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| β-SiC薄膜在SF6和SF6+O2中的等离子体刻蚀研究 | |
| 引用本文： | 柴常春,杨银堂,李跃进,贾护军,姬慧莲.β-SiC薄膜在SF6和SF6+O2中的等离子体刻蚀研究[J].物理学报,1999,48(3):550-555. |
| 作者姓名： | 柴常春 杨银堂 李跃进 贾护军 姬慧莲 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所，西安 710071 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号：69776023)资助的课题. |
| 摘 要： | 以SF6和SF6+O2为刻蚀气体，采用等离子体刻蚀工艺成功地对化学气相淀积工艺制备的β-SiC单晶薄膜进行了有效的刻蚀去除.实验指出当气体混合比约为40%时，刻蚀速率达到最大值.俄歇能谱分析表明，在SF6和SF6+O2气体中被刻蚀后的样品没有形成富C表面的SiC层.研究结果为各种SiC器件的研制奠定了必要的实验基础.
关键词： |
| 关 键 词： | 等离子体刻蚀 薄膜 碳化硅 氟化硫 |
| 收稿时间： | 1998-07-28 |
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