GaAs(001)衬底上的分子束外延生长及直径2英寸Hg_(xl)Cd_xTe膜的特性[J].应用光学,1990(6). |
| 作者姓名： | M. D. Lange S. Sivananthan X. Chu J. P. Faurie 陈林 李挥东 |
| 摘 要： | 在GaAs(100)衬底上用分子束外延法生长出了2英寸直径的Hg_(1-x)Cd_xTe膜。这些膜都是在(100)和(111)B晶向上生长的并且都具有两种导电类型。这些膜的特性用电子衍射、红外吸收以及范德堡直流霍尔测量值来表征。它们的表面从中央到边缘有光泽且似镜面。这些膜的Cd浓度(x)非常均匀,其标准偏差相当子平均值(x)的0.7％,它们的厚度在0.6％之间是均匀的。这些膜 |
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