| MOCVD生长GaN:Si单晶膜的研究 |
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| 引用本文： | 江风益,李述体,王立,熊传兵,彭学新,辛勇,姚冬敏.MOCVD生长GaN:Si单晶膜的研究[J].发光学报,2000,21(2):120-124. |
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| 作者姓名： | 江风益 李述体 王立 熊传兵 彭学新 辛勇 姚冬敏 |
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| 作者单位： | 南昌大学,材料科学研究所,江西,南昌,330047 |
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| 基金项目： | 国家863新材料领域!（715－001－0012），国家自然科学基金!（69676019），江西省跨世纪人才项目资助 |
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| 摘 要： | 获得高质量的ｎ型ＧａＮ单晶膜是制作ＧａＮ基光电子器件的关键之一。采用立式ＭＯＣＶＤ系统生长ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜，通过优化生长工艺，获得了电子载流于浓度高达２ ×１０１９ｃｍ－３，迁移率达１２０ｃｍ２／Ｖ·ｓ的ｎ型ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜；并有效地抑制了ＧａＮ中由深能级引起的黄带发射，大大提高带边发光强度。研究结果还表明：随着Ｓ掺杂量的增大，ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜的电子载流于浓度增加，迁移率下降，Ｘ光双晶衍射峰半高宽增大。首次报道了随掺Ｓ量增大，ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜的生长速率显著下降的现象。
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| 关 键 词： | MOCVD 单晶膜 氮化镓 |
GaN:Si Single Crystal Films Grown on Sapphire Substrates by MOCVD |
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| JIANG Feng-yi,LI Shu-ti,WANG Li,XONG Chuan-bing,PENG Xue-xin,XIN Yong,YAO Dong-min.GaN:Si Single Crystal Films Grown on Sapphire Substrates by MOCVD[J].Chinese Journal of Luminescence,2000,21(2):120-124. |
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| Authors: | JIANG Feng-yi LI Shu-ti WANG Li XONG Chuan-bing PENG Xue-xin XIN Yong YAO Dong-min |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOCVD GaN photoluminescence the double-crystal X-ray diffraction(DXRD) the Van der Pauw Hall method |
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