| Ⅰ类超晶格势阱中能级分布及电子跃迁规律研究 |
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| 引用本文： | 刘晓燕,吕惠民,Liu Xiaoyan,Lü Huimin.Ⅰ类超晶格势阱中能级分布及电子跃迁规律研究[J].光子学报,2006,35(12). |
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| 作者姓名： | 刘晓燕 吕惠民 Liu Xiaoyan Lü Huimin |
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| 作者单位： | 西安文理学院物理系 西安710065(刘晓燕)，西安理工大学 西安710048(吕惠民) |
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| 摘 要： | 在研究大量实验曲线的基础上,指出势阱所有能级均有一定的宽度,电子或空穴在各能级中出现的概率符合正态分布,从理论上分析了I类超晶格和双势垒单势阱的发光光谱与吸收光谱·解释了GaAs/Ga1-xAlxAs多量子阱和超晶格吸收光谱吸收边及量子阱变窄时各吸收峰的“蓝移现象”及GaAs/Ga1-xAlxAs双势垒单量子阱样品的电流—电压特性曲线及电导—电压特性曲线的特征和出现的“负阻效应”·
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| 关 键 词： | 超晶格 单势阱 吸收光谱 蓝移 隧道效应 |
Study of the Energy Levels Distributions in Super Lattice Ⅰ in Potential well and the Regulation of the Electronics Jump |
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| Liu Xiaoyan.Study of the Energy Levels Distributions in Super Lattice Ⅰ in Potential well and the Regulation of the Electronics Jump[J].Acta Photonica Sinica,2006,35(12). |
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| Authors: | Liu Xiaoyan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ssuperlattice Single potential well Absorption spectrum Blue move Tunneling effect |
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