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| 反位缺陷对碳化硅纳米管电子结构和光学性质影响研究 | |
| 引用本文： | 宋久旭,杨银堂,郭立新,王平,张志勇.反位缺陷对碳化硅纳米管电子结构和光学性质影响研究[J].物理学报,2012,61(23):446-451. |
| 作者姓名： | 宋久旭 杨银堂 郭立新 王平 张志勇 |
| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学理学院,西安710071 西安石油大学电子工程学院,西安710065 2. 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安710071 3. 西安电子科技大学理学院,西安,710071 4. 西北大学信息科学与技术学院,西安,710127 |
| 基金项目： | 中国博士后科学基金，陕西省教育厅自然科学基金( |
| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算对含有反位缺陷（5,5）单壁碳化硅纳米管的电子结构和光学性质进行了研究.纳米管进行结构优化的结果显示,CSi缺陷在纳米管表面形成了凹陷,SiC缺陷形成了凸起;反位缺陷在纳米管的导带底附近形成了缺陷能级,使纳米管表现出n型导电的特点,由价带顶到缺陷能级的跃迁,在垂直和平行于纳米管管轴方向上形成了新的介电峰. |
| 关 键 词： | 碳化硅纳米管 反位缺陷 电子结构 光学性质 |
Investigation on influence of antisite defects on electronic structure and optical properties of silicon carbide nanotube |
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| Song Jiu-Xu,Yang Yin-Tang,GuoLi-Xin,Wang Ping,Zhang Zhi-Yong.Investigation on influence of antisite defects on electronic structure and optical properties of silicon carbide nanotube[J].Acta Physica Sinica,2012,61(23):446-451. | |
| Authors: | Song Jiu-Xu Yang Yin-Tang GuoLi-Xin Wang Ping Zhang Zhi-Yong |
| Institution: | (4)) 1)(School of Science,Xidian University,Xi’an 710071,China) 2)(School of Electronic Engineering,Xi’an Shiyou University,Xi’an 710065,China) 3)(Key Laboratory of Ministry of Education for Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices,School of Microelectronics,Xidian University, Xi’an 710071,China) 4)(Information Science and Technology Institution,Northwest University,Xi’an 710127,China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | silicon carbide nanotube antisite defects electronic structure optical properties |
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