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| 等离子MOCVD系统生长ZnO薄膜掺N2和掺NH3特性比较 | |
| 引用本文： | 常玉春,杨晓天,王金忠,王新强,刘博阳,刘大力,胡礼忠,杜国同.等离子MOCVD系统生长ZnO薄膜掺N2和掺NH3特性比较[J].发光学报,2004,25(2):143-146. |
| 作者姓名： | 常玉春 杨晓天 王金忠 王新强 刘博阳 刘大力 胡礼忠 杜国同 |
| 作者单位： | 1. 大连理工大学,物理系,辽宁,大连,116023;吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130023 2. 吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130023 3. 大连理工大学,物理系,辽宁,大连,116023 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，吉林大学校科研和教改项目，60176026,6017707，2001AA311130，，，， |
| 摘 要： | 利用MOCVD方法生长了高质量的ZnO薄膜材料,分别通过N2和NH3对c面和R面蓝宝石衬底上生长的ZnO薄膜材料进行了掺杂行为研究.掺N2时,X射线衍射半峰全宽仅为0.148°,室温光荧光发光峰位于3.29eV,半峰全宽～100meV,电阻率由0.65 Ω·cm增大到5×l04Ω·cm.掺NH3时,X射线衍射峰半峰全宽0.50°,样品为弱p型,电阻率为102Ω·cm,载流子浓度为1.69×1016 cm-3.同时我们还观察到弱p型材料很容易退化成n型高阻材料. |
| 关 键 词： | 金属有机化学气相沉积 氧化锌薄膜 半导体材料 氮气掺杂 氨气掺杂 载流子浓度 |
| 文章编号： | 1000-7032(2004)02-0143-04 |
| 修稿时间： | 2003年3月17日 |
Comparing with the Characteristics of N2 and NH3 Doped ZnO Thin Films Grown by Plasma MOCVD System |
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| CHANG YU-chun,YANG Xiao-tian,WANG Jin-zhong,WANG Xin-qiang,LIU Bo-yang,LIU Da-Li,HU Li-zhong,DU Guo-tong.Comparing with the Characteristics of N2 and NH3 Doped ZnO Thin Films Grown by Plasma MOCVD System[J].Chinese Journal of Luminescence,2004,25(2):143-146. | |
| Authors: | CHANG YU-chun YANG Xiao-tian WANG Jin-zhong WANG Xin-qiang LIU Bo-yang LIU Da-Li HU Li-zhong DU Guo-tong |
| Institution: | CHANG YU-chun,YANG Xiao-tian,WANG Jin-zhong,WANG Xin-qiang,LIU Bo-yang,LIU Da-Li,HU Li-zhong,DU Guo-tong Department of Physics,Dalian University of Technology,Dalian 116024,China State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics,College of Electronic Science and Engineering,Jilin Univeristy,Changchun 130023,China |
| Abstract: | |
| Keywords: | MOCVD ZnO doping |
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