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PtSi超薄膜厚度的一种检测方法研究
引用本文:刘爽,宁永功,张毅,张怀武,陈艾,刘俊刚,杨家德,李昆.PtSi超薄膜厚度的一种检测方法研究[J].物理学报,2001,50(8):1447-1450.
作者姓名:刘爽  宁永功  张毅  张怀武  陈艾  刘俊刚  杨家德  李昆
作者单位:(1)材料工程研究所,新加坡119260; (2)电子科技大学信息材料工程学院,成都610054; (3)重庆光电技术研究所,重庆400060
摘    要:介绍了采用角分辨X-射线光电子解谱(angle resolved X-ray photoelectric spectrum(ARXPS))测试薄膜不同角度光电子能谱强度,计算电子平均自由程,从而计算出PtSi超薄膜厚度的方法,并给出其透射电子显微镜(TEM)晶格象验证结果.实验表明该方法简单易行,适用于其他超薄膜厚度的测量 关键词: PtSi超薄膜 小角度X射线电子能谱 TEM晶格象

关 键 词:PtSi超薄膜  小角度X射线电子能谱  TEM晶格象
收稿时间:2000-12-15
修稿时间:2000年12月15

STUDY ON A METHOD OF THE THICKNESS MEASUREMENT OF ULTRA-THIN PtSi FILM
LIU SHUANG,NING YONG-GONG,ZHANG YI,ZHANG HUAI-WU,CHEN AI,LIU JUN-GANG,YANG JIA-DE and LI KUN.STUDY ON A METHOD OF THE THICKNESS MEASUREMENT OF ULTRA-THIN PtSi FILM[J].Acta Physica Sinica,2001,50(8):1447-1450.
Authors:LIU SHUANG  NING YONG-GONG  ZHANG YI  ZHANG HUAI-WU  CHEN AI  LIU JUN-GANG  YANG JIA-DE and LI KUN
Abstract:Based on X-ray photoelectron spectrum intensity measurements of thin film by ARXPS, a method of determination of the thickness of PtSi ultra-thin films through calculations of electrom mean free path, is described in this article.The result of calculation is in agreement with that of the TEM crystal lattice images analysis.It shows that the method is convenient and can be used to determine the thickness of other ultra-thin films.
Keywords:ultra-thin PtSi film  ARXPS  TEM crystal lattice images
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