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| MeV Si离子轰击SiO2溅射行为研究 | |
| 引用本文： | 薛建明,二宫咎,今西信嗣.MeV Si离子轰击SiO2溅射行为研究[J].物理学报,2004,53(5):1445-1449. |
| 作者姓名： | 薛建明 二宫咎 今西信嗣 |
| 作者单位： | 1. 北京大学重离子物理研究所,北京,100871;日本京都大学核工程系 2. 日本京都大学核工程系 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 (批准号 :19890 3 0 0和 10 3 75 0 0 5 )资助的课题~~ |
| 摘 要： | 关键词： |
| 关 键 词： | 飞行时间谱仪 动能分布 溅射产额 二氧化硅溅射 束流强度 硅离子 |
| 文章编号： | 1000-3290/2004/53(05)/1445-05 |
Study on the sputtering mechanism of SiO2 irradiated with MeV Si ions |
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| Xue Jian-Ming,S. Ninomiya,N. Imanishi.Study on the sputtering mechanism of SiO2 irradiated with MeV Si ions[J].Acta Physica Sinica,2004,53(5):1445-1449. | |
| Authors: | Xue Jian-Ming S Ninomiya N Imanishi |
| Abstract: | Keywords： |
| Keywords: | sputtering TOF KED yield |
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