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| GaAs 微尖阵列的制备与场发射性能 | |
| 引用本文： | 孙晓娟,胡礼中,宋航,李志明,蒋红,缪国庆,黎大兵.GaAs 微尖阵列的制备与场发射性能[J].发光学报,2008,29(5). |
| 作者姓名： | 孙晓娟 胡礼中 宋航 李志明 蒋红 缪国庆 黎大兵 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁省微纳米技术及系统重点实验室,辽宁,大连,116023 2. 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁省微纳米技术及系统重点实验室,辽宁,大连,116023 3. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，教育部高等学校博士学科点专项科研基金 |
| 摘 要： | 利用选择液相外延的方法制备GaAs微尖阵列,通过扫描电子显微镜对微尖形貌进行了表征,并对此微尖阵列进行了场发射性能测试。结果表明,选择液相外延法制备的GaAs微尖呈金字塔状,两对面夹角为71°;微尖高度由生长窗口的尺寸决定,对底边为60μm的微尖,其高度约为42μm。此微尖阵列排列规则,具有场发射特性,开启电场约为5.1V/μm。发射电流稳定,当电场由8.0V/μm增加到11.9V/μm,发射电流由6μA增到74μA,在发射时间超过3h的情况下,电流波动不超过3%。另外,GaAs微尖阵列场发射的F-N曲线不为直线,分析表明是表面态和场渗透共同作用的结果。这对GaAs微尖阵列在场发射阴极方面的进一步研究具有重要的意义。 |
| 关 键 词： | 微尖阵列 场发射 砷化镓 液相外延 |
Fabrication and Field Emission Property of GaAs Microtips Array by Selective Liquid Phase Epitaxy |
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| SUN Xiao-juan,HU Li-zhong,SONG Hang,LI Zhi-ming,JIANG Hong,MIAO Guo-qing,LI Da-bing.Fabrication and Field Emission Property of GaAs Microtips Array by Selective Liquid Phase Epitaxy[J].Chinese Journal of Luminescence,2008,29(5). | |
| Authors: | SUN Xiao-juan HU Li-zhong SONG Hang LI Zhi-ming JIANG Hong MIAO Guo-qing LI Da-bing |
| Abstract: | |
| Keywords: | microtip array field emission GaAs liquid phase epitaxy |
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