| Al/GaAs表面量子阱界面层的原位光调制反射光谱研究 |
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| 引用本文： | 袁先漳,缪中林.Al/GaAs表面量子阱界面层的原位光调制反射光谱研究[J].物理学报,2004,53(10):3521-3524. |
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| 作者姓名： | 袁先漳 缪中林 |
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| 作者单位： | (1)温州师范学院物理与电子信息学院，温州 325027; (2)中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家实验室，上海 200083 |
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| 基金项目： | 河南省自然科学基金（批准号：0111050400）资助的课题. |
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| 摘 要： | 用分子束外延（MBE）方法在GaAs表面量子阱上外延生长不同厚度的Al层，以超高真空下的原位光调制光谱（PR）作为测量手段，研究Al扩散形成的表面势垒层对于GaAs表面量子阱中带间跃迁峰位和峰形的影响.根据跃迁峰的变化，采用有效质量近似理论计算出了Al和GaAs 的互扩散长度为0.5nm，这是半导体工艺中的一个重要常数.
关键词：
Al
GaAs
原位光调制反射光谱（PR）
分子束外延（MBE）
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| 关 键 词： | Al GaAs 原位光调制反射光谱（PR） 分子束外延（MBE） |
| 收稿时间： | 2003-10-17 |
In-situ photo-modulated reflectance study on the interface of Al and GaAs surface quantum well |
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| Yuan Xian-Zhang and Miao Zhong-Lin.In-situ photo-modulated reflectance study on the interface of Al and GaAs surface quantum well[J].Acta Physica Sinica,2004,53(10):3521-3524. |
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| Authors: | Yuan Xian-Zhang and Miao Zhong-Lin |
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| Abstract: | We have studied the optical properties of the interface of Al and GaAs surface quantum well by in-situ photoreflectance (PR) spectroscopy in a molecular beam epitaxy (MBE) system. The intermixing of Al and GaAs surface quantum wells forms an Al_xGa_(1-x)As barrier layer on GaAs, which would shift the inter_band transition peaks of the GaAs quantum well. Based on the calculation using effective mass approximate method, we find that the intermixing length is 0.5nm, which is an important parameter in semiconductor technology. |
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| Keywords: | Al GaAs in-situ photoreflectance (PR) molecular beam epitaxy (MBE) |
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