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1.
在研究大量实验曲线的基础上,指出势阱所有能级均有一定的宽度,电子或空穴在各能级中出现的概率符合正态分布,从理论上分析了I类超晶格和双势垒单势阱的发光光谱与吸收光谱·解释了GaAs/Ga1-xAlxAs多量子阱和超晶格吸收光谱吸收边及量子阱变窄时各吸收峰的“蓝移现象”及GaAs/Ga1-xAlxAs双势垒单量子阱样品的电流—电压特性曲线及电导—电压特性曲线的特征和出现的“负阻效应”·  相似文献   
2.
陈志标  陈弘达 《光子学报》1997,26(9):792-796
对于从实验中观察到的GaAs/GaAlAs多量子讲非对称法布里一哨罗腔调制器中电致折射率变化引起的模式蓝移现象,从理论上予以讨论.利用等效光程方法分析了电致折射引起的模式的移动特性,实验和理论符合较好.  相似文献   
3.
利用分子轨道从头算理论和密度泛函理论结合不同理论基组对于N-H…O蓝移氢键进行了详细的研究.利用标准方法和均衡校正方法对二聚体进行了几何优化,振动频率和相互作用能的计算.拓扑学和自然键轨道理论对于蓝移氢键的本质进行分析.自然键轨道(NBO)分析表明,σ*(N-H)轨道上电子密度降低是电子密度重排效应的结果.分子内电子重排、轨道再杂化和电子受体内部结构重组共同作用结果导致了N-H的振动频率大幅蓝移现象的出现.  相似文献   
4.
不同溶剂中取代基对芳香胺红外吸收光谱的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
对21种芳香胺在不同极性的溶剂中测定了红外光谱,并对不同取代基对氨基的对称伸缩动和非对称伸缩振动吸收峰峰位的影响进行了讨论。甲基在不同极性的溶剂中表现不同的电子效应;甲氧基处于氨基的邻位的电子效应和处于间位时不同,氯和硝基取代基使氨基的两吸收峰均向蓝移,氨基取代基使氨基的两吸收峰向红移。  相似文献   
5.
瓦级大功率InGaN蓝光LED的光色电特性   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
封装并测量了瓦级大功率InGaN蓝色发光二极管(LED)在不同正向电流IF驱动下的光通量、电功率、发光效率、发射光谱和色品坐标等参数的变化。研究表明, 光通量与电功率随IF的增大呈亚线性增加,而发光效率η则下降。当IF从50 mA一直增大到450 mA左右时,发射光谱的峰值波长λp随IF的增加发生蓝移,蓝移现象可能与InGaN蓝光LED芯片在较大电流时能带被拉平以及In成分的作用有关。当IF大于500 mA或800 mA后,λp又发生红移,红移现象可能与大电流注入下InGaN蓝光LED芯片产生的热效应以及电子-空穴对辐射复合有关。此外,光谱的半峰全宽(FWHM)产生宽化现象,色坐标x和y值也发生变化。  相似文献   
6.
Zn杂质扩散诱导AlGaInP/GaInP量子阱混杂   总被引:1,自引:0,他引:1  
林涛  郑凯  马骁宇 《光学学报》2008,28(11):2209-2214
杂质扩散诱导量子阱混杂技术可用于制作腔面非吸收窗口,提高大功率半导体激光器的输出功率.以Zn2As2为扩散源,采用闭管扩散方式,在550℃下对650 nm半导体激光器的外延片进行了一系列Zn杂质扩散诱导量子阱混杂的实验.实验发现,随着扩散时间从20~120 min,样品光致发光(PL)谱蓝移偏移增加,峰值波长蓝移53 nm;当扩散时间超过60 min后,样品的PL谱中不仅出现了常见的蓝移峰,同时还出现了红移峰,峰值波长红移32 nm.分析表明PL谱蓝移来自Zn扩散引起的AlGaInP/GaInP间的量子阱混杂;红移来自Zn杂质扩散对样品中Ga0.51In0.49P缓冲层的影响.还研究了扩散温度(550℃)和扩散时间对样品晶体品质的影响,并在理论上计算了AlGaInP/GaInP量子阱混杂巾的Al-Ga的互扩散系数.  相似文献   
7.
运用量子化学从头算方法研究了HNO与分子簇(HF)1≤n≤3形成的蓝移与红移氢键.在这些体系中,F…H-N都是蓝移氢键,重极化与重杂化和分子内超共轭导敛了氰键的蓝移;所有的X…H-F(X=O,N,F)氢键都是红移的,分子问超共轭导致了氢键的红移.在多分子体系形成的氢键链中,分子问超共轭作用呈现规律性递变,它导致了氢键强度与频率位移的规律性变化,电子密度拓扑分析结果反映和支持了这种规律性变化.  相似文献   
8.
有机低维结构EL器件的特性   总被引:4,自引:2,他引:2  
近年来,有机电发光器件已经有了很大进展,寿命也已突破万小时,尽管如此,如何更进一步提高发光效率仍是人们所关注的热点。通过与无机半导体低维结构特性的类比,指出对某些有机材料体系,低维结构同样可以改善器件的性能。  相似文献   
9.
首先用溶胶-凝胶法制备符合SrAl2O4:Eu^2 ,Dy^3 化学组成的溶胶,然后通过机械研磨、水热反应和微波加热反应三种不同的组装方法和微波还原扩散法使其进入主体ZSM-5沸石的孔道中。主客体材料的荧光光谱出现显著蓝移,余辉光谱出现400nm和517nm两个发射峰,两个余辉峰的相对发射强度随组装方法和组装浓度的改变而具有可调性,呈现有规律的变化。分析其原因是由于发光材料进入沸石的纳米级孔洞引起的。  相似文献   
10.
采用硬脂酸作为防团聚剂改良的溶胶一凝胶法制备了TiO2光催化荆,并用BET、XRD、Raman光谱对样品进行了表征,考察了硬脂酸(STA)和钛酸丁酯摩尔比、焙烧温度以及催化剂用量等条件对催化剂活性的影响.结果表明硬脂酸有效抑制了TiO2光催化荆粒径的增大,增高了TiO2光催化刑晶型转变温度;拉曼数据显示催化剂粒径越小,拉曼特征峰发生蓝移,能级间隔略有增大;硬脂酸(STA)和钛酸丁酯摩尔比为1.51,焙烧温度450℃,催化剂浓度2 g·L-1时催化剂活性最好,300 W高压汞灯光照2 h,对苯酚的降解率达97.0%.  相似文献   
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