| 高功率太赫兹脉冲半导体探测器的分析与设计 |
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| 引用本文： | 王光强,王建国,童长江,李小泽,王雪锋.高功率太赫兹脉冲半导体探测器的分析与设计[J].物理学报,2011,60(3):30702-030702. |
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| 作者姓名： | 王光强 王建国 童长江 李小泽 王雪锋 |
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| 作者单位： | (1)清华大学工程物理系,北京 100084; (2)西北核技术研究所,西安 710024 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(批准号:2009AA809403B)资助的课题. |
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| 摘 要： | 设计了一种基于半导体热电子效应的0.14 THz高功率脉冲探测器.首先根据探测器的结构特点,分析了探测器的工作原理,并推导了探测器的相对灵敏度表达式.接着采用三维电磁场时域有限差分法,模拟计算了探测器的电压驻波比和线性区的相对灵敏度.在优化的结构参数下,探测器在0.14 THz波段的电压驻波比不大于1.3,相对灵敏度约为0.6 kW-1,且在0.13—0.16 THz频带内波动不超过10%.然后讨论了焦耳热效应对探测器的影响,考察了太赫兹脉冲宽度与输出电压变化率的关系.最后对探测器的
关键词：
高功率太赫兹脉冲
探测器
热电子
灵敏度
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| 关 键 词： | 高功率太赫兹脉冲 探测器 热电子 灵敏度 |
| 收稿时间： | 8/9/2010 12:00:00 AM |
Analysis and design of semiconductor detector for high-power terahertz pulse |
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| Wang Guang-Qiang,Wang Jian-Guo,Tong Chang-Jiang,Li Xiao-Ze,Wang Xue-Feng.Analysis and design of semiconductor detector for high-power terahertz pulse[J].Acta Physica Sinica,2011,60(3):30702-030702. |
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| Authors: | Wang Guang-Qiang Wang Jian-Guo Tong Chang-Jiang Li Xiao-Ze Wang Xue-Feng |
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| Institution: | 1)(Department of Engineering Physics,Tsinghua University,Beijing 100084,China) 2)(Northwest Institute of Nuclear Technology,Xi’an 710024,China) |
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| Abstract: | A 0. 14 THz high-power terahertz pulse detector based on hot electron effect in semiconductors is designed in this paper. First,the working principle of the detector is analyzed and its relative sensitivity is derived according to the structural characteristics of the detector. Then a three-dimensional finite-difference time-domain method is used to simulate the voltage standing wave ratio (VSWR) and relative sensitivity in a linear region. With optimized structural parameters, the VSWR of the designed dete... |
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| Keywords: | high-power terahertz pulse detector hot electron sensitivity |
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