| 具有部分超结的新型SiC SBD特性分析 |
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| 引用本文： | 杨银堂,耿振海,段宝兴,贾护军,余涔,任丽丽.具有部分超结的新型SiC SBD特性分析[J].物理学报,2010,59(1):566-570. |
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| 作者姓名： | 杨银堂 耿振海 段宝兴 贾护军 余涔 任丽丽 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件重点实验室，西安 710071 |
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| 基金项目： | 国家部委预研项目（批准号：51308030201，9140A08050509DZ0106）资助的课题. |
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| 摘 要： | 提出了一种具有部分超结（super junction, SJ）结构的新型SiC肖特基二极管，命名为SiC Semi-SJ-SBD结构，通过将常规SBD耐压区分为常规耐压区和超结耐压区来减小导通电阻，改善正向特性.利用二维器件模拟软件MEDICI仿真分析，研究了不同超结深度和厚度时击穿电压(VB)和比导通电阻(Ron-sp)，与常规结构的SBD比较得出，半超结结构可以明显改善SiC肖特基二极管特性，并得到优化的设计方案，选择超结宽度2<
关键词：
SiC肖特基二极管
super junction
导通电阻
击穿电压
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| 关 键 词： | SiC肖特基二极管 super junction 导通电阻 击穿电压 |
| 收稿时间： | 2009-03-30 |
Characteristics of a SiC SBD with semi-superjunction structure |
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| Yang Yin-Tang,Geng Zhen-Hai,Duan Bao-Xing,Jia Hu-Jun,Yu Cen,Ren Li-Li.Characteristics of a SiC SBD with semi-superjunction structure[J].Acta Physica Sinica,2010,59(1):566-570. |
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| Authors: | Yang Yin-Tang Geng Zhen-Hai Duan Bao-Xing Jia Hu-Jun Yu Cen Ren Li-Li |
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| Abstract: | A novel SiC semi-superjunction-Schottky Barrier Diode (Semi-SJ-SBD) structure is proposed,which is the combination of super-junction (SJ) structure and conventional drift region structure. The proposed structure can significantly reduce the specific on-resistance (Ron-sp) and improve the forward characteristics. The breakdown voltage (VB) and specific on-resistance (Ron-sp) in different SJ depth and width are studied using two-dimensional simulator Medici and compared with conventional SiC SBD. The results ... |
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| Keywords: | SiC SBD super junction specific on-resistance breakdown voltage |
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